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Fターム[5F044LL07]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング (4,630) | 導電ペースト、接着剤によるもの (335)

Fターム[5F044LL07]に分類される特許

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【課題】製造が容易であり、高い透明性を維持するとともに半導体チップをボンディングする際にはボイドの発生を抑制しながら、貯蔵安定性及び熱安定性にも優れ、更に、耐熱性に優れた硬化物を得ることができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を含有するフリップチップ実装用接着剤、該フリップチップ実装用接着剤を用いる半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、ビシクロ骨格を有する酸無水物と、常温で液状のイミダゾール硬化促進剤とを含有する熱硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】第1の保持体の保持面に保持された複数の部品を、第2の保持体に各部品ごとに対応して予め定めれた所定の移載位置に移載する処理時間の短縮を図れる技術を提供する。
【解決手段】ダイシングテープ6の保持面およびガラス基板8の部品実装面8aが対向して支持された状態で、ダイシングテープ6に保持された当該部品7がガラス基板8の部品実装面8aに押圧されることで、当該部品7がダイシングテープ6からガラス基板8の部品実装面8aに設けられた移載位置に移載されるため、ダイシングテープ6の保持面からの部品7の取り出しと、取り出された部品7のガラス基板8の部品実装面8aへの移載が同一工程で行われるので、処理時間の短縮を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】
低温短時間硬化が可能で、かつ保存安定性に優れる回路接続用材料を提供すること。
【解決手段】
第一の基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材とを、前記第一の回路電極及び前記第二の回路電極を対向配置させた状態で接続するための回路接続材料であって、遊離ラジカルを発生する硬化剤と、ラジカル重合成物質と、2級チオール基を有する化合物とを含有し、2級チオール基を有する化合物の分子量が400以上2000未満である、回路接続材料。 (もっと読む)


【課題】電子部品と基板との電気的接続を簡易かつ歩留まりよく行うことが可能な新規な方法を提供する。
【解決方法】接続用の第1の電極を有する基板と、接続用の第2の電極を有する電子部品とを、前記第1の電極及び前記第2の電極を介して電気的に接続する方法であって、前記基板の前記第1の電極上に導電性ペーストを配置する工程と、前記基板の前記第1の電極の非形成領域において、熱硬化性樹脂シートを配置する工程と、前記電子部品を、前記第2の電極と前記基板の前記第1の電極とが接触するようにして前記基板上に搭載し、0.1Pa以下の圧力下において、80〜150℃の温度で加熱し、前記導電性ペースト及び前記熱硬化性樹脂シートを同時に加熱硬化させて、前記電子部品を前記基板に電気的に接続する工程と、を具える。 (もっと読む)


【課題】接続信頼性の高い半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッド12が一方の面に形成された基板11と、バンプ16が一方の面に形成された半導体チップ15とを備え、半導体チップ15の一方の面が基板11の一方の面に対向する向きで、半導体チップ15が基板11に実装されている半導体装置10であって、基板11の一方の面には、少なくとも電極パッド12を覆うように、ソルダーレジスト13が形成され、ソルダーレジスト13には、導電粒子14が分散され、半導体チップ15のバンプ16は、導電粒子14を介して基板11の電極パッド12と電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】電子部品中の電気的接合部の接合層に関し、鉛成分を含有せず先行技術よりもより高い接合強度・破壊靱性が得られる接合材を接合層として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、電子部材同士が接合層を介して電気的に接続されている半導体装置であって、前記接合層は、Agマトリックスと、前記Agマトリックス中に分散しAgよりも硬度が高い金属Xからなる分散相とを含み、前記Agマトリックスと前記金属X分散相とは互いに金属接合し、前記Agマトリックスと前記電子部材の最表面とは互いに金属接合し、前記金属X分散相と前記電子部材の最表面とは互いに金属接合しており、前記金属X分散相は1μm以下の結晶粒を含み、前記Agマトリックスは100 nmよりも小さな結晶粒を含んでいることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 素子部品の搭載を容易にする。
【解決手段】 金属膜が設けられた素子部品が収納されたパレットに、素子部品が搭載される位置に導電性接着剤が設けられたウェハを重ねて、素子部品を前記位置に搭載する素子部品搭載装置であって、ウェハを吸引する吸引部とウェハを反転させる反転部とパレットの方向へ移動するZ方向移動部とを備える吸引移動反転手段と、素子部品が搭載される2つの所定の位置とパレットに設けられた凹部の2つの所定の位置とをカメラを用いて認識し位置データを生成する位置認識手段と、X方向及びY方向のズレ量を算出してズレ量データを生成する制御手段と、ズレ量データで示された距離を移動するXY方向移動ステージと、制御手段が、
XY方向移動ステージが移動した場合に、吸引移動反転手段の吸引部を移動させて素子搭載部材ウェハをパレットに重ねることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配線基板に半導体チップをフリップチップ実装する際に、配線基板の接続パッド又はバンプと半導体チップのバンプとの間から、非導電性のフィラーと樹脂組成物とが十分に排除され、確実な導通を確保できる接着フィルム及びこれを用いた配線基板を提供する。
【解決手段】接着フィルムは、配線基板にバンプを有する半導体チップ200をフリップチップ実装するための接着フィルムであって、加熱接着温度におけるキャピラリレオメータ法による最低粘度が、100Pa・s未満である。また、配線基板100は、半導体チップの外部接続端子にフリップチップ接続するバンプ130が形成された面に、フリップチップ接続に先立ち前記半導体チップを所定位置に配置した状態で加熱する予備加熱温度におけるキャピラリレオメータ法による最低粘度が、100Pa・s未満である接着フィルムが貼合されている。 (もっと読む)


【課題】生産性に優れ、半導体基板と配線基板との機械的な接続の安定性を向上することができるとともに、半導体基板の電極と配線基板の配線との電気的な接続の安定性を向上することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の絶縁性接着材が極性の異なる電極間の半導体基板の表面領域と隣り合う配線間の絶縁性基材の表面領域との間に配置され、第2の絶縁性接着材が第1の絶縁性接着材と導電性接着材との間に配置されており、第1の絶縁性接着材は、第1の硬化状態となった後に軟化状態となってその後第2の硬化状態となる性質を有し、第1の絶縁性接着材が第2の硬化状態となるまで第1の絶縁性接着材の粘度を第2の絶縁性接着材の粘度よりも高くして製造される半導体装置とその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】
硬化することにより長期信頼性に優れた硬化物が得られる液状硬化性組成物を提供する。
【解決手段】
(A)過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応により分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合をエポキシ化して得られる全塩素量が10質量ppm以下であるエポキシ化合物、(B)硬化剤および(C)充填材を含む液状硬化性組成物である。好ましくはエポキシ化合物はアリルエーテル結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合を酸化して得られる2つ以上のグリシジル基を一分子中に有する室温で液状の化合物である。 (もっと読む)


【課題】従来の導電性接着剤では、0.8mmより更に細かいファインピッチのランドを有する電子回路基板への印刷が出来なかったという課題。
【解決手段】本発明の導電性接着剤は、10〜90wt%のSnBi系はんだ粉末と、残部が有機酸を含有する接着剤とを含む導電性接着剤であって、SnBi系はんだ粉末は、粒子径Lが20〜30μmのはんだ粒子A〜Dと、粒子径Lが8〜12μmのはんだ粒子Eから構成されており、SnBi系はんだ粉末の混合割合は、粒子径が20〜30μmのはんだ粒子A〜Dがはんだ粉末全体の40〜90wt%で、残部が8〜12μmのはんだ粒子Eである。 (もっと読む)


【課題】Bステージにおいてタックフリーを実現することができ、ボンディング時に溶融粘度を低下させることができるとともに、適度な速度で硬化反応を進行させて、ポストキュア時の剥離や流れ出しを抑制し、優れた接着強度を有し、優れた接着性を維持することができるエポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】(A)特定構造のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及び式(2)


で示されるナフタレン型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1種の結晶性エポキシ樹脂15〜57.5質量%、(B)硬化剤として酸無水物及びフェノール樹脂の合計量3〜50質量%、(C)硬化促進剤0.1〜2質量%を含むエポキシ樹脂組成物及びそれを使用する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】ポスト状の電極を用いて大電流を通電した際の熱ストレスを緩和するとともに、このポスト状電極を確実に半導体チップの電極に接合できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ1のおもて面電極とポスト電極15との接合面の少なくとも一方に、有機被膜で保護された金属粒子を塗布し、前記半導体チップのおもて面電極とポスト電極15との間を加圧するとともに加熱して、前記有機被膜を破壊して前記金属粒子を露出させてこの金属粒子を活性接合させて、前記おもて面電極とポスト電極とを接合する。 (もっと読む)


【課題】応力を受けても破壊されにくく、信頼性の高い半田電極を形成することのできる半導体素子接合用接着剤を提供する。また、該半導体素子接合用接着剤を用いた半導体素子の接合方法を提供する。
【解決手段】半田からなる先端部を有するバンプが形成された半導体素子と、半田からなる電極部が形成された基板又は他の半導体素子とを接合する半導体素子接合用接着剤であって、回転式レオメーターにより測定した50〜250℃の間における最低溶融粘度η*minが35Pa・s以下である半導体素子接合用接着剤。 (もっと読む)


【課題】低温速硬化性を有し、かつ実用的な保存安定性を持つ組成物からなり、被着体である金属基板や金属及び無機材質で構成される回路電極の腐食がなく、信頼性低下を防ぐことのできる回路接続用接着剤及びそれらを用いた回路接続方法、接続体を提供する。
【解決手段】エポキシ化合物(A)、光カチオン発生剤(B)、金属水酸化物または金属酸化物(C)を含む接着剤組成物と、導電粒子とを含み、金属水酸化物または金属酸化物(C)が、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化錫、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウムから選ばれる少なくとも一種であり、金属水酸化物または金属酸化物(C)粒径が10μm以下である回路接続用接着剤。 (もっと読む)


【課題】本発明は、回路部材の接続を行う際に回路部材接続用接着剤を透過してチップ回路面の認識マークを識別することを可能にし、同時に、回路部材の接続後に導通不良が発生しないこと及び安定した低接続抵抗を得ることを可能にする回路部材接続用接着剤を提供することを課題とする。
【解決手段】熱架橋性樹脂及び該熱架橋性樹脂と反応する硬化剤を含む樹脂組成物と、
該樹脂組成物中に分散している、2種類以上の金属を含み、結晶化した金属酸化物からなる複合酸化物粒子と、を含有する熱硬化型の回路部材接続用接着剤であって、
突出した接続端子を有する半導体チップと配線パターンを有する回路基板とを、前記接続端子と前記配線パターンとが電気的に接続されるように接着するための回路部材接続用接着剤。 (もっと読む)


【課題】
仮固定時間が短くても十分な支持力(仮固定力)を得ることが可能であり、且つ、本接続後の接着強度に優れる、接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】
アクリロニトリル由来の構造単位を5〜18質量%有するアクリルゴムと、ウレタンアクリレートと、ラジカル重合開始剤と、を含有する、接着剤組成物。 (もっと読む)


【課題】低温速硬化性を有し、かつ実用的な保存安定性を持つ組成物からなり、被着体である金属基板や金属及び無機材質で構成される回路電極の腐食がなく、信頼性低下を防ぐことのできる回路接続用接着剤及びそれらを用いた回路接続方法、接続体を提供する。
【解決手段】エポキシ化合物(A)、光カチオン発生剤(B)、金属水酸化物または金属酸化物(C)を含む接着剤組成物と、導電粒子とを含み、金属水酸化物または金属酸化物(C)が、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化錫、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウムから選ばれる少なくとも一種であり、金属水酸化物または金属酸化物(C)の使用量は、エポキシ化合物(A)100重量%に対して0.1〜60重量%である回路接続用接着剤。 (もっと読む)


【課題】 ビスマス(Bi)を含有するはんだ材料において、耐衝撃性を改善し接合信頼性を高める。
【解決手段】 はんだ材料は、スズ-ビスマス(Sn-Bi)合金と、銅(Cu)と、X−Yで表記される合金、を含み、前記Xは、Cu、Ni、Snからなる金属元素グループから選択される少なくとも1つの金属元素であり、前記Yは、Ag、Au、Mg、Rh、Zn、Sb、Co、Li、Alからなる金属元素グループから選択される少なくとも1つの金属元素である。 (もっと読む)


【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物4b及び導電粒子5を含有する導電性接着剤層3bと、接着剤組成物4aを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層3aと、を備え、導電性接着剤層3bに含有される接着剤組成物4bが、(a)ガラス転移温度40〜70℃のフィルム形成材、(b)エポキシ樹脂及び(c)潜在性硬化剤を含む回路接続用接着フィルム10に関する。 (もっと読む)


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