【課題】本発明は、半導体装置の小型化に対応できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一面から他面１１ｂに貫通して設けられた開口部１２と、外部電極２８に接続された配線１９と、一端が配線１９に接続されて他端が開口部１２内に露出されたインナーリード７とを有する基板１７と、基板１７の一面に搭載された半導体チップ１６とを備え、半導体チップ１６が、開口部１２から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッド５を含む電極パッド群１５を有し、同電位の２以上の電極パッド５が、インナーリード７の１つと接続されている半導体装置１０とする。 （もっと読む）

【課題】配線とはんだバンプとの接合強度の低下を抑制し、かつ配線と半導体チップとの接合強度の低下を抑制する。
【解決手段】開口部８０を有する配線基板１００上に設けられた配線１１０と、配線１１０の一部であり、配線基板１００上に位置するランド部１１２、及び配線基板１００上から開口部８０内に延伸するリード部１１４と、ランド部１１２に形成されるはんだバンプ５０と、平面視で開口部８０の内側に位置し、リード部１１４と接続する半導体チップ１０と、を備え、配線１１０は、Ｃｕを含む材料により構成され、ランド部１１２のうちはんだバンプ５０が形成される面上には、Ｎｉめっき層が形成され、リード部１１４のうち半導体チップ１０と接続する面上、及び側面上にはＮｉめっき層が形成されておらず、ランド部１１２のうちはんだバンプ５０が形成される面上、及びリード部１１４には、Ａｕめっき層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高密度配線化に伴って配線パターンやボンディングリードの寸法が微細化しても、ＩＣチップの接続端子のような接続部位に対するボンディングリードの確実な接続を行うことを可能とした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 開口２が設けられた絶縁性フィルム基材１と、前記絶縁性フィルム基材１の表面に形成された配線パターン４と、前記開口２を跨ぐように架橋して設けられたボンディングリード３とを有するテープキャリアと、接続端子６を有しており前記テープキャリア上に実装されて前記接続端子６が前記ボンディングリード３に接続されたＩＣチップ５とを備えた半導体装置であって、前記ボンディングリード３が、当該ボンディングリード３自体の金属導体箔を湾曲状に伸び加工することで前記接続端子６に到達させて当該接続端子６に接続してなるものであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】スプロケットホールのピッチの整数倍でテープキャリアの搬送を行うことができ、かつ、材料コストを低減できる半導体装置用テープキャリアを実現することにある。
【解決手段】本発明に係るテープキャリア１０は、複数の半導体素子１１を搭載してなるテープキャリア型半導体装置１に用いられ、長尺の絶縁テープ１２からなり、複数の半導体素子１１に対応する複数の配線パターン１３を備えるものであって、搬送のためのスプロケットホール１６がテープキャリア１０の長尺方向に並んで形成されており、複数の配線パターン１３は、所定数の配線パターン１３毎に配線パターンセットを形成し、テープキャリア１０の長尺方向に並ぶ配線パターン１０の配置ピッチは、スプロケットホール１６のピッチの非整数倍であり、テープキャリア１０の長尺方向に並ぶ配線パターンセットの配置ピッチは、スプロケットホール１６のピッチの整数倍である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を、より小型化することができる半導体装置、当該半導体素子、及び基板を得る。
【解決手段】半導体素子１２は、直列接続された複数の抵抗器８０ａ〜８０ｄにより構成された抵抗ラダー８０が形成される階調電圧生成領域と、階調電圧生成領域の周辺に形成された複数の抵抗ラダー用電極８２ａ〜８２ｅと、階調電圧生成領域に延在すると共に、抵抗ラダー用電極８２ａ及び抵抗ラダー用電極８２ｅと抵抗ラダー８０の上記直列接続の端部とを接続する半導体素子内部配線８６と、抵抗ラダー用電極８２ｂ〜８２ｄと抵抗ラダー８０の上記直列接続の中間接続部とを接続する半導体素子内部配線８８と、を備え、基板１８は、入力側アウターリード２２と抵抗ラダー用電極８２ａ〜８２ｅとを電気的に接続する抵抗ラダー用接続パターン２１を備える。 （もっと読む）

【課題】導体配線や突起電極の向きに制約を受けずに、基材からの導体配線の剥離や、突起電極の付け根部分での導体配線の断線を抑制する。
【解決手段】絶縁性基材１上に複数の導体配線２ａ、２ｂが形成され、導体配線上に複数の突起電極３ａ、３ｂが設けられた配線基板５と、複数の電極パッドを有し、配線基板上に搭載されて電極パッドと導体配線とが突起電極を介して接合された半導体素子８と、配線基板と半導体素子との間隙及び半導体素子の側面に形成された封止樹脂層とを備える。半導体素子の４辺は、配置された電極パッドの個数が他の辺に配置された電極パッドの個数よりも少ない少数配置辺Ａと、他の多数配置辺Ｂとを含み、少数配置辺において、導体配線の長手方向に対して平行な突起電極の側端面と、半導体素子の端面が、鈍角を形成している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ搭載領域内から半導体チップ搭載領域外への気泡の排出効果を高めることができるフレキシブル基板と、このフレキシブル基板を備えた半導体装置とを提供する。
【解決手段】フレキシブル基板１０１は、半導体チップ搭載領域１０３を一表面に有する基材１００と、その一表面上に形成された複数のインナーリード１０６と、この複数のインナーリード１０６のうちの２つに結線されたジャンパ配線１１１とを備えている。ジャンパ配線１１１の第１配線部１２１は半導体チップ搭載領域１０３を横断している。これにより、半導体チップ搭載領域１０３内から半導体チップ搭載領域１０３外への気泡の排出効果を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＯＦ型の半導体装置用のテープキャリアと比較して、エッチング後の配線パターンの形状を良好にすることができると共に、配線パターンと半導体素子との接続状態を良好にすることができ、非接続部の配線パターンの機械的強度をも従来と比較して同等に向上させることが可能となるフレキシブル配線基板、及びそれを用いた半導体装置および電子機器を提供する。
【解決手段】絶縁テープ６と、絶縁テープ６上に形成された配線パターン５７とを備えたフレキシブル配線基板において、配線パターン５７は、所定のパターンに形成されていると共に、半導体素子２を接続および搭載する搭載領域内に、半導体素子２と接続するための接続部を有しており、上記接続部のみの配線パターン５７の厚さだけが、非接続部における配線層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの表面からの放熱が効果的に行われることにより、半導体チップの放熱性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】テープ基材３と、テープ基材に設けられたデバイスホールと、テープ基材上に設けられ、デバイスホールと整列して配置された部分を有する複数本の導体配線４と、デバイスホールに配置され、導体配線と接続されることにより実装された半導体チップ１と、半導体チップの表面を覆っている封止樹脂６ａとを備え、各導体配線と半導体チップとは、半導体チップの電極パッド上に設けられた突起電極２を介して接合される。半導体チップの表面側に突起部１０を有する金属板５が配置され、半導体チップの表面に放熱用突起電極１１が設けられ、金属板の突起部と半導体チップの放熱用突起電極とが接続されて熱伝導可能である。 （もっと読む）

【課題】配線基板にコネクタを装着した場合に、コネクタの導電パッドと配線基板の端子とを確実に接触させ、固定できる配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁性基材２と、絶縁性基材２の表面に形成された導体配線３と、導体配線３の長手方向を横切って導体配線３の両側の絶縁性基材上２の領域に亘り形成された第１の突起電極４と、絶縁性基材２の表面に形成され、導体配線３と接続された端子５と、端子５の表面に形成された第２の突起電極６ａとを備える。第２の突起電極６ａに、端子５の表面が露出されるように形成された開口部７ａを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高集積化された半導体チップの突起電極とテープキャリアのインナーリードとの接合工程を簡素化する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置が、半導体チップと、絶縁性を有するベースフィルムと、半導体チップの一の面の縁部の中央側に１列に形成された第１の突起電極と、第１の突起電極の外側に第１の突起電極より低い高さで１列に形成された第２の突起電極と、ベースフィルムの半導体チップの搭載面に、第１の突起電極上に延在して形成された第１のインナーリードと、第１のインナーリードのベースフィルムの反対側に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に第２の突起電極上に延在して形成された第２のインナーリードとを備える。 （もっと読む）

【課題】テープまたはフィルム基板を有する半導体装置の放熱性の向上を図る。
【解決手段】基材５ｃ上に形成された導電性の銅配線５ｄと、銅配線５ｄ上に形成されたソルダレジスト膜５ｅと、ソルダレジスト膜５ｅ上に形成された金属箔３とを含むテープ基板５と、銅配線５ｄ上にＡｕバンプ６を介して電気的に接続された半導体チップ２とを有したＴＣＰ１である。ソルダレジスト膜５ｅの厚さが基材５ｃより薄いことにより、半導体チップ２から発せられる熱を銅配線５ｄ及びソルダレジスト膜５ｅを介して金属箔３に伝えることができ、金属箔３から外部に放熱することができる。その結果、ＴＣＰ（半導体装置）１の放熱性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、配線パターンと樹脂との密着性を向上させる半導体装置及びフィルムキャリアテープ並びにこれらの製造方法を提供させることにある。
【解決手段】本発明は、配線パターンと樹脂との密着性を向上させる半導体装置であり、凸部（１７）を含みパターニングされた配線パターン（１６）を有するフィルム片（１４）と、凸部（１７）に電極（１３）が接合される半導体チップ（１２）と、凸部（１７）以外の領域において配線パターン（１６）に設けられる樹脂（１９）と、を有し、配線パターン（１６）は、樹脂（１９）との接触面が粗面をなす。 （もっと読む）

【課題】ダミーインナーリード上に位置するソルダーレジスト層が膨れることを抑制することにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】フィルム基材２０は、デバイスホール２０ａと、端部２１ａがデバイスホール２０ａ中に延伸しているインナーリード２１と、一端部２２ａがデバイスホール２０ａ中に延伸し、かつ他端部２２ｂ側がデバイスホール２０ａに向けて折り返されているダミーインナーリード２２と、ソルダーレジスト層２３とを有する。デバイスホール２０ａ中に配置された半導体チップ１０は、インナーリード２１の端部２１ａに接合する外部接続端子１１と、ダミーインナーリード２２の一端部２２ａに接合するダミー外部接続端子１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ工程においてボイドが発生しないようにした、テープのアンダーフィル方法及びチップのパッケージ方法を提供する。
【解決手段】チップの実装領域を有するテープを準備する工程１０２と、実装領域内に孔を穿設する工程１０４と、チップ側から、チップとテープとの間にアンダーフィル材を充填し、チップを実装領域へ接着する工程１０６とを含む。アンダーフィル材の充填時及びベーキング工程において、アンダーフィル材から発生したガスは、孔から放出される。 （もっと読む）

【課題】低コストで、生産性および信頼性を向上させたＩＣ実装モジュールとその製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面に電極端子６を有するＩＣチップ７と、接続部４を有する回路パターン２を備えた基板フィルム１と、ＩＣチップ７の電極端子６と回路パターン２の接続部４とが接続され、ＩＣチップ７が埋め込まれた接着フィルム５と、ＩＣチップ７の他方の面に設けた保護フィルム８と、を少なくとも備えてＩＣ実装モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】テープキャリアパッケージの製造工程の過程において、帯電された電荷の放電等により集積回路素子が静電破壊するのを低減するとともに、入力端子または出力端子にプローブピンを当てて信号の入出力検査を行う等の集積回路素子の性能試験を行うことができるキャリアテープを提供すること。
【解決手段】本発明に係るキャリアテープ１は、絶縁テープ１００上に設けられたテープキャリアパッケージ２００と、テープキャリアパッケージ２００に設けられた第一および第二の集積回路素子２０１、２０２とを備えている。また、接続配線５００は、第一の集積回路素子２０１のいずれか一つの端子と、第二の集積回路素子２０２のいずれか一つの端子とを電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】 パドル部がＧＮＤピンであるＱＦＮタイプのＩＣを片面ＦＰＣに実装することができる光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】 ドライバＩＣ２０を実装した片面ＦＰＣは、実装面をハウジング４０ａと反対側にして、ハウジング４０ａに収容される。ドライバＩＣ２０のパドル２２は、片面ＦＰＣのくり抜き孔の位置に合わせて実装され、ハウジング４０ａに対して露出された状態になる。ハウジング４０ａは、パドル２２周辺の片面ＦＰＣの厚みを考慮した凸形状の突起部４１を有する。押さえバネ４２は、ドライバＩＣ２０をハウジング４０ａに対して押圧し、片面ＦＰＣのくり抜き孔を介して、パドル２２を突起部４１に接触させて、パドル２２と突起部４１とを接続する。 （もっと読む）