【課題】経時的に安定な可撓性を有するとともに、カルボン酸によるフラックス機能を十分に発揮し得るシート状封止組成物及びこれを用いる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シート状封止組成物２は、重量平均分子量が１０万以上の熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、ｐＫａが３．５以上であるカルボキシル基含有化合物であり、半導体ウェハ３をダイシングした該シート状封止組成物付きの半導体素子からなる半導体装置２０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の実装時に半導体素子と被着体との電気的接続を良好に行い、接続信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、アンダーフィル材を備える封止シートを準備する工程と、半導体ウェハの接続部材形成面と上記封止シートとを貼り合わせる工程と、上記半導体ウェハをダイシングして上記半導体素子を形成する工程と、上記被着体と上記半導体素子の間の空間をアンダーフィル材で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する工程とを含み、上記接続工程は、上記接続部材と上記被着体とを下記条件（１）の温度α下で接触させる工程と、上記接触した接続部材を上記被着体に下記条件（２）の温度β下で固定する工程とを含む。
条件（１）：接続部材の融点−１００℃≦α＜接続部材の融点
条件（２）：接続部材の融点≦β≦接続部材の融点＋１００℃ （もっと読む）

【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、導電性接着剤層３ｂに含有される接着剤組成物４ｂが、（ａ）フィルム形成材、（ｂ）エポキシ樹脂、（ｃ）潜在性硬化剤及び（ｄ）平均粒径が１μｍ以下である絶縁性微粒子を含み、絶縁性微粒子の配合量が、導電性接着剤層に含有される接着剤組成物の全質量１００質量部に対して、１０〜５０質量部である回路接続用接着フィルム１０に関する。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制し、かつ、半導体チップ上面への這い上がりを生じにくい電子部品用接着剤を提供する。また、該電子部品用接着剤を用いた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、無機充填剤とを含有する電子部品用接着剤であって、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定した５ｒｐｍでの粘度をＡ１（Ｐａ・ｓ）、０．５ｒｐｍでの粘度をＡ２（Ｐａ・ｓ）としたとき、Ａ１とＡ２／Ａ１とが図１の実線及び破線で囲まれた範囲内（ただし、実線上は含むが破線上は含まない）であり、前記硬化性化合物１００重量部に対して、前記硬化剤の配合量が５〜１５０重量部、前記無機充填剤の配合量が６０〜４００重量部である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】基板とＩＣチップとを良好に接続することができる回路部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電粒子を含有する導電性接着剤５によってＩＣチップ４をガラス基板３１に接続してなる回路部品１において、ＩＣチップ４の実装面４１には、バンプ電極４２と、バンプ電極４２が形成された部分を除く非電極面４３とが設けられている。このような回路部品１において、ガラス基板３１の表面と非電極面４３との間に、ガラス基板３１の表面及び非電極面４３の双方に接する第１の状態の導電粒子を配置する。また、ガラス基板３１の表面とバンプ電極４２との間に、第１の状態よりも扁平な第２の状態でバンプ電極４２に食い込んでいる導電粒子を配置する。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、絶縁性接着剤層３ａの厚みＴｉと、導電性接着剤層３ｂの厚みＴｃとが、下記式（１）の関係を満たす回路接続用接着フィルム１０に関する。
Ｔｉ／Ｔｃ≧１．５ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】接着剤が付着した半導体チップ個片を効率的に得ると共に、半導体チップと配線基板とを良好に接続する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、半導体ウェハ６の回路面６ａがダイシングテープ９側を向くように、ダイシングテープ９、接着剤層３及び半導体ウェハ６がこの順に積層された積層体６０を準備する。半導体ウェハ６の裏面６ｂから回路面６ａの回路パターンＰを認識することによってカット位置を認識する。少なくとも半導体ウェハ６及び接着剤層３を、積層体６０の厚み方向に切断する。切断後、ダイシングテープ９と接着剤層３とを剥離させることによって半導体チップ２６を作製する。この半導体チップ２６の突出電極４と、配線基板４０の配線１２とを位置合わせする。配線１２と突出電極４とが電気的に接続されるように、配線基板４０と半導体チップ２６とを接着剤層２３を介して接続する。 （もっと読む）

【課題】ボイドを抑制して高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップを、接合材を介して基板上に位置合わせする位置合わせ工程と、半田溶融点よりも低い温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを接触させ、かつ、前記接合材を完全には硬化させない接触工程と、完全には硬化していない前記接合材を、加圧雰囲気下で加熱してボイドを除去するボイド除去工程と、半田溶融点以上の温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを溶融接合させる電極接合工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い機械的強度を得ることができると共に、塗布形状の保持性を高く得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子２を基板３に実装して形成された半導体装置４に関する。室温で液状のエポキシ樹脂組成物１を前記半導体素子２の周囲又はその一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子２と前記基板３とが接着されている。前記半導体素子２と前記基板３との隙間の全体にわたって充填させないようにしている。前記エポキシ樹脂組成物１が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する。前記無機充填材として、平均アスペクト比が２〜１５０の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物１全量に対して０．１〜３０質量％含有されている。前記エポキシ樹脂組成物１のチクソ指数が３．０〜８．０である。 （もっと読む）

【課題】接着フィルムと半導体ウエハとを貼り合わせる際のボイドを抑制し、高い接合信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルムの接着剤層と半導体ウエハとを１ｃｍ以下のクリアランスで対向させる工程と、５０〜１００℃、１００００Ｐａ以下の加熱真空下、前記接着フィルムの接着剤層と前記半導体ウエハとを０．１〜１ＭＰａの圧力で貼り合わせる工程と、接着剤層付きの半導体ウエハを得る工程と、前記接着剤層付きの半導体ウエハを接着剤層付きの半導体チップに個片化する工程と、前記接着剤層付きの半導体チップを実装する工程とを有し、前記接着フィルムの接着剤層は、半導体ウエハに貼り合わされる側の表面のプローブタック法で測定したタック値が、貼り合わせ温度において１００ｇｆ／５ｍｍφ以上である半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のＩ／Ｏ系および非Ｉ／Ｏ系の電源およびＧＮＤをバランス良く強化して、低電圧動作性能および高速動作性能を向上させること。
【解決手段】配線基板２の一面は、接続パッド６Ａの列を取り囲むように形成され、かつＶＳＳ用接続パッド６Ａ−１と配線１６を介して接続されたＶＳＳ用面状導体パターン１８を備える。配線基板２の他面は、複数のＶＳＳＱ用外部端子７−３を連結するように配置されたＶＳＳＱ用面状導体パターン２１と、複数のＶＤＤＱ用外部端子７−４を連結するように配置されたＶＤＤＱ用面状導体パターン２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２とベース材３との積層構造を有する。半導体チップ２の表面上に電極２１が形成されており、ベース材３の表面上に電極３１が形成されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とが対向すると共に電極２１と電極３１とが突起電極４を介して電気的に接続されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域Ｂ以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル５に分断領域６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション（ＥＭ）の耐性があり、ハイエンドの半導体チップにも採用できるようなプロセスとして、半導体チップを３次元積層アセンブリへと多段に形成していく、はんだ接合プロセスの提供。
【解決手段】
電気接合部に異なる融点をもつ２種のはんだを積層させて構成しておき、３次元積層アセンブリを作成するにあたって、チップ積層時（一次）は低温はんだのみを溶融して積層接合して、アンダーフィルによって封止する。マザーボードへの積層時（二次）は高温はんだを溶融させる。マザーボードへの二次実装時においてもそのギャップとバンプ形状を保持することができる。 （もっと読む）

【課題】 モールドアンダーフィル（Ｍｏｌｄｅｄ Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ；ＭＵＦ）工程のマスキングテープ用粘着剤組成物、およびこれを用いたマスキングテープの提供。
【解決手段】 本発明のモールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物およびそれを用いたマスキングテープは、改善されたアクリル離型粘着層を構成することにより、既存のアクリル離型粘着層のＰＣＢ表面粘着剤残渣（ｒｅｓｉｄｕｅ）および封止材（ＥＭＣ）の種類による表面の跡の問題を改善することができる。これにより、ＰＣＢ表面への粘着剤残渣を防いで、工程不良率を下げることができ、各種のＥＭＣによる表面の跡の問題を改善してＭＵＦ工程に用いられる様々な封止材への適用が可能であるというメリットがある。 （もっと読む）

【課題】基板と半導体との間隙への含浸性に優れ、ボイドの発生が抑制された液状エポキシ樹脂組成物を選択する選択方法、及び該液状エポキシ樹脂組成物を用いた信頼性に優れる半導体装置等の電子部品装置を提供する。
【解決手段】フリップチップ封止用の液状エポキシ樹脂組成物の選択方法を、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなる群を準備する工程と、前記液状エポキシ樹脂組成物の含浸温度における粘度及び表面張力をそれぞれ測定する工程と、測定された前記粘度が０．１３Ｐａ・ｓ以下であり、測定された前記表面張力が２５ｍＮ／ｍ以上である液状エポキシ樹脂組成物を選択する工程とを有して構成する。また選択された液状エポキシ樹脂組成物の硬化物を、基板と該基板にフリップチップ実装された半導体素子との間隙に充填して電子部品装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 ２００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイド発生を抑制し、且つ、基板配線上にメッキされたスズの酸化による導電性物質の生成を抑制する効果を付与することで、高絶縁信頼性を発揮する半導体用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 （ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤と、（ｃ）酸化防止剤と、を含有する、半導体用接着剤組成物であり、前記（ｃ）酸化防止剤がヒンダードフェノール類を含む、半導体用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ディスペンス性に優れ、電極接合を良好に行って信頼性の高い半導体チップ実装体を製造することのできるフリップチップ実装用封止剤を提供する。また、該フリップチップ実装用封止剤を用いた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】エポキシ化合物、エポキシ硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤及び粘度調整剤を含有し、前記粘度調整剤は、熱可塑性樹脂粒子又は反応性モノマーであり、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定した粘度が１０〜２００Ｐａ・ｓであり、１５０℃でレオメーターを用いて測定した溶融粘度が１００〜１００００Ｐａ・ｓであるフリップチップ実装用封止剤。 （もっと読む）

【課題】半田ボールが予め実装された電極側の半田フラッシュを防止できる基板モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】基板モジュール１の製造方法は、電子部品２の表面に設けられた第１の電極２１に実装する、少なくとも錫成分を含む半田ボール４の表面に、半田ボールの比重よりも重く、高融点の銅粒子６１を含む半田ペースト６を付着させる工程を有する。更に、製造方法は、第１の電極が設けられた電子部品の表面を上側に向ける工程を有する。更に、製造方法は、半田ボールを加熱して溶融させ、半田ボールの表面上に付着させた銅粒子を半田ボール内に沈殿させる工程を有する。更に、製造方法は、沈殿した銅粒子と半田ボールの錫成分とで、半田ボールを実装した第１の電極との界面に、半田ボールの融点よりも高融点の第１の金属間化合物層４１を形成する工程を有する。 （もっと読む）