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Fターム[5F044MM11]の内容

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Fターム[5F044MM11]に分類される特許

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【課題】放熱体と半導体装置との密着性を確保することで放熱性を維持しつつ、放熱体の加工を容易とすることで、コストの抑制を図ることができるドライバモジュール構造およびドライバモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】PDPドライバ1は、配線パターン23が形成されたフレキシブル基板2と、フレキシブル基板2に実装された半導体装置3と、半導体装置3を収納する凹部41が形成された放熱体4とを備えている。そして、半導体装置3から放熱体4へ伝熱させるための熱伝導接着テープ5が、凹部41の開口部の一側に位置する接着面43から、半導体装置3と接着する凹部41の底面42を経由し、更に、凹部41の開口部の他側に位置する接着面44まで連続した一体ものとして設けられている。フレキシブル基板2と放熱体4とは、凹部41の開口縁部46の一部が、凹部41と外部との通気路Tとなる非密着状態である。 (もっと読む)


【課題】配線の断面形状を安定化して、接続信頼性を向上させる。
【解決手段】絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルム上に形成されるインナーリード部およびアウターリード部を含む配線と、を備えるプリント配線基板において、前記配線は、前記絶縁性フィルム上の銅箔層をエッチングして形成されるエッチング形成配線部と、前記絶縁性フィルム上に、金属ナノ粒子を主成分とする導電性インクを直接描画することにより形成される直接描画形成配線部と、から構成され、少なくとも前記インナーリード部が前記直接描画形成配線部であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】回路電極間の接続抵抗を低減しつつ、センサによる視認性を確保できる回路接続用接着フィルム、及びこれを用いた回路接続構造体を提供する。
【解決手段】この回路接続用接着フィルムは、対向する回路電極間に介在して回路電極同士を電気的に接続する接着剤層を有する回路接続用接着フィルムであって、(a)加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤、(b)ラジカル重合性物質、及び(c)フィルム形成性高分子を含有する接着剤成分と、プラスチックを核体とし、最外層に突起部を有すると共に、Ni、Ni合金及びNi酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む金属メッキに覆われた導電粒子と、CIELABにおける接着剤層のL*値を35以上にする顔料と、を含む。 (もっと読む)


【課題】接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上する。
【解決手段】絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記搬送用ホール形成工程と前記配線パターン形成工程との間に、前記銅箔層の表面、および前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光・現像して、レジストパターンを形成すると共に、前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、歩留まりを向上する、半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁フィルム2の銅箔層3が形成される面とは反対側の面に接着剤層4を介して絶縁フィルムに裏打ち層6を貼り合わせる工程と、絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリア1の製造方法において、接着剤層は、エッチング液に晒される露出した絶縁フィルムの側面から所定の距離を隔てた領域に接着剤層を形成しない非形成領域を有する。 (もっと読む)


【課題】放熱性を向上させるための金属層を有していても、高い折り曲げ性を有する半導体装置用フレキシブル基板を提供する。
【解決手段】絶縁ベースフィルム基材2と、該絶縁ベースフィルム基材の表面に形成された配線パターン3と、該配線パターンの表面を被覆する絶縁保護膜4と、該絶縁保護膜上に形成された接着剤層5と、該接着剤層により前記絶縁保護膜に接着された金属層6とを有してなる半導体装置用フレキシブル基板であって、前記接着剤層の弾性率が1.0MPa以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置用テープキャリアにおける金の使用量を減らすことで、その材料コストの低減を図り、コスト低減を可能とした半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔をパターン加工してなる導体パターンを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記導体パターンの半導体チップとの接合箇所にナノメートルサイズの金微粒子を焼結した焼結膜とを備え、その焼結膜下にはパラジウム皮膜を備える。 (もっと読む)


【課題】吸湿によるテープの寸法変動を抑えることが可能な半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置用テープキャリア10は、フレキシブルな絶縁基材1と、前記絶縁基材の表面に形成された、インナーリード3及びアウターリード4,5を有する配線パターン2と、前記配線パターン2の表面に形成された、前記配線パターン2を絶縁保護する絶縁保護材6と、前記絶縁基材1の裏面に設けられた、前記絶縁基材1より吸水率が低い絶縁材料からなる低吸水材層を有する裏面基材8とを備えている。 (もっと読む)


【課題】ビアホールの径に係らずビア底面の接合面積を大きくすることにより、導通不良を低減させた半導体装置用TABテープ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ビアホール内の接着材を絶縁性基板に形成した開口径よりも広く(断面で見た場合に、前記開口径よりも外側に)なるように溶解したために、ビア底面、つまり、ビアホール内の第1導体パターンのめっき形成面を広く取ることができ、接合面積を大きくすることができるため、ビアの導通不良を低減させることが可能であり信頼性の高い半導体装置用TABテープを提供することができる。 (もっと読む)


【課題】表面平滑性の高い金属箔への密着性、ポリアミック酸をイミド化させる際の発泡の抑制、イミド化時の金属箔への防錆効果及びハンダ耐熱性に優れた、銅張積層板に有用なプライマー樹脂を提供する。
【解決手段】表面粗さ(Rz)が2μm以下である表面平滑性の高い金属箔とキャスト法により形成されるイミド樹脂層との接着性を確保するためのプライマー層用樹脂であって、下記式(1)


(式(1)中、R1はフェニルエーテル骨格を有する4価の芳香族基からなり、R2はフェニルエーテル類及びアミノフェノール類からなる2価の芳香族基であり、nは繰り返し数を表す。)で表されるポリイミド樹脂。 (もっと読む)


【課題】半導体製造装置の製造技術において、PETおよびPEN等の耐熱性に劣るものの、実用性に富むプラスチック基材を用いることを可能にする。
【解決手段】本発明に係る製造装置50は、半導体チップ10をパッケージキャリア基材1にフリップチップ実装することによって、半導体装置10を製造する。パッケージキャリア基材1は、半導体チップ端子8とパッケージキャリア端子2とを共晶接合するために必要な温度よりも低いガラス転移点温度を有するプラスチック基材によって出来ている。製造装置50において、パッケージキャリア基材1を挟む上側クランパー6’および下側クランパー7’のうち少なくともいずれかには、冷却機構15が備えられている。この冷却機構15によって、パッケージキャリア基材1を前記共晶接合に必要な温度以下に冷却する。 (もっと読む)


【課題】開口ヘの銅めっき充填を従来よりも高い電流密度で行いつつも、めっき厚さ分布を良好にすることにより、テープキャリアの生産性を向上させ、接続信頼性を高める半導体装置用テープキャリアの製造方法および半導体装置用テープキャリアを提供する。
【解決手段】絶縁フィルムを厚さ方向に貫通する開口を設ける工程と、前記絶縁フィルムの下面に前記開口越しにて前記銅箔を露出させる工程と、前記開口の深さを小とするめっき充填工程と、前記めっき充填工程の後に、導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンに表面めっき処理層を形成する工程と、を有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記めっき充填工程時に使用する銅めっき液は硫酸銅系の電解銅めっき液であり、添加剤成分として平滑化剤を含む。 (もっと読む)


【課題】 耐折性や曲げ応力特性の悪化を招くことなく熱放散性を向上せしめることを可能とした半導体装置用テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基材1と、前記絶縁性フィルム基材1の片面に設けられた配線パターン2と、前記絶縁性フィルム基材1における前記片面とは反対側の面に設けられた、当該半導体装置用テープキャリアにおける熱放散性を高めるための放熱板4とを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記放熱板4が、当該半導体装置用テープキャリアにおける曲げ応力特性を調節するためのパターン間スペース3のようなスリットおよび/または開口を設けてなるものであることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を半導体キャリアに接合したフリップチップ方式の半導体装置において、半導体素子と半導体キャリアとの間の接合不良を防止して実装信頼性を向上させる構造体を提供する。
【解決手段】半導体キャリア6の上面に配置された複数の電極部4及び5に対して導電性を有する複数の突起電極2を介して、半導体素子1が電気的に接続されている。半導体キャリアの上面において各電極部4及び5は等間隔で配置されている。半導体素子1と半導体キャリア6との隙間には絶縁性樹脂3が充填されている。尚、半導体素子1は、半導体キャリア6の上面上にフェイスダウンで搭載されていると共に例えば熱硬化性樹脂等の絶縁性樹脂13によって覆われている。 (もっと読む)


【課題】硬化前には良好な保存安定性を有しており、加熱による硬化後には、優れた接着性および耐熱性を発揮することができる熱硬化型接着剤組成物を提供する。また、該熱硬化型接着剤組成物による熱硬化型接着剤層を有する熱硬化型接着テープ又はシートを提供する。
【解決手段】本発明の熱硬化型接着剤組成物は、アクリル系ポリマー(X)100重量部に対して、フェノール樹脂(Y)1〜60重量部及びヘキサメチレンテトラミン(Z)1〜25重量部を含有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 導体パターンの銅食われや錫めっき層における純錫部の厚さ異常を生じる虞がなく、かつ工程数の増大や製造工程の煩雑化等を招くことなしに高温硬化型のソルダレジストのような絶縁性被膜を採用することができる半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置用テープキャリア9は、絶縁性フィルム基板3と、その絶縁性フィルム基板3の表面上に形成された、純銅または銅系材料からなる少なくとも配線部と外部接続用端子部とを有する導体パターン6と、その導体パターン6における配線部および外部接続用端子部の表面に形成された単層の錫めっき層7と、導体パターン6における配線部の表面に形成された錫めっき層7の表面上、および絶縁性フィルム基板3における導体パターン6で覆われていない部分の表面上の、所定部分を覆うように形成された、硬化温度が140℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜8とを備えている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子とガラス基板を貼り合わせた際に反り等の変形がない半導体素子とガラス基板との貼り合わせに用いる接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、前記エポキシ樹脂を硬化させる硬化剤と、ガラス転移温度が6℃を超え、かつ、45℃未満のポリエステル樹脂とを有する接着剤30であり、ポリエステル樹脂は軟化点が105℃以上であり、さらにフェノキシ樹脂、導電性粒子31が添加されたが添加されている接着剤組成物、および該接着剤で基板10と半導体素子20が接着されている電気装置1。 (もっと読む)


【課題】 熱可塑性樹脂を主成分とする状接合材料において、接合信頼性を確保する熱圧着装置を提供するする。
【解決手段】 熱圧着装置1は、導電性粒子Rが塗布されたフィルムを移動するロール装置30と、凹凸表面を有する圧着治具20と、導電性粒子Rを溜めるための貯蔵器40と、圧着治具20の凹凸表面を貯蔵器40に対向させて導電性粒子Rを付着させる第1の手段と、前記第1の手段により導電性粒子Rが付着した圧着治具20の凹凸表面をフィルム34に対向させて加圧させる第2の手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】従来のTAB用テープと比べて、回路の高密度化およびICチップの積載数を向上させることができるTAB用テープを提供すること。
【解決手段】幅200mm以上の有機絶縁フィルム上に、接着剤層及び保護層を有するTAB用テープ。 (もっと読む)


【課題】送り精度を向上できるようにしたフィルム状接着剤及びその搬送方法を提供する。
【解決手段】ACF部1と、ACF部1の一方の面に重なり合うセパレータ部3とを有するACFリール10であって、当該ACFリール10を自身の長手方向に送り出すためのパーフォレーションホール5を備える。このような構成であれば、パーフォレーションホール5にピンを挿し込んで当該ピンを長手方向に移動させることによって、ACFリール10を長手方向に搬送することができる。また、ACFリール10の搬送中はパーフォレーションホール5にピンが嵌挿されているため、ACFリール10の位置ズレやスリップを防ぐことができる。 (もっと読む)


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