【課題】小型化が可能である電子回路装置、その製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】第１電子部品８及び第２電子部品１０がそれぞれ第３電子部品１ａに電気的に接続された電子回路装置であって、上記第１電子部品は、第１接着剤層１３ａによって上記第３電子部品に固着され、上記第２電子部品は、上記第１接着剤層及び第２接着剤層１３ｂによって上記第３電子部品に固着され、上記第１接着剤層及び上記第２接着剤層は、一方が異方性導電材料を含み、他方が異方性導電材料を含まない電子回路装置である。 （もっと読む）

【課題】材料選択の自由度を向上させることが可能であると共に、高温加熱プロセスを必要とする半導体装置の作製においてボイドの発生を抑制することが可能な高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の高分子化硬化剤は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の反応により得られ、本発明の高分子化硬化剤の熱重量減少量は、（Ａ）エポキシ樹脂又は（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が１０％より大きくなる温度において１０％以下である。本発明の高分子化硬化剤の製造方法は、高分子化硬化剤の熱重量減少量が、（Ａ）エポキシ樹脂又は（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が１０％より大きくなる温度において１０％以下となるように、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を反応させる。 （もっと読む）

【課題】生産タクトが高く、しかも実装部品を実装基板に確実に接着できる基板実装装置と、この基板実装装置を用いた基板実装方法を得る。
【解決手段】実装基板１４に実装される複数の実装部品１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃのそれぞれに対応させて分割された複数の基板側加熱部材２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃが基板保持部材２０に設けられる。実装部品１６を実装する部分でのみ基板側加熱部材２４により熱硬化性樹脂１８を加熱し、実装部品１６が未だ実装されていない部分では熱硬化性樹脂１８を硬化させないようにする。 （もっと読む）

【課題】フィレット検査において、隣接する部品の影響を受けずに、半導体素子側面に形成されたフィレットの高さを高精度に検査することを可能にする。
【解決手段】半導体素子２の上面を光らせる面光源７と、半導体素子２の側面のフィレット８部分を光らせるライン状光源６とにより、検査対象の半導体装置１を照射する。半導体装置１に対して斜めに設置されたカメラ５により、半導体素子２の側面に這い上がったフィレット８の高さを計測するための検査画像を撮像する。撮像された検査画像を用いて、半導体素子２の上面と側面との境界を基準にして、フィレット８の高さを計測する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップ保持体から個々のＩＣチップを離脱させてからＩＣチップ搭載機構に供給するまでの処理時間の短縮化及び低コスト化を図ることが可能なＩＣチップ供給装置を提供する。
【解決手段】切り分けられた状態でＩＣチップ保持体ＤＴ上に保持されているＩＣチップＣを順番に押し出してＩＣチップ保持体ＤＴから離脱させるＩＣチップ離脱機構３１と、ＩＣチップ離脱機構３１によりＩＣチップ保持体ＤＴから離脱させたＩＣチップＣを受け取って搬送し、ＩＣチップ搭載機構に受け渡すＩＣチップ搬送機構３２とを備え、ＩＣチップ搬送機構３２に、ＩＣチップ離脱機構３１から受け取ったＩＣチップＣを裏返して反転させた姿勢でＩＣチップ搭載機構に受け渡すＩＣチップ反転部３４を設けたＩＣチップ供給装置３とした。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ化合物、前記エポキシ化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物、硬化剤及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含有する半導体チップ接合用接着フィルム。前記半導体チップ接合用接着フィルムは、上記エポキシ化合物と反応可能な靱性をもち、優れた耐衝撃性を発言することができる。 （もっと読む）

【課題】実装基板にうねりがあったり、実装基板のパッド電極に高低差があっても、半導体チップの電極を信頼性高く接続できるようにする。
【解決手段】ステージ１上にパッド電極３を有する回路基板２が固定され、加圧ツール７により吸着・把持された半導体チップ４が、回路基板２上に搭載される。加圧ツール７には、半導体チップを弾性的に押圧することのできる弾性体突起７ｂが形成されている。回路基板２−半導体チップ４間には熱硬化性樹脂６が充填されており、加圧ツール７上にはこの熱硬化性樹脂６を硬化させるための赤外線を放射する光源８が設置されている。光源８から放射された光は、ミラー９により反射された後、加圧ツール本体７ａの中央部に開けられた開口７ｃを通過して半導体チップ４の裏面に照射される。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを低下させることなく、複数の半導体装置を一括形成することが可能な方法を提供すること。
【解決手段】支持板１９上に金属膜２１を形成する工程と、この金属膜２１上に、係合部を有する複数の接続プラグ１８を形成する工程と、それぞれの接続プラグ１８の係合部内に、複数の半導体チップ１３にそれぞれ設けられた各突起電極１７を挿入し、かつ接触させることにより固定するとともに、複数の半導体チップ１３を絶縁樹脂１５−１で覆う工程と、少なくとも突起電極１７を接続プラグの係合部内に挿入、接触させた後に、絶縁樹脂１５−１を硬化させる工程と、少なくとも金属膜２１をエッチングすることにより、接続プラグ１８に電気的に接続された配線パターン１６を形成する工程と、配線パターン１６の一部に電気的に接続されるとともに、配線パターン１６の他の部分とはソルダーレジスト膜１４により絶縁されるように半田ボール１２を形成する工程と、それぞれの半導体チップ１３の周囲およびその上方の絶縁樹脂１５−１を切断する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】耐リフロークラック性に優れ、信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着剤を提供する。また、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ化合物及びイミダゾール化合物を含有する半導体チップ接合用接着剤であって、前記エポキシ化合物は、エポキシ基を有するアントラセン誘導体及びエポキシ基を有するナフタレン誘導体からなる群より選択される少なくとも１つを含有し、前記イミダゾール化合物の含有量は、前記エポキシ化合物１００重量部に対して０．３〜４重量部である半導体チップ接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】実装基板にうねりがあったり、実装基板のパッド電極に高低差があっても、半導体チップの電極を信頼性高く接続できるようにする。
【解決手段】回路基板１上に半導体チップ３がフェースダウン状態で搭載され、回路基板１上に形成されたパッド電極２と半導体チップ３上に形成された電極４とが接合されている。回路基板１と半導体チップ３との間の隙間にはアンダーフィルとしての樹脂５が充填されている。パッド電極２の頂上には高低差があるが、半導体チップ３がその高低差に追随して湾曲することにより、パッド電極２と電極４との接合は信頼性高く実現できる。 （もっと読む）

【課題】回路部材同士の接合強度の向上を図り、且つ回路電極同士の接続信頼性の向上を図ることができる回路部材の接合方法を提供する。
【解決手段】回路部材の接合方法は、回路電極２ｂ上の回路電極３ｂと接続される部分に、回路電極２ｂの高さの０．５〜４倍の厚みを有する回路接続用異方導電フィルム４を配置する工程と、回路電極３ｂ上の回路電極２ｂと接続される部分に、絶縁ペースト５を配置する工程と、回路接続用異方導電フィルム４及び絶縁ペースト５を介してフレキシブル配線板２とプリント配線板３とを押圧し、フレキシブル配線板２の回路電極２ｂとプリント配線板３の回路電極３ｂとを接合すると共に、回路電極２ｂと回路電極３ｂとを電気的に接続する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】溶融状態の金属材料を選択的に端子上に凝集させることができないことに起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される第１の金属層１２および第２の金属層１４とを備える積層体により構成されるものであり、第１の金属層１２は、その融点が、第２の金属層１４の融点より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い金属インタコネクト接続を提供する。
【解決手段】複数のビア（２４）が、ポリイミド軟質層（２２）及び接着剤層（２３）を通過して、各ダイ・パッド（１４）に対応して形成されている。複数の金属インタコネクト（２８）がポリイミド軟質層（２２）の上に形成されており、各々の金属インタコネクト（２８）が、ポリイミド軟質層（２２）の上面（３０）の一部を被覆する被覆パッド（３１）と、被覆パッド（３１）から下方にビア（２４）の周辺に沿ってビア（２４）を通過して延在する側壁（３６）と、側壁（３６）に接続されて、それぞれのダイ・パッド（１４）との電気的接続を形成する底面（３４）とを有している。底面（３４）及び側壁（３６）の各々が、接着剤層（２３）の厚みに等しい又はこれよりも大きい厚みを有するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ドライバーＩＣを基板にフリップチップ実装させてなる実装構造として、コストの低減化を可能にした、ドライバーＩＣの実装構造を提供する。
【解決手段】入力側端子と出力側端子とを有するドライバーＩＣ２を、基板に実装してなる実装構造である。ドライバーＩＣ２の出力側端子に接続する第１基板１１と、ドライバーＩＣ２の入力側端子に接続する、第１基板１１とは異なる第２基板１２と、ドライバーＩＣ２を第１基板１１及び第２基板１２に固定するモールド樹脂１３と、を備えてなる。 （もっと読む）

【解決手段】
種々の回路板及びそれを用いる製造の方法が開示される。１つの態様においては、回路板（２０）の面（１７）に半田マスク（９０）を適用することと、半田マスク（９０）内に面（１７）まで通じる少なくとも１つの開口（１０５）を形成することと、を含む製造の方法が提供される。半田マスク（９０）上にアンダーフィル（２５）がその一部（１００）が少なくとも１つの開口（１０５）内へと突出するように配置される。 （もっと読む）

【課題】電極間接続部分が実用上充分に封止され、優れた接続信頼性を有する電子部品実装基板の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極を有する電子部品を、前記突起状電極を介してプリント基板の電極に接続する工程（Ｉ）と、前記電子部品と前記プリント基板との電極間接続部分を、シクロオレフィンモノマー（Ａ）、重合触媒（Ｂ）、架橋剤（Ｃ）、及び充填剤（Ｄ）を含む重合性組成物により被覆する工程（ＩＩ）と、前記重合性組成物を重合硬化させる工程（ＩＩＩ）とを含んでなる電子部品実装基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子機器の高機能化及び小型化の要求に伴う、電子材料における端子間の狭ピッチ化にも対応可能な端子間の接続方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、接続端子の形成方法等を提供する。
【解決手段】樹脂組成物１２０と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔１１０とから構成される積層構造を有する導電接続材料１００を介して対向する端子１１，２１間を電気的に接続する方法において、導電接続材料１００を対向する端子１１，２１間に配置する配置工程と、金属箔１１０の融点以上の温度で導電接続材料１００を加熱するとともに超音波を印加する加熱印加工程と、樹脂組成物１２０を凝固または硬化させる凝固、硬化工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体電子パッケージング物質の製造に有用なエポキシ樹脂配合物、およびより具体的にはキャピラリーアンダーフィル封止材を提供する。
【解決手段】電子部品はハンダジョイント１５（電子部品１４上のハンダバンプと基体１２上のボンディングパッドとから形成される）を介して基体１２に電気的に接続されており、このハンダジョイント１５は、電子部品１４と基体１２との間に配置された硬化したアンダーフィル組成物１１を有し、硬化したアンダーフィル組成物１１はジビニルベンゼンジオキシドを配合物中の成分として含み、キャピラリーアンダーフィル組成物の製造に有用な、低粘度で、ほとんど〜全く塩化物を含まないエポキシ樹脂配合物。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー性及び接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする粘接着剤組成物、回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）グリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物と、（Ｅ）光開始剤とを含む粘接着剤組成物、及び光透過性の支持基材３と、該支持基材上に設けられ、該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層２とを備える回路部材接続用粘接着剤シート１０、並びに該粘接着剤シートを使用した半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を回路基板に実装した後にアンダーフィル樹脂を充填する必要がなく、耐落下衝撃性を向上できる半導体部品の実装方法を提供する。
【解決手段】はんだ粒子及びフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物１を用いて半導体部品２と回路基板４とを接合する接合部６を設ける半導体部品２の実装方法に関する。熱硬化性樹脂組成物１を回路基板４の電極５ごとに塗布する。熱硬化性樹脂組成物１を被覆するように、フラックス成分を含有しない封止材９を塗布する。熱硬化性樹脂組成物１及び封止材９が共に未硬化状態のまま、半導体部品２の端子３と回路基板４の電極５とが対向するように半導体部品２と回路基板４とを重ねて加熱する。熱硬化性樹脂組成物１を硬化させて、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部７と、はんだ部７の周囲を被覆する樹脂硬化部８とで形成される接合部６を設ける。封止材９を硬化させて、接合部６の周囲を封止する。 （もっと読む）