【課題】フリップチップ実装の半導体装置において、パッケージ外部の設計を変更せずに、特定の端子の電位を変更できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、外部端子にバンプを備えるＩＣチップと、前記ＩＣチップを搭載するパッケージとを備え、前記パッケージは、前記外部端子に第１の信号又は第２の信号を印加するインナーリード部を備える。前記インナーリード部は、前記ＩＣチップの搭載位置により、前記外部端子に印加する信号を、前記第１の信号又は前記第２の信号に変更可能なインナーリードのパターンを有する。 （もっと読む）

【課題】リード配線のずれによるショートやリークを防止する。
【解決手段】半導体装置は、第１，第２突起電極６ａ，６ｂの並び方向を第１方向し、第１突起電極６ａとの接合部の第１方向の幅が第１突起電極６ａの幅以上である第１インナーリード配線１０ａと、第２突起電極６ｂと接合される第２インナーリード配線１０ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】高密度化する電子部品の実装技術において、より簡便な方法で、より高品質、より高信頼性の接続構造を提供する。
【解決手段】電子部品１００の実装構造は、複数の電極１１を有する電子部品１０を、複数の電極１１がそれぞれ接合される複数の電極２１を有する電子部品２０に実装する構造であって、電極１１と電極２１とが接合されたそれぞれの接合面５０は、電極１１あるいは電極２１が配列されている実装面１０ｓ，２０ｓ方向に対して傾斜しており、接合面５０の傾斜方向は、少なくとも、第一の方向と、第二の方向とを有し、第一の方向と第二の方向は、電子部品１０を電子部品２０に実装した後に、電子部品１０あるいは電子部品２０のいずれか一方が他方より高い収縮率で、実装面１０ｓ，２０ｓの方向に収縮した場合に、第一の方向の接合面５０と第二の方向の接合面５０とにそれぞれ応力が発生する方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】開口と、当該開口に先端が延在しているリードとを有するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープにおけるリード変形を軽減する。
【解決手段】開口１２を有する絶縁性フィルム６と、絶縁性フィルム６上から開口１２内に延在し、半導体チップに環状に配置された複数の第１パッド各々に開口１２内で接続する複数の第１リード３ａ、及び、第１パッドよりも外周側に環状に配置された複数の第２パット各々に開口１２内で接続する複数の第２リード３ｂと、開口１２内に位置し、複数の第１リード３ａと繋がり、第２リード３ｂとは繋がらないリード端部保持部材１３とを有するＴＡＢテープ。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル配線基板を用いたＢＧＡ型の半導体装置で特に１層配線構造のものに関して、フレキシブル配線基板の一面側と他面側での熱膨張係数の違いを小さくして、反りの発生を抑制する。
【解決手段】この半導体装置は、一主面に電極パッド３を含む回路が形成された半導体チップ２と、該一主面と接着され、該回路と電気的に接続されたフレキシブル配線基板４とを有する。配線基板４は、半導体チップ２の一主面が接着される側の第一の面と該第一の面とは反対側の第二の面とを持つフレキシブルな絶縁基材４１と、該第一の面に形成され前記の回路と電気的に接続された配線層の配線４２と、該第二の面に配置され、該第二の面に配線層を設けることなく該第一の面における配線層の配線４２と電気的に接続された外部端子６と、該第二の面の、外部端子６に対応する部位を除いた全面に設けられた絶縁性の樹脂層４６とを有する。 （もっと読む）

【課題】異なるテストパッド数のＴＡＢテープであっても、同一の仕様のプローブカードを共用することを可能にする。
【解決手段】絶縁基板２上に形成されるリード４ａ，４ｂとリード４ａ，４ｂの外部接続用端子６ａ，６ｂに接続され所定の配列で配置される電気検査用のテストパッド７ａ，７ｂとを有するＴＡＢテープ１において、テストパッド７ｂの配列方向の端部の更に外側に、前記リードに接続されないダミーテストパッド８が、テストパッド７ｂと同一配列で配置されている。 （もっと読む）

【課題】低コストで高生産性に適した半導体装置用テープキャリアを提供すること。
【解決手段】半導体チップを搭載するために絶縁フィルム上に銅配線パターンが形成された半導体装置用テープキャリアにおいて、前記銅配線パターンは前記半導体チップのアルミ電極パッドに接続するためのインナーリードを有し、前記インナーリードには表面に金めっきが施され、前記金めっきの表面の（１１１）配向指数が１．０以上１．６以下であり、前記金めっきのめっき膜厚が０．１５μｍ以上０．２５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】μBGAのような半導体装置の製造方法において、配線基板の外周にめっき用配線を引き出すことによって配線できない箇所が生じるという課題を解消する。
【解決手段】配線基板４は、半導体チップの主面に配線基板４が接着された状態において該主面に垂直な方向から見てILB用開口部７のパッド１とは重ならない位置に配されるように開口部７を跨いでおり、かつ他の配線９に電気的に接続されためっき用配線１２−１を有する。そして、配線のめっき処理後、半導体チップの主面に配線基板４を接着し、開口部７内のめっき用配線１２−１をパッド１にボンディングせずにボンディングツールによって切断する。 （もっと読む）

【課題】 デバイスホールに突出するように設けられるフライングリードに寸法誤差や形状歪みや変形が発生することを抑制ないしは解消したプリント配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基材１の表面に、配線２と、デバイスホール４と、前記配線２に連なると共に前記デバイスホール４に突出するように設けられたフライングリード３とを有するプリント配線板であって、前記デバイスホール４が、少なくとも前記フライングリード３の先端を含むように設けられた第１のデバイスホール５（５ａ、５ｂ、５ｃ）と、当該第１のデバイスホール５よりも大きな面積を有し、かつ当該第１のデバイスホール５に対して少なくとも部分的に連続するように設けられた第２のデバイスホール６とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】 同時に入出力されるデータビット数が異なる半導体装置では、プリント基板の半田ボールと半導体チップのパッド位置が、左右の領域に分かれ、ボールとパッド間の配線ができなくなり、ビット数が異なる製品を、１つのチップで共用することができないという問題がある。
【解決手段】 同時に入出力されるデータビット数が８、１６、３２ビットのいずれかに変更可能で、複数のパッド電極がチップの中央部に少なくとも２列に配列された半導体チップを有した半導体装置は、前記複数のパッド電極の中の所定のパッド電極が、データ入出力数が１６ビットのときのみに使用される１６ビット専用のパッド電極と、データ入出力数が３２ビットのときのみに使用される３２ビット専用のパッド電極と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】空中配線部を有する両面配線板の製造方法において、製造時間を短縮するとともに製造コストを低減し、安定したチップとの接合が可能な配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の第１、第２主面とに第１及び第２導体膜とが設けられ、第２主面に接着剤がない両面銅張積層板を準備する工程と、第1導体膜と絶縁基板とを貫通するブラインドビアホールを形成する工程と、絶縁基板の第１主面側の表面全面に導電膜を形成する工程と、第１導体膜上及びブラインドビアホール内にめっきを形成する工程と、第１導体膜及び第２導体膜をパターニングして第１、第２導体パターンを形成する工程とを有し、導体パターンの形成工程の後、デバイスホール形成予定領域を除いた第１主面側及び第２主面側の表面全面にレジスト膜を形成する工程と、エッチングにより絶縁基板にデバイスホールを形成する工程と、レジスト膜を剥膜する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のウェットエッチングプロセスでは、エッチングが等方的に進行するので、アンダカットが生じて、配線パターンのトップ幅がボトム幅よりも細ってしまい、有効なボンディングを行うことが困難であった。また、アンダカットに起因したトップ幅の細りはリードの強度を不足させ、配線がデバイスホールに中空に形成された状態では、半導体チップとの接合が困難となる。
【解決手段】デバイスホールを有する絶縁性基板の片面に張り合わされた導体箔を、インヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングによってパターン加工することで、ボトム幅よりもトップ幅の方が広くなり、電極パッドに突き刺さるよう作用させ、デバイスホール内の絶縁性基板側で半導体チップの電極パッドに対して確実な接合を得ることができる。また、半導体チップを搭載する場合、デバイスホール内に半導体チップが格納されるように配置するため、パッケージの薄型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができるテープキャリア基板を提供する。
【解決手段】テープキャリア基材と、その幅方向に直線状に形成された第１及び第２の端子部と、テープキャリア基材の一方の辺に、第１及び第２の端子部と平行に形成された第１の切り欠き部と、その他方の辺に形成された第２の切り欠き部と、第１及び第２の端子部間に形成されたデバイスホールと、第１の端子部とデバイスホールとを接続する第１の導体配線と、第２の端子部とデバイスホールとを接続する第２の導体配線とを備え、第１の切り欠き部と第２の切り欠き部とは、互いに平行に形成されており、第１の切り欠き部の長さは、一方の辺から第２の切り欠き部の先端までの長さより長く、かつ、第２の切り欠き部の長さは、他方の辺から第１の切り欠き部の先端までの長さより長い。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のＡｕバンプと金錫共晶接合により接続される接続端子部を構成する配線をダウンセット加工して成形したときに、配線の形状をその成形により十分安定化させることができる、ＣＯＦテープを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスホールがないＣＯＦテープから構成される配線基板２上に半導体素子３を搭載するにあたり、接続部を構成する半導体素子３のＡｕバンプ４と配線基板２上の配線５のＳｎめっきされた接続端子部６とを加熱ツール７により接触加圧して加熱して金錫共晶接合により接続すると共に、接続部領域に位置する配線基板２の配線５と反対側の対応する面上に剛性の高い金属箔１４を設けて、金属箔１４とともに配線基板２上の配線５を接続部から遠ざかるようにダウンセット加工して成形するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＴＣＰ型半導体装置の製造コストを削減する方法を提供する。
【解決手段】ＴＣＰ型半導体装置は、ベースフィルムと、ベースフィルム上に搭載された半導体チップと、ベースフィルム上に形成され、半導体チップと電気的に接続された複数のリード３０と、を備える。複数のリード３０の各々は、外部に露出した外部端子部４０を有する。各リード３０の外部端子部４０は、厚さが第１厚さである第１部分４１と、厚さが第１厚さよりも小さい第２厚さである第２部分４２と、を含む。複数のリード３０のうち隣り合うリード間で、第１部分４１と第２部分４２とは互いに対向するように位置している。 （もっと読む）

【課題】 特にインナーリードにおけるトップ幅の細りやそれに起因した接合不良等の発生を解消して、パターン不良や短絡不良や絶縁信頼性の低下のような別の新たな不都合を生じることなしに、実装される半導体装置の電極パッドに対して確実な接合を得ることができるような十分に広いトップ幅を確保した、ファインパターンのインナーリードを備えた半導体装置用ＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用ＴＡＢテープでは、インナーリード６および配線パターン５が、有機化合物または無機化合物からなるインヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングプロセスによって導体箔１１をパターン加工することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐折性の優れた配線を有するプリント配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材１０の表面に、下地層２３と、この上にセミアディティブ法により形成された銅めっき層２４とを含む配線パターンを有するプリント配線基板であって、前記銅めっき層２４が、多層構造を有し、双晶粒径が５μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】熱収縮量の違いにより、バンプがインナーリードによって引っ張られるのを抑制し、バンプが傾くのを防止することができる半導体パッケージの提供。
【解決手段】ベースフィルム１２と半導体チップ２６を構成するシリコン材料とは熱膨張係数が異なるため、冷却時に収縮する量が相違する。ベースフィルムが半導体チップ２６より多く収縮することで、ベースフィルム１２によってインナーリード１８が引っ張られ、インナーリード１８に接続していた金バンプ３２も引っ張られる。これにより、金バンプ３２が傾くことが考えられる。しかし、金バンプ３２とは別個に補強バンプ４０を設けることで、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部が確保されるため、金バンプ３２に作用する引張力が、補強バンプ４０へ分散され、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、インナーリード長さの長短や先細り形状の発生を抑制することができる電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法及びフォトレジストパターンの設計方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るフォトレジストパターンの設計方法は、インナーリード６ａを形成するためのフォトレジストパターン２ａを設計する方法において、フォトレジストパターン２ａは、インナーリード６ａと同じ形状からなるパターンを幅方向に広げたインナーリードパターンと、インナーリードパターンの先端に形成された補正領域パターンとを有しており、補正領域パターンには穴１が形成されており、穴１とインナーリードパターンの先端との間には所定の距離Ｓが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）