【課題】外観が良好な高品質のカードを提供する。
【解決手段】ＩＣモジュール１０がカード基材と一体化されてＩＣカードが形成される。ＩＣモジュール１０は、モジュール基板１１に設けられたＩＣチップ１２と、ＩＣチップ１２に電気的に接続されたアンテナ接続用端子１１ｃと、モールド部１４とを含む。アンテナ接続用端子１１ｃは、ＩＣモジュール１０と一体化するカード基材に設けられるアンテナに、導電部材を用いて電気的に接続される。モールド部１４は、チップ封止部１４ａと、アンテナ接続用端子１１ｃに設けられたダム枠部１４ｂとを有する。ダム枠部１４ｂを設けることで、カード基材との一体化の際に用いられる導電部材の流出が抑えられ、カードの外観不良の発生が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、絶縁性接着剤層３ａの厚みＴｉと、導電性接着剤層３ｂの厚みＴｃとが、下記式（１）の関係を満たす回路接続用接着フィルム１０に関する。
Ｔｉ／Ｔｃ≧１．５ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】電子デバイスを小型化、低背化し、且つコストを低減する手段を得る。
【解決手段】電子デバイスは、第１の電子素子２０と、第１の電子素子２０を搭載する絶縁基板１１と、を備えた電子デバイスであって、絶縁基板１１は一方の主面に第１の電子素子２０を搭載する電極パッド１２を有すると共に、他方の主面に実装端子１３を備え、第１の電子素子２０に設けた端子と電極パッド１２とは、接続用導電部材１５を介して導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】低温かつ迅速な硬化処理が可能であり、硬化処理を行う際のプロセスマージンが広く、安定した特性を有し、かつ貯蔵安定性にも優れる回路接続材料を提供すること。
【解決手段】熱可塑性樹脂、ラジカル重合性化合物、ラジカル重合開始剤、ニトロキシド化合物、酸性化合物及び塩基性化合物を含有し、上記ラジカル重合性化合物が、（メタ）アクリロイル基を有し、上記ニトロキシド化合物が、アミノキシル基を有し、上記塩基性化合物が、アミノ基、ピリジル基及びイミダゾイル基からなる群より選ばれる１種以上の官能基を有する、接着剤組成物を含有する、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】低コストで高い耐熱性ワイヤレス接合を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板８と、実装基板８上に配置された信号配線電極１２と、実装基板８上に若しくは実装基板８を貫通して配置されたパワー配線電極６と、信号配線電極１２と電気的に接合可能なゲートパッド電極ＧＰおよびパワー配線電極６と電気的に接合可能なソースパッド電極ＳＰを有する半導体デバイス１６と、信号配線電極１２とゲートパッド電極ＧＰとの間に配置された第１金属粒子接合層１８Ｇと、パワー配線電極６とソースパッド電極ＳＰとの間に配置された第２金属粒子接合層１８Ｓとを備え、半導体デバイス１６が実装基板８上にフリップチップ接続された半導体装置１およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生に起因する接続不良を抑制することができる回路接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置（回路接続構造体）１００の製造方法は、配線回路基板１１、並びに、配線回路基板１１の主面１１ａ上に配置された接続部１３及び接着剤層１９、を有する回路部材１０と、半導体チップ２１、並びに、半導体チップ２１の主面２１ａ上に配置された接続部２３及び接着剤層２９、を有する回路部材２０と、を準備する準備工程と、配線回路基板１１及び半導体チップ２１の間に接着剤層１９及び接着剤層２９を介在させて回路部材１０及び回路部材２０を圧着する圧着工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い実装体を実現することのできる基板間の接続方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２の基板３０、３２との間に、導電性粒子１１及び気泡発生剤を含有む樹脂１０を供給し、樹脂の周縁部近傍に、第１及び第２の基板の間を塞ぐ隔壁部材２０を設けた後、樹脂を加熱して、樹脂中に含有する気泡発生剤から気泡１４を発生させて、樹脂を第１及び第２の電極の間に誘導するとともに、気泡を、隔壁部近傍と外部との圧力差により、外部に開放された樹脂の周縁部に導かれて外部に排出する。さらに、樹脂を加熱して、樹脂中に含有する導電性粒子を溶融して、電極間に接続体１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体チップと金属電極の接合強度を向上する。
【解決手段】 一つの実施形態によれば、半導体モジュール実装方法は、第１の工程でマスク板をマスクにして金属電極上に第１の金属ナノ粒子ペーストを塗布する。第２の工程で塗布された第１の金属ナノ粒子ペースト膜にスタンパを押し当て、第１の金属ナノ粒子ペースト膜を平坦化する。第３の工程でプリベークにより第１の金属ナノ粒子ペースト膜中の溶媒を揮発する。第４の工程で溶媒が揮発され、実装される複数箇所の第１の金属ナノ粒子ペースト膜上に半導体チップと加圧体を順次載置する。第５の工程で載置された複数の加圧体上に加圧力均一化プレートを載置する。第６の工程で加圧力均一化プレートに加圧しながら加熱し、半導体チップと金属電極を接合する。 （もっと読む）

【課題】チップとプリント基板間の伝熱ロスの少ないフリップリップ実装を実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる複数のスパイクが表面に形成された基板電極パッドが主面上に配置されたプリント基板と、スパイクの先端に接触する導電性樹脂膜が表面に配置されたチップ電極パッドが、基板電極パッドと対向する主面上に配置されたチップとを備える。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極同士の横滑りを防止し、バンプ電極同士を接合する接合材料のはみ出しを抑制する。
【解決手段】
半導体チップ１０は、基板１７と、基板１７の一方の面に設けられた第１のバンプ電極５０と、基板１７の他方の面に設けられた第２のバンプ電極６０と、第１のバンプ電極５０と第２のバンプ電極６０のうちの少なくとも一方の頂面に形成された導電性の接合材料層６１と、を有している。第１のバンプ電極５０の頂面は凸面５４であり、第２のバンプ電極６０の頂面は凹面６３である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板にフェイスダウン実装してなるフェイスダウン型実装構造において、半導体チップと基板電極との接続状態を適切に視認できるようにする。
【解決手段】一方の主面１１に主面電極１４を有する半導体チップ１０と、一面２１上に基板電極２２を有する基板２０とを備え、一方の主面１１を基板２０の一面２１に対向させた状態で、半導体チップ１０が基板２０の一面２１上に搭載されてなるフェイスダウン実装型の実装構造において、半導体チップ１０の一方の主面１１の外郭に位置する側面１３には、主面電極１４と導通し一方の主面１１から側面１３に亘って延設された導体部１５が設けられており、半導体チップ１０の側面１３にて、導体部１５と基板電極２２とが導電性接合材３０を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】一括処理してもデバイスの完成体の特性にバラツキを生じない電子素子のマウント方法を提供する。
【解決手段】電子素子１５のマウント方法は、電気回路１１に接続する為の端子部を有する電子素子形成工程と、電子素子を配列する為の複数ザグリ部１３を有するトレイ１４の準備工程と、複数ザグリ部に電子素子を各々配置する工程と、複数ザグリ部に配置された各電子素子に相対する様に複数の電気回路を形成した平板状基板１０の準備工程と、電気回路が有するマウント部１１１に電子素子を固着する為の接続部材１２の一括形成工程と、電気回路のマウント部に形成した接続部材に対し、電子素子端子部を相対させて、トレイに配列した複数電子素子と基板とを一括で固着する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを母基板へリワークするときのリフローによる熱応力が母基板に直接加わらないような半導体パッケージのリワーク方法を提供する。
【解決手段】リワーク部品１と母基板２との間に、リワーク部品１の各ボール電極１ａと対応する位置に孔４ａを開けて導電剤３を充填した異方性導電材料からなる半硬化状態の樹脂平板４を介在させる。樹脂平板４は、熱硬化性を有していてリワーク時においてリワーク部品１と母基板２とに接着される。また、樹脂平板４の孔４ａに充填された導電剤３がリワーク部品１のボール電極１ａと母基板２のランド２ａとを電気的に接続する。更に、取り外された半導体部品の切削後に塗布された半田ペースト５によりリワーク部品１のボール電極１ａと母基板２のランド２ａとが半田付けされ、かつ、アンダーフィル樹脂６が母基板２と樹脂平板４との隙間に充填される。 （もっと読む）

【課題】基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板の接続方法は、第１の面を有する第１基板と、前記第１の面に位置する電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起と、前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆う配線と、前記第１の面の検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも低い第２樹脂突起と、を含む第１構造体と、光透過性の材質からなり、第２の面を有する第２基板と、前記第２の面に位置する電気的接続部と、を含む第２構造体と、を用意する工程と、前記第１の面と前記第２の面とが対向するように、前記第１構造体および前記第２構造体を配置し、前記第１樹脂突起上の前記配線と前記電気的接続部を接続する工程と、前記第２樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することで、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する検査工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】有機物で被覆された金属ナノ粒子に対して、加熱することにより焼結、あるいは焼結による接合を促すプロセスに対して、加熱温度の低温化，加熱時間の短縮化を達成できる導電性焼結層形成用組成物および導電性焼結層形成方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、有機物で被覆された粒径が１ｎｍ〜５μｍの金属粒子と酸化銀とを混合することで、各々単体に比較して低温で焼結することができるという現象を利用した導電性焼結層形成用組成物である。本発明の導電性焼結層形成用組成物は、有機物で表面が被覆された粒径が１ｎｍ〜５μｍの金属粒子と、酸化銀粒子とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、異方性導電材料層３Ａを配置する工程と、異方性導電材料層３Ａに光を照射することにより硬化を進行させて、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化する工程と、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの上面３ａに、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４をさらに積層する工程とを備える。異方性導電材料層３ＡをＢステージ化する際に、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの温度範囲２３〜１２０℃における最低溶融粘度を示す温度での貯蔵弾性率Ｇ’を５×１０^２Ｐａ以上、１×１０^５Ｐａ以下にする。導電性粒子５の１７０℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率は５．９×１０^２Ｎ／ｍｍ^２以上、５．９×１０^３Ｎ／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）