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Fターム[5F044NN01]の内容

ボンディング (23,044) | フィルムキャリヤボンディング (1,094) | インナーリードボンディング (349)

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【課題】 半導体チップとTABテープの隙間に樹脂を流し込む場合に、ボイドが形成されること無く樹脂の充填を行うことのできる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ1の突起電極2を有する一主面とTABテープ14の配線4を有する一主面を対向させ、前記突起電極2に対応する前記配線4とを機械的電気的に接続する第1のステップと、前記半導体チップ1と前記TABテープ14の間に樹脂7を充填する第2のステップと、樹脂7の加熱硬化によって前記半導体チップ1と前記TABテープ14を接着する第3のステップを有する半導体装置の製造方法において、前記第2のステップでの前記樹脂7の充填時に、前記半導体チップ1と前記TABテープ14が、前記樹脂7の粘度低下開始温度以上で第3のステップの加熱硬化温度以下に保持される。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、素子の形成されている面における金属汚染量が少なく、信頼性の高い半導体装置を製造する半導体装置の製造方法、および当該方法により製造される半導体装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係わる半導体装置の製造方法は、特に(A)半導体チップとパッケージとの接合部をベークする時に、パッケージ表面から半導体チップ裏面に向けて金属が飛来しないように半導体チップの裏面に向けて気体を送る送風ステップと、(B)半導体チップの裏面にリード圧着台を接続する際に、半導体チップの裏面に対向する接合面にコーティング膜を有するリード圧着台を接続する圧着台接続ステップと、の少なくとも1つを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の規模が大きくなり、パッドの配列が半導体チップの中央部に2列配置されても、半導体チップのパッドとパッケージ基板のボールランドとを接続する配線が長くならない半導体装置を提供する。
【解決手段】パッドとボールランドとの接続をTABテープ開口部に設けた架橋部7−1〜7−5の配線により接続する。あるいは吊りパターン8,8−1〜8−4のTABリードを用いたダブルボンディングにより接続する。さらに吊りパターンをパッケージ基板の配線パターンと連結させ直接接続する。これらの接続により上側と下側に分離されたパッドとボールランドの接続が可能となる。パッドとボールランドとの接続が短い配線長で接続可能となり、高速動作可能な半導体装置が得られる。 (もっと読む)


【課題】導体配線の両側の絶縁基材上の領域に形成された部分の突起電極と絶縁基材との界面における、湿気に起因する突起電極の腐食を抑制し、高い接続信頼性を確保できる配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基材1と、絶縁基材1上に整列して設けられた複数の導体配線2と、導体配線2に各々形成され、導体配線2の長手方向を横切って導体配線2の両側の絶縁基材1上の領域に亘り形成された突起電極3と、導体配線2および突起電極3に施された金属めっき層4とを備え、金属めっき層4は突起電極3の金属よりもイオン化し難い金属からなる。導体配線2の両側の絶縁基材1上の領域に形成された部分の突起電極3の絶縁基材1との界面にも、金属めっき層4aが形成されている。 (もっと読む)


【課題】超音波振動に起因する突起電極と導体配線の境界部でのクラック発生が抑制された配線基板の構造を提供する。
【解決手段】絶縁性基材1と、絶縁性基材上に設けられた複数本の導体配線2と、各導体配線に形成された突起電極3とを有し、突起電極は、導体配線の長手方向を横切って導体配線の両側の絶縁性基板の領域に亘り形成され、突起電極の導体配線の幅方向の断面構造は中央部が両側よりも高くなっている。導体配線の表面と突起電極の表面によりそれらの交差部で形成される角度の少なくとも一部が、90度よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】この発明はキヤリアテープ巻き取りリールに巻き取られるキヤリアテープが位置ずれするのを防止した実装装置を提供することにある。
【解決手段】キヤリアテープ供給リール7からキャリアテープ1とともに繰り出されるスペーサテープを巻き取るスペーサテープ巻き取りリール21と、実装部5で電子部品が実装されたキヤリアテープをキヤリアテープ巻き取りリール23によってキヤリアテープを巻き取るときにキヤリアテープと重ねて巻かれるスペーサテープを供給するスペーサテープ供給リール22と、キヤリアテープのたるみ量が所定以上となってキヤリアテープ巻き取りリールにキヤリアテープとともにスペーサテープを巻き取るときにスペーサテープ供給リールを回転自由な状態とし、キヤリアテープのたるみ量が所定以下となってキヤリアテープ巻き取りリールによる巻き取りが停止したときにスペーサテープを巻き取る方向にスペーサテープ供給リールを所定のトルクで回転駆動する制御装置31とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 COF(チップ オン フィルム)での、更なる半導体チップの縮小化を得る半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 能動回路8を内部に有し金属突起電極6を表面に有し、金属突起電極6下に能動回路8の周縁が対応する半導体チップ5と、半導体チップ5の外部より表面に沿って配置されて先端が金属突起電極6に接合された導体リード4を有し導体リード4を支持するフィルム基材2を有するCOF用テープのフィルム1とを備え、金属突起電極6は、導体リード4の先端が金属突起電極6の一部に接合されることにより金属突起電極6の能動回路8側に導体リード4が存在しない領域を有し、導体リード4が存在しない領域の金属突起電極6下に能動回路8の周縁が位置する。 (もっと読む)


【課題】 補強板が無い構造でもCOFパッケージの認識マークの認識率を向上できる認識マーク認識装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ステージ21上に、配線基板22に配置される認識マーク23を撮影する認識カメラ25の焦点が合う領域よりも深さが深い凹部26を設けることにより、前記認識カメラ25が前記認識マーク23の表面に焦点を合わせて前記認識マーク23を撮影する際に、前記ステージ上の傷や紋様に焦点が合うことが無くなるため、前記認識マーク23の認識率を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】 メタル配線の屑が残留し兼ねない簡便なダイシングを容認でき、かつ、バンプ電極の高さを低くしつつ、フィルムキャリアのインナリードのショートを防止できる半導体装置及びその製造方法、LCDドライバ用パッケージを提供する。
【解決手段】バンプ電極11は、半導体チップ10の半導体集積回路との接続関係を有し、半導体チップ10主表面上において相互にチップ端部より中央側に寄って配置されている。これにより、バンプ電極11と破線で示すリード12が接続されるとすると、リード12は、チップ端部10E上にさしかかるまでに有利に変形できる余裕が生じる。すなわち、リード12は、チップ端部10E上において離れた位置に置くことができる。これにより、半導体チップ10は、バンプ電極11の高さを低くしても、チップ端部10Eと接触し難いリード12との接続形態を得ることができる。 (もっと読む)


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