【課題】電子部品やプリント回路基板に特殊構造を付加すること無く、柔軟性を有する多数の電極構造を一括して形成できるインタポーザの構造およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】インタポーザは、シート状の基材１４と、所定の配列で基材に固定された複数のバネ電極１２とを有する。バネ電極の各々は、基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッド１２ａと、基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第２のパッド１２ｂと、基材を貫通して第１の面側及び第２の面側に延在し、第１のパッドの一端と第２のパッドの一端を接続するポスト１２ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの積層数が多くなっても、フィレットの水平方向の拡がりを大きくすることなく最上段の半導体チップの端面までアンダーフィル材を供給でき、半導体装置の大型化、配線基板の汚染、アンダーフィル材の上段の半導体チップ間への充填不良等を防止することができる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置１０は、配線基板２と、配線基板２上にフリップチップ接続により多段に積層された複数の半導体素子１ａ〜１ｅと、配線基板２の外周部に立設され、半導体素子１ａ〜１ｅを囲繞する側壁５と、積層された複数の半導体素子１ａ〜１ｅと側壁５との間隙、及び配線基板２と半導体素子１ａ〜１ｅの各間隙に充填されたアンダーフィル材６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】信号特性の劣化を抑制した半導体チップを提供する。
【解決手段】半導体基板１１の少なくとも一方の面に形成された終端パッド１５と、一端が終端パッド１５と接続されて、半導体基板１１を貫通して形成された伝送体１４と、ミリ波帯高周波信号が伝送体１４を伝送した際の信号特性の劣化を抑制する少なくとも１つ以上の信号劣化抑制部と、を備える。また、上記半導体チップ１０と、低周波信号又は直流バイアスの少なくとも１つの信号の伝導路をなす低周波用の信号線路が設けられると共に、半導体チップ１０がバンプ接続に搭載されて、低周波信号用の信号線路を介した信号を半導体チップ１０に入出力されるチップ搭載基板２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】機械強度を十分に確保した状態で、より容易に、フリップチップ実装ができるようにする。
【解決手段】実装構造では、接続対象の第１電極１０３および第２電極１０４のいずれかの接続面の隅に配置された少なくとも１つのスペーサ１０５を備える。複数のスペーサ１０５を用いる場合、各スペーサ１０５は、同じ高さ（厚さ）に形成されていればよい。また、電極間を接着して電気的に接続する接続層１０６は、接続対象の第１電極１０３の接続面と第２電極１０４の接続面との間の、複数のスペーサ１０５に囲われた領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】電子部品の生じた熱を金属板及びモールド樹脂を介して効率よく放熱でき、且つ、電気絶縁性を確保することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、両面に電極を有する電子部品２０と、電子部品２０が配置され、電極の一方と電気的に接続された基板３０と、電子部品２０上に配置され、電極の他方と電気的に接続された金属板４０と、電子部品２０、基板３０の少なくとも一部、金属板４０を一体的に封止するモールド樹脂５０を備える。そして、対向配置された２つの部材としての、電子部品２０と基板３０との間、及び、電子部品２０と金属板４０との間の少なくとも一方に、樹脂シート６０が配置される。樹脂シート６０は、ビアホール内に導電材料を配置してなる接続ビア６１を有し、樹脂シート６０を挟む２つの部材は、接続ビア６１に接しつつ接続ビア６１を介して接合される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと配線基板との接続信頼性が高い半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本半導体パッケージは、複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記半導体チップを搭載する、複数の電極パッドを有する配線基板と、を有し、前記半導体チップの複数の電極パッドは、第１電極パッドと、前記第１電極パッドよりも外周側に配置された第２電極パッドと、を含み、前記配線基板の複数の電極パッドは、第３電極パッドと、前記第３電極パッドよりも外周側に配置された第４電極パッドと、を含み、前記第１電極パッドと前記第３電極パッドとは、接合部を介して接続されており、前記第２電極パッドと前記第４電極パッドとは、ピンを含む接合部を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】 バンプ部分のボイドが十分に低減されており、なおかつ研削後の反りを十分小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、そのような接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法、及び半導体素子付き半導体ウェハの製造方法の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの回路面上に、液状感光性接着剤を塗布して感光性接着剤層を形成する工程と、感光性接着剤層を光照射によりＢステージ化して接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 （もっと読む）