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Fターム[5F044LL11]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング (4,630) | 絶縁材料でチップと配線を密着させるもの (1,009)

Fターム[5F044LL11]に分類される特許

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【課題】高熱伝導性で接着性、信頼性に優れる高熱伝導樹脂組成物、接着フィルム、封止用フィルムを提供する。
【解決手段】1)高熱伝導性粒子、2)メソゲンを有するエポキシ樹脂モノマーとエポキシ樹脂用硬化剤とを含む熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び3)重量平均分子量1万以上の高分子量成分を少なくとも含む高熱伝導樹脂組成物であって、前記2)熱硬化性エポキシ樹脂組成物と、前記3)高分子量成分とが硬化後に相分離する高熱伝導樹脂組成物、該高熱伝導樹脂組成物をフィルム状に成形してなる接着フィルム、封止用フィルム、及び該接着フィルム、又は封止用フィルムを介して半導体素子と、半導体素子、基板、放熱板、支持体、金属板、及びセラミック板よりなる群から選ばれる1種又は2種とを積層してなる半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】大きな面積のウェハを貼り合わせた場合に該ウェハ間に形成される間隙にも十分に注入することができ、かつ注入途中で硬化しない接着部材を提供する。
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】三次元積層型半導体装置の製造プロセス適合性を満たした上で、高い熱伝導性を有するエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール骨格を有するエポキシ樹脂と、下記式(4)で表される構造のエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。
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【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ゲルタイムを速くすることで硬化温度の低温化を可能にし、チップにかかる熱応力を低減させ、さらに成形時のボイド発生が抑制された電子部品用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、芳香族アミン化合物と、硬化促進剤として、下記一般式(I)で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも1種の化合物とを含有する組成物。


(式中、Lは、炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成されるm価の基、又はm価の炭化水素基を示す。R〜Rはそれぞれ独立に、水素原子又は1価の炭化水素基を示す。Rは炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成される1価の基、炭素原子、水素原子及び窒素原子から構成される1価の基、又は1価の炭化水素基を示す。mは2〜6の整数を示す) (もっと読む)


【課題】 バンプ部分のボイドを十分に低減することができ、フリップチップ実装による半導体装置の製造における生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、ハンダバンプが形成された機能面を有する半導体ウェハの機能面に、真空ラミネートによって、ラミネート温度におけるズリ粘度が6000Pa・s以下であるフィルム状接着剤を貼り合せて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハの機能面とは反対側の面を研削して半導体ウェハを薄化する工程と、薄化した半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】突起電極の損傷及び変形を抑制することができ、信頼性に優れた半導体チップ実装体の製造に好適に用いられる接着シート、及び、該接着シートを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】表面に突起電極を有する半導体チップを基板又は他の半導体チップに実装するために用いられる接着シートであって、40〜80℃での引張貯蔵弾性率が0.5GPa以上である硬質層と、その少なくとも一方の面に積層され、40〜80℃での引張貯蔵弾性率が10kPa〜9MPaである架橋アクリルポリマーからなる柔軟層とを有する樹脂基材を有し、前記柔軟層上に形成され、回転式レオメーターを用いて、昇温速度5℃/分、周波数1Hzで40〜80℃における溶融粘度を測定した場合の最低溶融粘度が3000Pa・sより大きく100000Pa・s以下である熱硬化性接着剤層を有する接着シート。 (もっと読む)


【課題】フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることが可能な半導体用フィルムを提供すること。
【解決手段】半導体用フィルムは、バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。また、半導体装置の製造方法は、上記半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記半導体素子をピックアップして基板に搭載する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】小型化(ファイン化)された半導体チップを確実に実装することができるとともに、製造コストを低減することができる、半導体装置用配線部材、半導体装置用複合配線部材、および樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置用配線部材10は、半導体チップ15上の電極15Aと外部配線部材21とを電気的に接続するものである。このような半導体装置用配線部材10は、絶縁層11と、絶縁層11の一の側に配置された金属基板12と、絶縁層11の他の側に配置された銅配線層13とを備えている。また絶縁層11の銅配線層13側に半導体チップ載置部11Aが形成されている。銅配線層13は、半導体チップ15上の電極15Aと接続される第1端子部13Dと、外部配線部材21と接続される第2端子部13Eと、第1端子部13Dと第2端子部13Eとを接続する配線部13Cとを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 はんだ接合の品質を維持しながら、半導体パッケージ部品と基板を耐久性ある強度で連結する。
【解決手段】 半導体パッケージ部品3を基板1にマウントし、基板1と半導体パッケージ部品3の外周部と間に接着剤を塗布する際、第一塗布として接着剤6aを基板1上に塗布し、その上に第二塗布として接着剤6bを半導体パッケージ部品3の外周部と接着剤6aを結合するように塗布し、その後リフローしてハンダ溶融し、接着剤6a及び6bを硬化させた後、ハンダ接合を凝固させる場合、第一塗布の接着剤部60aの断面積S1と第二塗布の接着剤部60b断面積S2の関係が、S1≦S2を満たす。 (もっと読む)


【課題】接続性及び接合後の信頼性に優れた電極接合を行うことのできるバックグラインド−アンダーフィル一体型テープを提供する。また、該バックグラインド−アンダーフィル一体型テープを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂層と、バンプ保護層と、基材層とをこの順で有し、封止しようとする半導体チップのバンプの平均高さをBh、前記熱硬化性樹脂層の厚みをUh、前記バンプ保護層の厚みをPhとしたとき、下記式(1)を満たすバックグラインド−アンダーフィル一体型テープ。
0.8×Bh≦Uh+Ph<1.5×Bh (1) (もっと読む)


【課題】 接着剤層付き半導体ウェハから半導体装置を製造する場合に、バンプ部分のボイドを十分に低減できるとともに、研削後の反りを十分小さくすることができて、複数の半導体素子を積層した構造を有する半導体装置の薄型化を可能とする半導体装置の製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、金属バンプが形成された回路面を有する第1の半導体ウェハの回路面上に、液状感光性接着剤を塗布して感光性接着剤層を形成する工程と、感光性接着剤層を光照射によりBステージ化して接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハと、第2の半導体ウェハとを、接着剤層付き半導体ウェハの接着剤層を挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程と、半導体ウェハ積層体を切断して半導体素子が積層された半導体素子積層体に切り分ける工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ12が形成された回路面を有する半導体ウェハ10の回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤6,7の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハ40を得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハ40と、他の半導体ウエハ50とを、接着剤層付き半導体ウェハ40の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】
本発明によれば、高温接続時においてもボイドの発生が十分に抑制され、且つ、フラックス剤のフラックス活性が有効に得られる半導体封止用接着剤及びその製造方法が提供される。また本発明によれば、該半導体封止用接着剤を用いて製造された半導体装置が提供される。
【解決手段】
(a)エポキシ樹脂、(b)エポキシ樹脂硬化剤、(c)フラックス剤及び(d)有機溶媒を含有する接着剤ワニスから、下記式(I)及び(II)を満たすように前記有機溶媒の少なくとも一部を除去して得られる、半導体封止用接着剤。
半導体封止用接着剤の反応開始温度≧(d)有機溶媒の沸点 (I)
0.5≦半導体封止用接着剤中の(d)有機溶媒の含有量(質量%)≦1.5 (II) (もっと読む)


【課題】 半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用可能なダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムを提供すること。
【解決手段】 ダイシングテープとウエハ裏面保護フィルムとを有するダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、ウエハ裏面保護フィルムは、染料を含有して着色されており、ウエハ裏面保護フィルム上にワークを貼着する工程と、ワークをダイシングしてチップ状ワークを形成する工程と、チップ状ワークをウエハ裏面保護フィルムとともに、ダイシングテープの粘着剤層から剥離する工程と、チップ状ワークを被着体にフリップチップボンディングにより固定する工程とを具備する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ゲルタイムを速くすることで硬化温度の低温化を可能にし、チップにかかる熱応力を低減させ、さらに成形時のボイド発生が抑制された電子部品用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】電子部品用液状樹脂組成物を、エポキシ樹脂と、芳香族アミン化合物と、硬化促進剤として、下記式(III)で表される構造部位を有する化合物を含有せしめて構成する。
(もっと読む)


【課題】配線基板と、その表面にACFやNCFを介してフリップチップ実装された第1電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第2電子部品とを含む接続構造体を一括でできる方法を提供する。
【解決手段】配線基板1の表面に、第1接着フィルム2を介して第1電子部品3を仮設置する工程;配線基板1の裏面に、第1接着フィルム2の硬化温度よりも低い硬化温度を有する第2接着フィルム4を介して第2電子部品5を仮設置する工程;第1電子部品3及び第2電子部品5が仮設置された配線基板1を、圧着受け台に載置する工程;及び第1電子部品3を、配線基板1に対して第1電子部品3側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板1の表面及び裏面に第1電子部品3及び第2電子部品5をそれぞれ一括で実装する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】接着層を介した部材同士の接続信頼性を向上する。
【解決手段】上型11は、上加熱加圧部17を有する。下型12は、上下動可能な下加熱加圧部17と、上下方向に延在する支持ピン24とを有する。上加熱加圧部16、17には、クランプ面16a、17aが形成されている。支持ピン24は、下加熱加圧部17が上動することで相対的にクランプ面17aから退避し、下動することで相対的にクランプ面17aから突出する。支持ピン24がクランプ面17aから突出した状態で、支持ピン24は、ワークWを支持する。支持ピン24がクランプ面17aから退避した状態で、下加熱加圧部17は、支持ピン24から受け取ったワークWをクランプ面17aで載置したままクランプ面16aに押し当ててクランプする。上加熱加圧部16および下加熱加圧部17は、ワークWをクランプしたまま加熱加圧する。 (もっと読む)


【課題】 作業性、ハンドリングの容易性、狭ピッチ化対応のため、液状であり、短時間での硬化が可能で、短時間で半導体チップ−基板間のボイドを抑制することができる先供給型封止材樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 (A)液状エポキシ樹脂、(B)特定構造のエポキシ樹脂、(C)液状酸無水物硬化剤、および(D)マイクロカプセル型硬化促進剤を含むことを特徴とする、先供給型液状半導体封止樹脂組成物である。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ(半導体集積回路装置)の実装信頼性を向上させる。
【解決手段】表示パネルと、前記表示パネルを構成する基板上に異方性導電膜を介在して実装される方形状の半導体チップとを備える表示装置であって、前記半導体チップは、前記異方性導電膜側の面に、互いに反対側に位置する2つの長辺のうちの一方の長辺に沿って配列された複数の第1バンプからなる第1バンプ群と、前記2つの長辺のうちの他方の長辺に沿って配列された複数の第2バンプからなる第2バンプ群と、前記第1バンプ群と前記第2バンプ群との間であって前記長辺の延在方向と同一方向に沿って配列された複数のダミーバンプからなるダミーバンプ群とを有する。 (もっと読む)


【課題】2枚のシリコン基板を重ね合わせて接着し、2枚のシリコン基板のそれぞれに形成されたバンプ電極同士を電気的に接続する半導体装置において、樹脂によるバンプ保護性能の低下を防ぎ、また、バンプ電極間の接続性の低下を防ぐ。
【解決手段】第1シリコン基板100上および第2シリコン基板101上のそれぞれに、上面の高さが揃ったバンプ電極230、ダミーバンプ240および耐熱性樹脂膜300を形成した後、第1シリコン基板100と第2シリコン基板101とをそれぞれの基板に形成されたバンプ電極同士が電気的に接続されるように接着させる。その際、ダミーバンプ240を対向するシリコン基板上の耐熱性樹脂膜300に接着するように配置することで、バンプ電極同士の良好な電気的接続と、耐熱性が高くボイドがない樹脂膜によるバンプ保護性能を併せ持った半導体装置を実現できる。 (もっと読む)


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