【課題】はんだバンプ表面の酸化膜を良好に除去しつつ、半導体素子の反り等を防止し、はんだバンプの接続性向上を可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ５との間の隙間をスペーサ突起４により保持しつつ、第２の半導体チップ５のはんだバンプ３と第１の半導体チップ２の金属電極１とを仮固定する。次いで、仮固定された積層体を、荷重を負荷しながらギ酸等のカルボン酸ガス雰囲気で加熱し、はんだバンプ３表面の酸化膜を還元・除去しつつはんだバンプ３の接合を行う。 （もっと読む）

【課題】より簡便に樹脂突起に形成された凹部の深さ（樹脂の除去量）を検査することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の面を有する半導体基板と、前記第１の面に位置する第１電極及び第２電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起及び第２樹脂突起と、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆い、前記第１電極に接続された第１配線と、前記第１樹脂突起の第２の部分を覆い、前記第２電極に接続された第２配線と、を有する構造体を用意する第１工程と、前記第１樹脂突起の前記第１の部分と前記第２の部分の間の第３の部分の一部と、前記第２樹脂突起の少なくとも一部と、を同時にエッチングする第２工程と、前記第２工程後の前記第２樹脂突起の形状から、前記第２工程のエッチングにおける前記第３の部分の除去量が適正であるかを判断する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低いリフロー温度で信頼性良く接合できる接合部を備えた半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子１１上に形成された第１電極１２と、基板２１上に形成された第２電極２２との上に、それぞれSn-Bi又はSn-Inを含むはんだ層１３、２３を形成し、これらのはんだ層１３、２３の間にSn-Ga合金ボール１４を、はんだ層１３、２３の融点よりも高く、且つSn-Ga合金ボール１４の融点よりも低い温度でリフロー接合する。リフロー接合の際にはんだ層１３、２３とSn-Ga合金ボール１４との界面にSn-Bi-Ga合金層１５又はSn-In-Ga合金層が形成され、Sn-Ga合金ボール１４からのGaを含む融液の拡散が阻止される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール３０は、セラミックス多層基板３００と、接合層３１０と、半導体素子３３０を備える。接合層３１０は、セラミックス多層基板１００側が平面状に形成されている薄膜層である。接合層３１０の絶縁接合部３１２は、半導体素子３３０側の端部からセラミックス多層基板３００側の端部に向けて先細な形状に形成されている。半導体素子１３０の実装時、半導体素子３３０の突状部３３５は窪み部３１６内に収められ、接合層３１０の導電接合部３１１と導通する。こうすれば、半導体素子３３０と接合層との接合面積を広く接合でき、多層基板と半導体素子との接合強度、絶縁性能を確保しつつ、半導体素子から多層基板への熱拡散性能を向上できる。 （もっと読む）

【課題】上下の半導体チップ間の隙間を維持しつつ、アンダーフィル樹脂の充填前における半導体チップ間の接続強度を高めることを可能にした積層型半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置１は、第１の半導体チップ２と、第１の半導体チップ２上に積層された第２の半導体チップ３とを具備する。第１および第２の半導体チップ２、３は、バンプ接続体６を介して電気的に接続されている。第１および第２の半導体チップ２、３の少なくとも一方には、ストッパ用突起７と接着用突起８とが設けられている。ストッパ用突起７は、第１および第２の半導体チップ２、３の他方に非接着状態で接触している。接着用突起８は、第１および第２の半導体チップ２、３に接着されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと配線基板との接続信頼性が高い半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本半導体パッケージは、複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記半導体チップを搭載する、複数の電極パッドを有する配線基板と、を有し、前記半導体チップの複数の電極パッドは、第１電極パッドと、前記第１電極パッドよりも外周側に配置された第２電極パッドと、を含み、前記配線基板の複数の電極パッドは、第３電極パッドと、前記第３電極パッドよりも外周側に配置された第４電極パッドと、を含み、前記第１電極パッドと前記第３電極パッドとは、接合部を介して接続されており、前記第２電極パッドと前記第４電極パッドとは、ピンを含む接合部を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】搬送中に、位置合わせされた基板と基板との相対位置がずれるといった課題がある。
【解決手段】基板貼り合せ方法は、仮接合部において、複数の基板を重ね合わせて複数の対向面および側面の少なくとも一方の一部を仮接合部材によって接合する仮接合段階と、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を、本接合部へ搬送する搬送段階と、前記本接合部において、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を本接合部材によって本接合する本接合段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボールグリッドアレイのプリント配線板への固定のためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】ボールグリッドアレイ２００は、１つ以上の巻からなるスプリング２１６に取り付けられるように形成される１つ以上のボール２２６からなる。加えて、スプリングを整合および分離するように形成されるスペーサープレート２０８、２２８、はんだをプリント配線板上に整合するように形成されるはんだ補助材２３６、およびスプリングを介してボールグリッドアレイに取り付けられる導電性パッド２３４とともに形成されるプリント配線板２３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】チップパッケージとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施例は、チップパッケージの製造方法を提供する。複数のスクライブラインにより隔てられる複数のデバイス領域を有する半導体ウェハを提供する工程と、パッケージ基板を半導体ウェハに接合し、スペーサ層をパッケージ基板と半導体ウェハの間に設置して、スペーサ層は、それぞれデバイス領域を露出する複数のキャビティを区画し、半導体ウェハの外縁に隣接する複数の貫通孔を有する工程と、貫通孔中に、接着材料を充填し、スペーサ層は粘性を有し、材料は接着材料と異なる工程と、スクライブラインに沿って半導体ウェハ、パッケージ基板とスペーサ層をダイスして、互いに分離した複数のチップパッケージを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の信号処理を行う集積回路基板と配線基板とが簡易的かつ高精度に所定距離離間するようにしつつ、集積回路基板の基板表面に形成されたバンプと、集積回路基板の電極端子とを接合することが可能な電子回路を提供する。
【解決手段】波長がミリメートル単位以下である高周波信号の信号処理を行う信号処理回路を有し、基板表面２１ａに設けられた第１の電極端子２２上にバンプ２３が形成された集積回路基板２１と、集積回路基板２１に形成されたバンプ２３と接合される第２の電極端子１２が形成された配線基板１１とを備え、配線基板１１には、集積回路基板２１と所定距離離間させる絶縁性の樹脂スペーサ１３ａが、集積回路基板２１の信号処理回路の回路パターンに重畳しない位置であって、配線基板１１の基板表面１１ａの同一直線上とならない３つ以上の位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの能動表面上に形成された複数のバンプを有する、半導体ダイを提供するステップと、基板を提供するステップと、前記基板上に相互接続部位を伴う複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記接続部位から離れた前記基板の領域上にマスキング層を形成するステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップと、を含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】微細ピッチ技術に適用可能なフリップチップボンデッドパッケージを提供する。
【解決手段】２列に、かつ互いにジグザグに配列されるボンディングパッドを有する半導体チップ１０ａと、半導体チップ１０ａ上の、隣接する３つのボンディングパッド毎に３つのパッド間の領域及びその３つのパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポスト５０ａと、絶縁ポスト５０ａによって覆われていないボンディングパッドの部分及びこれに隣接した絶縁ポスト５０ａの部分上に形成された信号接続金属部材５２ａと、半導体チップ１０ａが絶縁ポスト５０ａ及び信号接続金属部材５２ａによってフリップチップボンディングされ、第１面に電極を有し、第２面にボールランドを有する基板と、半導体チップ１０ａと基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、各ボールランド上に付着されたソルダボールとを備える。 （もっと読む）

【課題】実装基板およびこれに実装される電子部品のリフロー時の反りを抑える。
【解決手段】実装基板４と電子部品３との間にスペーサー１を配置するとともに、スペーサーの配置位置とは異なる位置に、実装基板と電子部品とを接合する接着剤２を配置した。実装基板と電子部品の少なくとも一方に、はんだボール、スペーサーを配置するとともに、スペーサーの配置位置とは異なる位置に熱硬化型接着剤を塗布し、その後、実装基板上に電子部品を搭載し、加熱処理により、熱硬化型接着剤を硬化させた後に、はんだボールを溶融させる。 （もっと読む）

【課題】半田付けと補強樹脂の熱硬化を同一の加熱工程で行うに際しての、補強樹脂の硬化時の熱収縮の影響を小さく抑えることができる電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】プリント基板２と、プリント基板２上に半田ボール３を介して実装された平面形状が正方形状の電子部品４と、プリント基板２と電子部品４との両方に跨って塗布形成された補強樹脂５とを備えた電子部品の実装構造体１である。電子部品４の上面の法線方向から見た場合に、補強樹脂５は、電子部品４の上面の各角部を起点として各辺に沿って時計回りに隣の角部に到達しない長さで塗布形成されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板の回路基板に対する実装高さをより大きくすることによりパッケージ基板と回路基板との間の接続信頼性を高めるに当り、所望の実装高さを容易に達成することができる手段を提供する。
【解決手段】熱膨張率が異なる第１基板２７と第２基板２４とが半田材２８により加熱接合されて形成される回路基板ユニットであって、第１基板２７と第２基板２４との間に配置され、熱膨張性材１１と熱硬化性材１２から形成されるスペーサ１０を備え、熱硬化性材１２の硬化温度は前記半田材２８の融点よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ショートの発生を抑制し、良好な導通状態を実現する接続方法及び接続構造体並びに接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１の接続面１１には、導電性粒子の移動方向を制御するガイド面部１３１，１３２を備えた誘導板１３が形成されている。誘導板１３は、隣接する配線電極１２間領域を介して対峙する領域の一方に立設される。ガイド面部１３１，１３２は、誘導板１３の立設方向と直交する側面方向が配線電極１２を向く。熱加圧によって異方性導電フィルムを介してガラス基板１とＩＣチップとを圧着接続し、配線電極１２とバンプとを異方性導電接続させる。 （もっと読む）

【課題】CSP,BGA等のようなはんだバンプを有するLSIパッケージをプリント基板に実装する際、LSIパッケージが熱により反り返っても、良好なはんだ接続部を形成する。
【解決手段】LSIパッケージ1のパッド4には、コア部31及びコーティング部32からなるコア入りはんだバンプ3が配置されている。コア部31及びコーティング部32は組成の異なるはんだ合金から構成され、コーティング部32の方が融点が低くなっている。従って、熱処理を開始すると、先ず、LSIパッケージ1の反り返りが小さな段階で、コーティング部32が溶融し、コア部31及びはんだペースト7に濡れた状態となる。その後、温度が上昇して反り返りが大きくなっても、コア部31とはんだペースト７とは、溶融したコーティング部32によって接続された状態が保たれる。従って、コア部31，はんだペースト7の溶融温度となると、それらが１つに凝集し、良好なはんだ接続部が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを挟む２枚の配線基板の間隔を一定に保持するとともに、該２枚の配線基板の接合位置を高精度に決めることのできる半導体装置及び半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップが実装された第１配線基板１０、及び第２の配線基板２０に、それぞれ対向する第１の孔部１１及び第２の孔部２１が設けられ、それらの孔部に金属球３０を設置して、前記第１及び第２の配線基板１０、２０と前記金属球３０の接触部分を互いに接合した。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の破損を抑制すること。
【解決手段】上面に凹部１８を備える基板１０の前記凹部１８内に第１半導体素子３０を実装する工程と、前記第１半導体素子３０の上面上に弾性体４０を配置する工程と、第２半導体素子５０の下面が前記弾性体４０の上面に接するように前記第２半導体素子５０の上面に荷重をかけて前記第２半導体素子５０を前記基板１０に接合する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アウトガスによる影響を防止することで電子部品特性の低下を防止可能な、電子デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの凹部又は少なくとも１つの凸部からなる立体形状１７を有する接続電極３３，３４を有する基材３に電子部品１を実装する電子部品１の実装構造体２である。電子部品１は、所定の機能を有する機能片１１と、機能片１１に電気的に接続される導電部を含む被覆膜２５，２６により表面が覆われてなる第１の樹脂突起部２４と、第１の樹脂突起部２４により囲まれる領域の内側に設けられ、少なくとも表面に接着性を有する第２の樹脂突起部１５と、を有している。第２の樹脂突起部１５は、第１の樹脂突起部２４の弾性変形により被覆膜２５，２６における導電部を接続電極３３，３４に導電接触させ、立体形状１７と接続電極３３、３４に倣った状態に電子部品１を前記基材３に実装する。 （もっと読む）