【課題】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部を封止するための接続信頼性及び絶縁信頼性に優れた接着剤組成物、それを用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の提供。
【解決手段】エポキシ樹脂と、硬化剤と、ビニル系表面処理フィラーとを含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の主面上において、機能性素子の機能部と対向する領域に撥水層を形成し、封止層を形成する際のその構成樹脂が、配線基板の主面と機能性素子の機能部との間に流入するのを抑制して、これらの間に前記機能部が動作できるための空間を形成するようにして、電子部品を構成する。 （もっと読む）

【課題】半田付け工程を行う必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる半導体パッケージ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】能動面２０ａを有し、能動面に複数の導電バンプ２００が設けられたチップ２０と、表面にアンダーフィル２１０が設けられた基材２１と、を提供する工程と、チップの能動面をアンダーフィルに結合させることにより各導電バンプをアンダーフィルに埋設させる工程と、基材を除去することによりアンダーフィルを露出させる工程と、チップをアンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることでチップを各導電バンプによりパッケージ基板に電気的に接続させる工程と、を備える半導体パッケージ構造の製造方法。アンダーフィルをチップの能動面に結合させた上で、アンダーフィルをパッケージ基板に設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】電極間の接続抵抗が低く、かつ耐熱衝撃特性が高い接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１は、第１の電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２と、第２の電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４と、第１の接続対象部材２の上面２ａと第２の接続対象部材４の下面４ａとの間に配置され、導電性粒子２１を含む異方性導電材料により形成されており、導電性粒子２１により第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとを電気的に接続している接続部３とを備える。導電性粒子２１は、樹脂粒子２２と、第１の導電層２３と、第１の導電層２３よりも融点が低い第２の導電層２４とを有する。第１，第２の電極２ｂ，４ｂを電気的に接続している導電性粒子２１における第１の導電層２３は、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとに接触している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと配線基板との間にＮＣＰを配した態様の半導体装置に関して、ＮＣＰと配線基板の密着力を向上させる。
【解決手段】まず、片面に、半導体チップの搭載領域に対応させた開口部を有する絶縁膜１０が形成され、該開口部が、該半導体チップの主面の電極パッドが接続される接続パッド７とこれに繋がる配線パターン８とを露出させた配線基板１−１を用意する。次に、上記開口部内の接続パッド７を除いた場所にある、配線パターン８の表面および配線基板１の基材表面にコート材１２を吹き付ける。コート材１２は、ＮＣＰ１１との密着力が該ＮＣＰ１１と配線パターン８の表面との密着力より優れている。次に上記の開口部の、半導体チップを搭載する領域全体にＮＣＰ１１を塗布する。次にフリップチップ実装方式で半導体チップ２の電極パッド５と配線基板１の接続パッド７とを電気接続しながら、半導体チップ２を配線基板１にＮＣＰ１１を介して接合する。 （もっと読む）

【課題】 低温短時間硬化性と保存安定性とを両立することができ、接続信頼性に優れた回路接続材料の実現を可能とする接着剤組成物、それを用いた回路接続材料、接続体及びその製造方法並びに半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の接着剤組成物は、オキセタン化合物と、エポキシ化合物と、下記一般式（１）で示されるスルホニウム塩型熱潜在性カチオン発生剤とを含有する。



一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、炭素数が１〜４の炭化水素基を示し、Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数が１〜１０の脂肪族炭化水素基、又は、芳香族炭化水素基を示し、Ｘ⁻は、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、又は、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸イオンを示す。 （もっと読む）

【課題】半導体素子・配線回路基板間の熱膨張率差による接続不良を改善するとともに、半導体素子・配線回路基板の端子間での無機質充填剤の噛みこみを、より確実に抑え、接続信頼性を向上させた、封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法を提供する。
【解決手段】配線回路基板と半導体素子との間の空隙を樹脂封止するための封止用樹脂シート１であって、上記封止用樹脂シート１が、無機質充填剤含有層３と無機質充填剤不含層２との二層構造のエポキシ樹脂組成物シートであり、無機質充填剤含有層３の溶融粘度が１．０×１０²〜２．０×１０⁴Ｐａ・ｓ、無機質充填剤不含層２の溶融粘度が１．０×１０³〜２．０×１０⁵Ｐａ・ｓ、両層の粘度差が１．５×１０⁴Ｐａ・ｓ以上であり、無機質充填剤不含層２の厚みが、半導体素子に設けられた接続用電極部の高さの１／３〜４／５である。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しＢ−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）溶剤と、（Ｅ）アミノ基を含有するシランカップリング剤と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造の際の工程数の増加を抑制しつつ、半導体ウエハが有する低誘電材料層のクラックを防止することを可能とする保護層形成用フィルムを提供すること。
【解決手段】 低誘電材料層が形成されているバンプ付きウエハに保護層を形成するための保護層形成用フィルムであって、支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層されており、熱硬化性樹脂層の溶融粘度が、１×１０^２Ｐａ・Ｓ以上２×１０^４Ｐａ・Ｓ未満となり、且つ、粘着剤層のせん断弾性率が、１×１０^３Ｐａ以上２×１０^６Ｐａ以下となる温度が５０〜１２０℃の温度範囲内に存在する保護層形成用フィルム。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、高い透明性を維持するとともに半導体チップをボンディングする際にはボイドの発生を抑制しながら、貯蔵安定性及び熱安定性にも優れ、更に、耐熱性に優れた硬化物を得ることができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を含有するフリップチップ実装用接着剤、該フリップチップ実装用接着剤を用いる半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、ビシクロ骨格を有する酸無水物と、常温で液状のイミダゾール硬化促進剤とを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】低温、短時間の条件で硬化し、かつ、接続信頼性の高い接着剤を提供する。
【解決手段】接着剤は金属キレートと、シランカップリング剤と、熱硬化性樹脂とを有しており、シランカップリング剤のアルコキシ基が接着剤中で加水分解され、シラノール基となる。このシラノール基と金属キレートとが反応することによって接着剤中にカチオンが放出されると、そのカチオンによって熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂がカチオン重合する。このように、接着剤はカチオン重合によって硬化されるので、低い温度でも接着剤が硬化する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を簡便に製造することが可能で、且つ、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、回路面Ｓ１上に、複数の突出電極１０ａを覆う絶縁性樹脂層１２を形成する工程と、半導体ウエハ１０をダイシングフレーム１４及びダイシングテープ１６に取り付ける工程と、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１側から半導体ウエハ１０及び絶縁性樹脂層１２をダイシングすることで、複数の半導体チップ２０に個片化する工程と、ピックアップされた半導体チップ２０を位置合わせヘッドによって保持した状態で、半導体チップ２０の突出電極１０ａと基板上の回路電極との位置合わせを行い、仮固定する工程と、接続ヘッドを用いて半導体チップ２０と基板とを加熱圧着することで、半導体チップ２０の突出電極１０ａと基板の回路電極とを電気的に接続する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れ、かつ、先供給方式によりフリップチップ接続を行う場合でも充分な接続信頼性を得ることが可能な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤及びフラックス剤を含み、硬化促進剤がイミダゾール類の有機酸付加体である、半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。前記有機酸が、イソシアヌル酸、芳香族カルボン酸及びルイス酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の有機酸である、上記に記載の半導体封止充填用エポキシ樹脂素組成物６である。 （もっと読む）

【課題】電子部品同士を半田接合し、半田接合部の空隙を熱硬化性樹脂を含有する樹脂層で充填させ、半田接合部を補強する電子部品の製造方法において、空洞（エアギャップ）の発生を抑制することができ、さらに、ボイド（気泡）の発生をも抑制することができる、電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】第１電子部品１または第２電子部品３の少なくとも一方に、熱硬化性樹脂を含有する樹脂層５を形成する第１の工程と、第１接続用金属電極２と第２接続用金属電極４を当接させる第２の工程と、両接続用金属電極を半田接合させる第３の工程と、を有する電子部品の製造方法において、第３の工程において、板状体を有する加圧装置で加圧を維持しながら前記半田接合に用いる半田の融点以上の温度に加熱し、さらに、前記半田接合に用いる半田の融点以上の温度で加圧を開放する。 （もっと読む）

【課題】容易に電極部間のピッチを狭めたり、容易に電極部上に微小な半田バンプ形成したりすることができる回路基板等の技術を提供すること。
【解決手段】回路基板１０は、電極部２１を有する配線部２０を備える。電極部は、銅層２２と、銅層上の酸化銅層２３と、酸化銅層を貫通する孔２４とを有する。孔により露出された銅層露出部２５上には、フリップチップ実装用の半田バンプ１が形成される。半田バンプ形成時には、電極部上にクリーム半田等が塗布されて加熱される。半田は、銅には接着し易いが、酸化銅には接着にくい性質を有しており、この関係が利用される。つまり、クリーム半田加熱時には、半田バンプは、接着し易い銅層露出部上に形成され、酸化銅層上には形成されない。これにより、孔の大きさを調整することで、容易に微小な半田バンプを形成することができ、また、電極部の構造を複雑化する必要もないので、容易にピッチを狭めることができる。 （もっと読む）

【課題】積層半導体チップ、半導体装置およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】積層半導体チップは、第１チップと、第１チップ上に積層された第２チップと、第１チップの上部面と第２チップの下部面との間に形成された導電性バンプと、第１チップと第２チップとの間に介在し、導電性バンプを封止し、第２チップの側壁に沿って形成され、第２チップの上部面に隣接して形成された上部面を有するアンダーフィル物質と、第１チップの上部面上のアンダーフィル物質の外側面上に配置され、第２チップとアンダーフィル物質を含む断面において、アンダーフィル物質によって第２チップの側壁から離隔され、第２チップの側壁と接しないモールディング材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、導電性粒子５を含む異方性導電材料を用いた異方性導電材料層を配置する工程と、該異方性導電材料層の上面に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、第２の接続対象部材４の上面４ｃに、加熱圧着ヘッドを降下させて、上記加熱圧着ヘッドが第２の接続対象部材４の上面４ｃに接した状態で、上記異方性導電材料層を硬化させる工程と、第２の接続対象部材４の上面４ｃから、上記加熱圧着ヘッドを引き上げる工程とを備える。本発明に係る接続構造体１の製造方法では、上記異方性導電材料層が硬化開始温度に達するまでに、電極に導電性粒子５が押し込まれた凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ周囲のアンダーフィルのフィレット形状をより均一な形状に近づけることで、半導体チップと基板との接続信頼性が高い半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体チップ２が、アンダーフィル４を介在させて基板１にフリップチップ実装された半導体装置１００であって、前記基板１の前記半導体チップ２が搭載されている領域の周囲に、前記アンダーフィル４のフィレット５形状を規制するフィレット形状規制部６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】第１，第２の接続対象部材の接続信頼性が高く、かつ電極間の導通信頼性が高い接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２と、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４と、第１の接続対象部材２の上面２ａと第２の接続対象部材４の下面４ｂとの間に配置されており、かつ接着剤を硬化させることにより形成された硬化物層３とを備える。第２の接続対象部材４の外周側面よりも側方の少なくとも一部の領域に、硬化物層３によるフィレットが形成されている。硬化物層３は、第１の接続対象部２材側に第１の硬化物層部分３ａと、第２の接続対象部材４側に第２の硬化物層部分３ｂとを有する。第１の硬化物層部分３ａの２５℃での弾性率は、第２の硬化物層部分３ｂの２５℃での弾性率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】加熱によってフラックス機能が損なわれず、半導体チップ等と回路基板とを良好に電気的に接続可能な樹脂組成物、および、このような樹脂組成物を用いた半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供する。
【解決手段】樹脂組成物は、第１の部材の半田接合面に用いられるフラックス機能を有する樹脂組成物層を構成する樹脂組成物であって、架橋反応可能な樹脂と、加熱により酸を発生する熱酸発生剤と、を含むことを特徴とする。熱酸発生剤は、オニウム塩化合物、トリアジン誘導体、有機スルホン酸縮合誘導体、および、有機カルボン酸縮合誘導体からなる群から選択される少なくとも１種であるのが好ましい。 （もっと読む）