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Fターム[5F044LL11]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング (4,630) | 絶縁材料でチップと配線を密着させるもの (1,009)

Fターム[5F044LL11]に分類される特許

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【課題】耐リフロー性及び接続信頼性及び絶縁信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする接着剤組成物、その接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部を封止する接着剤組成物であって、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アクリル系表面処理フィラーとを含有する接着剤組成物。 (もっと読む)


【課題】回線電極を有する回路基板間の電気的接続において、低温接続性及び接続信頼性に優れる硬化剤フィルムの提供。
【解決手段】支持フィルム上に、フィルム形成性樹脂、硬化剤及び該硬化剤により硬化しない粘着性付与樹脂を含む硬化剤層が形成されていることを特徴とする硬化剤フィルム。 (もっと読む)


【課題】電気的接続信頼性及び接着後の耐イオンマイグレーション性に優れ、脆性改善、良好なタック性、高い作業性を有するダイシングフィルム一体型接着シート電子部品および半導体装置を提供すること。
【解決手段】支持体7の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルム3と、ダイシングテープ2とから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シート10であって、前記接着フィルム3が、(A)1核体から3核体の合計の含有量が、30〜70%であるフェノール系ノボラック樹脂と、(B)25℃で液状であるエポキシ樹脂と、(C)フラックス機能を有する化合物と、(D)成膜性樹脂と、を含む。 (もっと読む)


【課題】実装部近傍の構成部品に対する熱衝撃を緩和させる。
【解決手段】熱硬化性の接着剤層23を介して実装部品18,21を熱加圧することにより実装部20,22に実装部品18,21を接続する熱圧着ヘッド3において、熱圧着ヘッド3は、ペルチェ素子5を有し、ペルチェ素子5は、実装部品18,21を熱加圧する際に、実装部20,22近傍に設けられた他の構成部品15と対峙する面側を冷却部6とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップがフリップチップ実装される配線基板において、信頼性を向上させること。
【解決手段】複数の接続パッドPと、複数の接続パッドPを一括で露出させる開口部20aが設けられた保護絶縁樹脂層20とを含み、複数の接続パッドPの間の領域における保護絶縁樹脂層20の開口部20aの側壁に、切欠開口部Cx,Cyが設けられている。先封止技術によって半導体チップが接続パッドPにフリップチップ接続される際に、封止樹脂に発生するボイドが切欠開口部Cx,Cyにトラップされる。 (もっと読む)


【課題】電子部品と基板との電気的接続を簡易かつ歩留まりよく行うことが可能な新規な方法を提供する。
【解決方法】接続用の第1の電極を有する基板と、接続用の第2の電極を有する電子部品とを、前記第1の電極及び前記第2の電極を介して電気的に接続する方法であって、前記基板の前記第1の電極上に導電性ペーストを配置する工程と、前記基板の前記第1の電極の非形成領域において、熱硬化性樹脂シートを配置する工程と、前記電子部品を、前記第2の電極と前記基板の前記第1の電極とが接触するようにして前記基板上に搭載し、0.1Pa以下の圧力下において、80〜150℃の温度で加熱し、前記導電性ペースト及び前記熱硬化性樹脂シートを同時に加熱硬化させて、前記電子部品を前記基板に電気的に接続する工程と、を具える。 (もっと読む)


【課題】接続電極を覆うアンダーフィル樹脂が形成されている場合にも、アライメントマークの認識が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子11と、半導体素子11に形成されたパッド電極12と、半導体素子11に形成されたアライメントマーク15と、パッド電極12上に形成された接続電極と、接続電極を覆うように形成されたアンダーフィル樹脂18とを備える半導体装置10を構成する。そして、この半導体装置10は、半導体素子11からの高さが接続電極よりも大きいアライメントマーク15を備える。 (もっと読む)


【課題】バンプの潰れすぎによる導通不良〔ショート(短絡)〕を防ぎつつ、接着性が良好な半導体素子の実装方法、及び該半導体素子の実装方法により得られる実装体の提供。
【解決手段】バンプが形成された半導体素子の前記バンプを有する面上に、硬化した第一の絶縁性樹脂層と、未硬化の第二の絶縁性樹脂層とをこの順に積層した積層物を作製する積層物作製工程と、電極を有する基板上に、前記基板の前記電極を有する面が前記第二の絶縁性樹脂層に対向するように前記積層物を配置する配置工程と、前記半導体素子を加熱及び押圧し、前記第二の絶縁性樹脂層を硬化させるとともに、前記バンプと前記基板の前記電極とを電気的に接続する接続工程と、を含む半導体素子の実装方法である。 (もっと読む)


【課題】Bステージ化した後、常温に戻した段階でのタック値が低く、リフロー時の温度域での溶融粘度が低く、Bステージ化した後の透明性に優れたウェハレベルアンダーフィル組成物およびそれを用いた半導体装置製造方法の提供。
【解決手段】(A)結晶性エポキシ樹脂、(B)結晶性フェノール樹脂、(C)有機酸、(D)硬化触媒、および、(E)溶剤よりなり、前記(A)結晶性エポキシ樹脂として、ナフタレン骨格を有するものを含むことを特徴とするウェハレベルアンダーフィル組成物。 (もっと読む)


【課題】高密度配列された電極端子を有する半導体素子を搭載する場合であっても、隣接する半導体素子接続パッド間にショートや電気的な絶縁不良を発生させることなく、正常に搭載することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】複数の電極端子Tが下面の外周に沿って並ぶように配列された半導体素子Sを搭載するために、上面に電極端子Tと半田7を介して接続される複数の半導体素子接続パッド8が電極端子Tの配列と対応する並びに配列されて成る配線基板10であって、半導体素子接続パッド8は、互いに隣接するもの同士において、その幅が交互に反対方向に向けて広くなる形状であるとともに、その幅の広い部分に半田7の溜まりが形成されている。 (もっと読む)


【課題】分子あたり少なくとも2つのオキシラン基を有する樹脂成分で表されるフラックス剤、並びに硬化剤を含む硬化性フラックス組成物を提供する。
【解決手段】


で表されるフラックス剤、並びに、場合によっては硬化剤を当初成分として含む硬化性フラックス組成物、ならびに硬化性の熱硬化性樹脂組成物を硬化させ、複数の電気的相互接続を封止することを含む、封止された金属接続を形成する方法。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】主に半導体ダイの周辺領域中に位置する信号パッドと、主に前記信号パッドから半導体ダイの内部領域中に位置する電力パッドおよび接地パッドとを伴う、ダイパッドレイアウトを有する半導体ダイを提供するステップと、前記信号パッド、電力パッド、および接地パッド上に複数のバンプを形成するステップと、基板を提供するステップと、前記基板上に相互接続部位を伴う複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記バンプは、相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 (もっと読む)


【課題】 絶縁層から突出する電極からなるパッドを備えながら、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 最下層の第1導体パターン58と外部基板接続用のパッド60Pを形成する電極体60との間に、第1絶縁層50が介在しているので、第1導体パターン58とパッド60Pとの間で短絡が発生し難い。また、パッド60Pを構成する電極体60の露出部分に対して、外部基板への実装の際に応力が加わっても、該電極体60は露出部分以外は第1絶縁層50により保護が図られるので、電極体60にクラック等が生じ難い。 (もっと読む)


【課題】熱収縮による応力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】多層基板2と、多層基板2に配置された半導体チップ1と、多層基板2と半導体チップ1を接続する複数の金属バンプ4と、半導体チップ1及び多層基板2の間に設けられ、封止樹脂3によって形成された封止樹脂層10とを備え、封止樹脂層10には、複数の柱状の空洞5が形成され、複数の空洞5の体積は、封止樹脂層10の体積の半分以上である、半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】フィラーを含む接着剤を用いた場合であっても、フィラーや樹脂が半田バンプとパッド電極との間に挟まることなく、良好な接続が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ4を有する第1の回路部材1と、パッド電極5を有する第2の回路部材6の間に絶縁性樹脂組成物3を介在させた状態で、加熱および加圧により前記第1の回路部材のバンプと前記第2の回路部材のパッド電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、前記バンプが下式(1)を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。t1−t2>0.1r(1)t1:最頂部のバンプ高さt2:最頂部からバンプ半径rの1/2離れた位置のバンプ高さr:バンプ半径 (もっと読む)


【課題】半導体チップを磁気シールド層で被覆しても、バンプを狭いピッチで配置することができるようにする。
【解決手段】半導体チップ100は磁気記憶素子10を有しており、かつ第1面に電極パッドを有している。磁気シールド層400は、少なくとも電極パッドが露出した状態で半導体チップ100を被覆している。半導体チップ100は、バンプ310を介して配線基板200に実装されている。半導体チップ100と配線基板200は、少なくとも一方が凸部を有しており、当該凸部上にバンプ310が設けられている。 (もっと読む)


【課題】接続信頼性の高い半導体装置を安定的に製造することができる半導体装置の製造方法および装置を提供すること。
【解決手段】複数の回路基板1の第一端子と、複数の半導体素子2のバンプとをそれぞれ対向配置させ、各第一端子と各バンプとの間に樹脂層3を配置して複数の積層体4を形成し、複数の積層体4を加熱しながら、複数の積層体4を同時に積層体4の積層方向から加圧する。このとき、複数の積層体4を加熱炉51内で加熱しながら、加熱炉51内に配置されたダイアフラム54を複数の積層体4あるいは、複数の積層体4を挟圧するための部材531に当接させて弾性変形させることより、複数の積層体4を真空下で同時に積層体4の積層方向から加圧する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハに対する追従性、及び、エキスパンド時の割裂性に優れた接着剤層を有する半導体加工用接着シートを提供する。また、該半導体加工用接着シートを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハを薄化した後、個片化して半導体チップとし、該半導体チップを基板又は他の半導体チップにフリップチップ実装する一連の工程において連続して用いられる半導体加工用接着シートであって、接着剤層と基材層とを有し、前記接着剤層は、エポキシ樹脂と硬化剤と無機充填材とを含有し、動的粘弾性測定装置により測定した−15〜10℃における貯蔵弾性率が40〜70MPaの範囲内にあり、70〜80℃における貯蔵弾性率が0.01〜0.2MPaの範囲内にある半導体加工用接着シート。 (もっと読む)


【課題】チップ間に保護材を有する信頼性の高いチップオンチップ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態によるチップオンチップ構造体は、対向する第1のチップおよび第2のチップと、前記第1のチップの前記第2のチップ側の面上の第1の電極端子と、前記第2のチップの前記第1のチップ側の面上の第2の電極端子と、前記第1の電極端子と前記第2の電極端子とを電気的に接続するバンプと、前記第1のチップと前記第2のチップの間の前記バンプの周囲に形成され、感熱接着性を有する材料からなる層を含む保護材と、を有する。 (もっと読む)


【課題】低溶融粘度化によって、チップ搭載温度の低温化への対応および超音波振動を利用したフリップチップ接続方式への対応が可能となるフィルム状接着剤およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】(a)重量平均分子量が10000より大きく、常温(25℃)において固形である樹脂、(b)絶縁性球状無機フィラー、(c)エポキシ樹脂、(d)硬化剤を必須成分とするフィルム状接着剤であって、50〜250℃のいずれかの温度で最低溶融粘度が200Pa・s以下であり、硬化物の25〜260℃における平均線膨張係数が200×10−6/℃以下であるフィルム状接着剤。該フィルム状接着剤を使用する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


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