説明

Fターム[5F044LL07]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング (4,630) | 導電ペースト、接着剤によるもの (335)

Fターム[5F044LL07]に分類される特許

81 - 100 / 335


【課題】半導体チップと基板に絶縁性樹脂接着フィルム(NCF)を使用してフリップチップ実装する半導体装置の製造方法において、熱プレスの際に、NCFのはみ出しと、バンプと電極パッドとの間に絶縁性樹脂や無機フィラーが介在することを防ぎ、得られる半導体装置が十分な耐吸湿リフロー性を示す、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ2のペリフェラル配置された複数のバンプ1で囲まれた領域の面積の60〜100%に相当する大きさと、2×10〜1×10Pa・sの最低溶融粘度とを有するNCFを、バンプ1に対応した基板12の複数の電極11で囲まれた領域に仮貼りする。次に、該バンプ1とそれに対応する電極11とが対向するように、半導体チップ2と基板12とを位置合わせし、半導体チップ2側から熱プレスする。これにより、バンプ1と電極11とを金属結合させ、NCFの溶融と熱硬化により半導体装置を得る。 (もっと読む)


【課題】フラックス洗浄に起因する種々の問題を解決した、洗浄プロセスが不要で信頼性の高い電子モジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第1のランドと第2のランドとを有する配線パターンを同一表面側に備えた基板と、この基板の第1のランドに接続部材を介して実装された表面実装型受動素子部品と、端子パッドを備えた機能面を有し、該機能面が基板の側とは反対の側に向けられ該基板上に設けられた半導体チップと、この半導体チップの端子パッドと基板の第2のランドとを電気的に接続するボンディングワイヤと、を具備し、接続部材が、多孔性の構造を備えた導電部と、該導電部の該多孔性構造の間を埋めて存在する樹脂部とを有する。 (もっと読む)


【課題】貫通ビアを設けることなく、半導体基板のバルク自身をチップ相互間の電気的結合手段とする積層チップにおいて、第2のチップの半導体基板の裏面と第1のチップの電極との間の接触抵抗を抑制する。
【解決手段】基板の一側の面(表面)に複数個の第1の電極を備えた第1のチップと、導電性の半導体基板の表面に半導体素子、及び基板の表面の第1の電極に対応する位置に各々第2の電極を備えた第2のチップとを含み、第2のチップの裏面には、導電性樹脂層が形成され、第1のチップの第1の電極と、第2のチップの他側の面(裏面)とが、第2のチップの裏面の導電性樹脂層を介して接着されて積層形成され、第1、前記第2の電極、及び第1と第2の電極に挟まれた第2のチップの基板内部の領域を、基板に貫通ビアを設けることなく、第1及び前記第2のチップ間の電気的結合手段とする。 (もっと読む)


【課題】LSIに対するクラックの発生を防止して製造工程時の歩留まりの向上、及び信頼性の向上を可能とする。
【解決手段】LSI実装エリア21を有する基板1と、この基板1のLSI実装エリア21上に形成されたランド3と、基板1のLSI実装エリア21に一体的に突出成形され、LSIの実装時にそのバンプがランド3に圧接される際にLSI2を受ける突出部22とを具備する。 (もっと読む)


【課題】熱硬化性樹脂による高い接続信頼性を有し、かつ、低温短時間硬化性と貯蔵安定性を両立でき、更には、基板への貼付性の良好なフィルム接着剤を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂と、マイクロカプセル型硬化剤と、フィルム形成性高分子とを含有する熱硬化性接着剤組成物を溶剤に溶解又は分散させた塗工液を製造する工程、剥離性基材上に該塗工液を塗布する工程、該塗工液が塗布された剥離性基材を、該剥離性基材の弾性領域内で延伸しながら加熱して溶剤を揮散させる製膜工程を含むフィルム接着剤の製造法。 (もっと読む)


【課題】信頼性を損なうことなく、配線基板をより薄型化、狭ピッチ化する。
【解決手段】はんだ入り導電性ペースト200を半導体基板11の上面に塗布した後、半導体基板11の各領域に半導体チップ30を搭載する。この後。はんだが溶融する温度で加熱処理を行い、電極パッド25とはんだバンプ32とを導電性ペースト200に含まれていたはんだ210によって接合する。はんだ210による接合部分は、導電性ペースト200に含まれていた絶縁樹脂212によって被覆される。 (もっと読む)


【課題】インレット製造時におけるICチップの亀裂、割れの発生を防止して歩留まりの向上、信頼性の向上を可能とする。
【解決手段】基板2上に電極パターン3を形成するとともに、この電極パターン3の近傍に該電極パターン3よりも厚いスペーサ7を形成し、一面側に突起電極6を備えたICチップ5をスペーサ7を介して基板2に搭載してその突起電極6を電極パターン3に接触させ、この搭載されたICチップ5を基板2側に向かって加圧加熱することにより突起電極を電極パターン3に電気的に圧着接続する。 (もっと読む)


【課題】実装基板の基板端子と半導体チップのバンプとの接続状態の信頼性の向上を図る。
【解決手段】実装面に複数の基板端子が形成されたヒーターボード30と、複数の基板端子にそれぞれ接合される複数のバンプを有するヒーター駆動用IC50と、複数の基板端子と複数のバンプとの間に介在させて基板端子とバンプとを電気的かつ機械的に接合するACF54と、を備える。複数の基板端子の接合面の各面積と、複数のバンプの接合面の各面積は、ヒーターボード30にヒーター駆動用IC50を実装する際に複数の基板端子にそれぞれ作用する荷重、及び複数のバンプにそれぞれ作用する荷重が等しくなるように規定されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップのバンプ電極と、配線基板のボンディングリードとの接合部における破断を抑制する。
【解決手段】マトリクス基板(配線基板)11をピックアップして保持する基板保持部TRa、基板保持部TRaを支持する支持部TRb、支持部TRbとともにマトリクス基板11を搬送する搬送部TRc、およびマトリクス基板11を加熱するヒータ(基板加熱部)TRdを有する搬送装置TRを用いて、半導体チップ1の複数の突起電極とボンディングリードとが電気的に接続されたマトリクス基板11を、加熱されたアンダフィル樹脂充填ステージ(第2ステージ)に搬送する。 (もっと読む)


【課題】基板のコストと導電生成接着剤の使用量とを低減することによりコストを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】パターンは、接着領域パターン4と非接着領域パターン5とに分かれて形成されており、チップ電極30と接着領域パターン4とは、導電性接着剤6により接着されている。これにより、定常状態で安定的な金メッキ処理を施すパターンの面積は、従来の基板102よりも基板3の方が小さくなるので、基板3は従来の基板102よりもコストを低減することが可能となる。また、半導体チップ2の裏面に形成されたチップ電極30と、接着領域パターン4とは、液状の導電性接着剤6により接着される。よって、半導体装置1は、高価な導電性接着剤6の使用量を従来の半導体装置100よりも減らすことが出来るので、コストを低減することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】金属ナノインクを用いて半導体ダイと基板を接合した半導体装置において、接合部の信頼性を向上させる。
【解決手段】基板21と各半導体ダイ11の各電極12の上に形成され、その表面に微小な凹凸と細孔とを有する金属バンプ13,23と、半導体ダイ11の各金属バンプ13と半導体ダイ11が実装される基板21に形成された各金属バンプ23との間に形成され、金属ナノインク中の金属ナノ粒子を焼結させて各金属バンプの間を接合する接合層31とを備える。金属バンプ13,23は、金属ナノインク中の金属ナノ粒子を焼結させたものであり、金属バンプ13,23と接合層31とは、同一種類の金属ナノ粒子を焼結させたものとする。 (もっと読む)


本発明は、電子部品間の接続方法に関し、さらに詳細には、ホーン(horn)により、電子部品間の接続のための接着剤に圧力及び振動が加えられる場合、前記接着剤に発生するストレーン(strain)を調節して、前記接着剤の自己発熱温度を容易に調節する電子部品間の接続方法及びこの方法を行うための電子部品間の接続装置に関する。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まり及び信頼性を向上させた、半導体素子が回路基板上にフリップチップ実装されて形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極10bを主面に配設した半導体素子10と、電極端子10p・20p上に導電層20bを配設した回路基板20を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材30を被覆する。次いで、バンプ電極と導電層とが接合材を介して対向するように、回路基板上に半導体素子を載置し、接合材を溶融し、バンプ電極、接合材、及び導電層とを一体化させる。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 (もっと読む)


【課題】微細化することができ、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置100は、一方の主面に電極端子22を有する回路基板21と、一方の主面に電極12を有し、回路基板21の一方の主面にフリップチップ実装された半導体素子11と、を具備し、回路基板21の電極端子22と半導体素子11の電極12との間が、一端が電極端子22或いは電極12の一方に接続され、他端部に凹部32を有する筒状電極31と、筒状電極31の凹部32に配設された導電部材41と、により接続される。この半導体装置100は微細化され、信頼性が向上する。 (もっと読む)


【課題】ガラスパッケージ2を回路基板に実装したときに、回路基板の加えられる応力によりガラスパッケージ2に割れや欠けが生じないようにする。
【解決手段】表面にパッケージ電極11が形成されたガラスパッケージ2のパッケージ電極11が形成された表面に、第1貫通電極10が形成されたフレキシブル基板3を接着材4を介して貼り合わされた構造を備えており、パッケージ電極11と第1貫通電極10とが電気的に接続する構造を有する電子部品1とした。 (もっと読む)


【課題】ペーストの転写に必要な荷重と転写ツールの自動交換に必要な荷重を使い分けることができる転写ヘッドを備えた電子部品実装装置を提供する。
【解決手段】電子部品を接着するためのペーストを基板に転写する転写ツール12を保持する転写ツール保持部21の上方にダイアフラム30を配置し、圧縮気体発生装置31から供給される圧縮気体をレギュレータで調圧することでダイアフラム30の内圧を変更し、ツール保持部21に付与する荷重の強弱を調整する。ペーストの転写時には低圧によって弱い荷重を付与し、転写ツールの交換時には高圧によって強い荷重を付与する。 (もっと読む)


【課題】厚みの均一な無電解パラジウムめっき皮膜が形成された被めっき体を提供する。
【解決手段】被めっき体と、無電解ニッケルめっき皮膜と、無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜と、無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、を有し、前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜及び前記置換金めっき皮膜の順序に積層され、前記置換金めっき皮膜が最表層に位置してなる、めっき析出物。 (もっと読む)


【課題】電気的特性を損なうことなく、接続信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子装置は、基板と、基板にバンプを介して実装された電子素子と、基板と電子素子との間に配される封止樹脂と、を備える。電子素子は、バンプと電気的に接続された第1パッドを有する。基板は、導電性樹脂層を有する。導電性樹脂層は、バンプと電気的に接続された第2パッドと、第2パッドから連続的に延在する配線と、を形成する。第2パッドの厚さは、配線の厚さよりも厚い。第2パッドは、バンプの押圧によって凹状となっていない。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板のうねりと半導体素子のスタッドバンプの高さばらつきとを吸収する導電性接着剤の転写量を確保でき、高い実装歩留まりとなるフリップチップ実装構造体を提供する。
【解決手段】スタッドバンプ1は、台座部8と頭頂部9とからなり、頭頂部9における台座部8との境界部分に先端寄りほど狭まるテーパ部分9aを有しており、前記テーパ部分9aの底部の直径をD1、台座部8の直径をD2としたときに、D2×0.6<D1<D2×0.8となるように形成しておく。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板に半導体素子を実装する際に、セラミック基板のうねりとスタッドバンプの高さばらつきとを吸収する導電性接着剤の転写量を確保できるように、当該スタッドバンプを形成するキャピラリを提供する。
【解決手段】金属線を挿通する貫通孔10を先端部においてロート状に拡開させるとともに、前記ロート状の開口部15の延長線上の頂角を60°〜70°とし、同開口部15の最大径を62μm〜66μmとする。 (もっと読む)


81 - 100 / 335