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Fターム[5F044NN07]の内容

ボンディング (23,044) | フィルムキャリヤボンディング (1,094) | インナーリードボンディング (349) | ボンディング方法 (302) | 圧着によるもの (54)

Fターム[5F044NN07]に分類される特許

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【課題】テープキャリアパッケージにおける複数の端子を、ターゲット基板に均一にはんだ付けすることができる発熱部材を提供することである。
【解決手段】実施形態の発熱部材(10)は、電極(14)に接触する電流受給面と、前記電流受給面の下部に一体的に設けられ圧着面を有する加熱部(113)とを備え、前記電極からの電流により発熱する。前記発熱部材は、前記電流受給面に、前記電極との接触抵抗を低下させる部材(41)を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高密度化する電子部品の実装技術において、より簡便な方法で、より高品質、より高信頼性の接続構造を提供する。
【解決手段】電子部品100の実装構造は、複数の電極11を有する電子部品10を、複数の電極11がそれぞれ接合される複数の電極21を有する電子部品20に実装する構造であって、電極11と電極21とが接合されたそれぞれの接合面50は、電極11あるいは電極21が配列されている実装面10s,20s方向に対して傾斜しており、接合面50の傾斜方向は、少なくとも、第一の方向と、第二の方向とを有し、第一の方向と第二の方向は、電子部品10を電子部品20に実装した後に、電子部品10あるいは電子部品20のいずれか一方が他方より高い収縮率で、実装面10s,20sの方向に収縮した場合に、第一の方向の接合面50と第二の方向の接合面50とにそれぞれ応力が発生する方向に傾斜している。 (もっと読む)


【課題】高い接続信頼性を得ることが可能な回路基板提供する。
【解決手段】回路基板であるフレキシブル配線基板123は、配線と、配線の端部を構成する出力端子2を有する。出力端子2は、凸条をなし、その可撓性基材3と反対側の面に、その延在方向に沿って複数の凹部2aが列設されている。そして、各凹部2aの最大高さ粗さRzが、各凹部2a同士の間の各凸部2bの最大高さ粗さRzよりも小さいものとなっている。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、圧着ツールを加熱する加熱ツールの設定温度を従来よりも高くしても、熱による駆動部の破損を防止できる熱圧着装置を提供する。
【解決手段】
本発明は、基板とドライバIC回路の接続部を支持する受け台と、前記接続部を圧着する圧着ツールと前記圧着ツールを加熱する加熱ツールとを具備する圧着ヘッド、前記圧着ヘッドを下降させ前記接続部に加圧する加圧ツール、前記圧着ヘッドの昇降をガイドするガイド部及び前記圧着ヘッドと前記加圧ツールを連結する連結部を備え前記ガイド部を固定するユニットベースとを具備する熱圧着ユニットと、前記受け台及び前記熱圧着ユニットを保持する装置ベースフレームと、を有する熱圧着装置において、前記加熱ツールにより発生する熱を排熱する排熱流路を形成する排熱流路形成手段を具備する冷却機構を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高密度配線化に伴って配線パターンやボンディングリードの寸法が微細化しても、ICチップの接続端子のような接続部位に対するボンディングリードの確実な接続を行うことを可能とした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 開口2が設けられた絶縁性フィルム基材1と、前記絶縁性フィルム基材1の表面に形成された配線パターン4と、前記開口2を跨ぐように架橋して設けられたボンディングリード3とを有するテープキャリアと、接続端子6を有しており前記テープキャリア上に実装されて前記接続端子6が前記ボンディングリード3に接続されたICチップ5とを備えた半導体装置であって、前記ボンディングリード3が、当該ボンディングリード3自体の金属導体箔を湾曲状に伸び加工することで前記接続端子6に到達させて当該接続端子6に接続してなるものであることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】加熱圧着により半導体チップの外部接続端子をフィルム基板の配線にボンディングする工程(A)と、半導体チップ及びフィルム基板のボンディング部分の周りを樹脂封止する工程(B)とを含む半導体装置の製造方法であって、製造効率良く低コストに製造でき、かつ封止樹脂中のボイド発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム基板20の半導体チップ10と対向する部分を半導体チップ10のボンディング側と反対側から吸着した状態で、ボンディング工程(A)を実施し、半導体チップ10及びフィルム基板20の温度が降温し、フィルム基板20の熱膨張がない状態で、樹脂封止工程(B)を実施する。 (もっと読む)


【課題】 特にインナーリードにおけるトップ幅の細りやそれに起因した接合不良等の発生を解消して、パターン不良や短絡不良や絶縁信頼性の低下のような別の新たな不都合を生じることなしに、実装される半導体装置の電極パッドに対して確実な接合を得ることができるような十分に広いトップ幅を確保した、ファインパターンのインナーリードを備えた半導体装置用TABテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用TABテープでは、インナーリード6および配線パターン5が、有機化合物または無機化合物からなるインヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングプロセスによって導体箔11をパターン加工することにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】異方導電性ペーストを利用して、導通に寄与する導電性粒子をデバイス基板と被接続基板との間の加圧領域に集中的に集めながら両基板をOLB接続すること。
【解決手段】異方導電性ペーストWを利用して、第1配線接続部61が形成されたデバイス基板21を第2配線接続部40が形成された被接続基板23に実装して、両配線接続部を電気的に接続する方法であって、第1配線接続部の端子部62a又は第2配線接続部の端子部40aのいずれかに上記ペーストを塗布する工程と、両端子部が対向するように被接続基板上にデバイス基板を位置させる工程と、ボンディング工具70によりデバイス基板を被接続基板に対して押し付け、ペーストを介して両端子部を電気的に接続する工程と、を備え、塗布工程の際、ボンディング工具の中心軸線Cから、塗布後に盛り上がる最頂点中心Nが一定距離H離間するようにペーストを塗布するデバイス実装方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 耐折性や曲げ応力特性の悪化を招くことなく熱放散性を向上せしめることを可能とした半導体装置用テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基材1と、前記絶縁性フィルム基材1の片面に設けられた配線パターン2と、前記絶縁性フィルム基材1における前記片面とは反対側の面に設けられた、当該半導体装置用テープキャリアにおける熱放散性を高めるための放熱板4とを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記放熱板4が、当該半導体装置用テープキャリアにおける曲げ応力特性を調節するためのパターン間スペース3のようなスリットおよび/または開口を設けてなるものであることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】混合が容易であり、可撓性が高く接着力を高めることができるフィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】分子量が30,000以上のビスフェノールA型フェノキシ樹脂、分子量が500以下のエポキシ樹脂、メタクリル酸グリシジル共重合体、ゴム変性エポキシ樹脂、及び潜在性硬化剤を必須成分とするフィルム状接着剤。メタクリル酸グリシジル共重合体のエポキシ当量は1000以下とすることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】フィルム型配線基板を含む半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明は、半導体パッケージを提供する。このパッケージは、第1導電リード及び第1導電リードに比べて長さが延びた第2導電リードを含む配線基板及び信号が提供される第1セル領域と、信号と同一の信号が提供される第2セル領域と、第1セル領域と電気的に接続する第1導電パッドと、第2セル領域と電気的に接続する第2導電パッドと、を含み、配線基板上に実装され、第2導電リード上に第1及び第2導電パッドを配置する半導体チップを含む。 (もっと読む)


【課題】 比較的安価で軟化温度の低いパッケージキャリアを用いた場合でも、接合部の信頼性低下を防止し、一般的なバンプ材料を利用でき、製造コストの増大を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ10の端子部12とパッケージキャリア20の端子部22を接合する際、半導体チップ10にパッケージキャリア基材21が軟化する温度を印加し、加熱された半導体チップ10の端子部12をパッケージキャリア端子部22に接触させ熱伝導によりパッケージキャリア端子部22及びその周辺領域のパッケージキャリア基材21を軟化させ、パッケージキャリア端子部及びその周辺領域のパッケージキャリア基材21が軟化した状態で半導体チップ端子部12をパッケージキャリア端子部22に押圧し接合させると共に、パッケージキャリア端子部22をパッケージキャリア基材21表面より内部方向に押し込まれている状態にする。 (もっと読む)


【課題】この発明はキヤリアテープに大きな熱影響を与えずに電子部品を実装できるようにした実装装置を提供することにある。
【解決手段】キヤリアテープ1に電子部品16を実装するとき、第2のヒータ36によって加熱された実装ツール18をその下端面がキヤリアテープの上面に近接する高さまで下降させて待機させてから第1のヒータ35によって上記実装ツールよりも高い温度に加熱された実装ステージ17を実装位置まで上昇させた後、実装ツールをさらに下降させてロードセル37が検出する荷重に基いて実装荷重を制御装置25によって制御してキヤリアテープに電子部品を実装する。 (もっと読む)


【課題】接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する回路部材接続用接着剤と、接続された回路板および、その製造方法を提供する。
【解決手段】相対向する回路電極11、31間に介在して、相対向する回路電極11、31を加圧して電気的に接続する回路部材接続用接着剤であって、接着剤40と絶縁性の無機質充填材、もしくは、さらに導電粒子41とを含み、上記接着剤40を100重量部に対して上記絶縁性の無機質充填材を10〜200重量部含有する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップに接合されたインナリードの曲げによる応力を低減する手段を提供する。
【解決手段】ベースフィルムの半導体装置形成領域に設定されたチップ搭載領域と、チップ搭載領域に形成された複数のインナリードと、インナリードと端子との間を接続するアウタリードと、アウタリードを覆うソルダレジスト層と、を備えたCOF用フィルムにおいて、ソルダレジスト層のチップ搭載領域側に、厚さを厚くした厚膜部を形成する。 (もっと読む)


【課題】接続信頼性の高い電子部品実装用フィルムキャリアテープ、そのフィルムキャリアテープの製造方法、及び、そのフィルムキャリアテープを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】電子部品実装用フィルムキャリアテープ10は、電子部品50に形成されたバンプ電極52により電子部品50に接続して電子部品からの入出力信号を処理するためのインナーリード20、及び、インナーリード20からの信号を配線パターンを介して入出力処理するためのアウターリードを有する電子部品実装用フィルムキャリアテープ10において、電子部品50に形成されているバンプ電極52と接合するインナーリード20に、バンプ電極52が嵌合して接続する嵌合凹部54が形成されている。 (もっと読む)


【課題】配線基板と半導体チップとの実装方向に制約がなく、半導体チップの電極パッドと突起電極との安定した接合を可能にする配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁性基材と、絶縁性基材上に設けられ、半導体チップが実装される実装領域1に整列して配置されたインナーリード部を形成する複数本の導体配線2a、2bと、導体配線の各々のインナーリード部に形成された突起電極3a、3bとを備える。導体配線は、実装領域の互いに直交するX辺及びY辺にそれぞれ直交するように配置されている。X辺側及びY辺側の導体配線に設けられた突起電極はともに、導体配線上に位置する部分のX辺方向における寸法よりもY辺方向における寸法の方が長い。 (もっと読む)


【課題】複雑な製造工程を経ることなく、容易に製造することができ、電子部品を実装した場合、電子部品から発生する熱を効率的に放出することができるフレキシブル配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明のフレキシブル配線基板は、アウターリード形成領域と、電子部品実装領域とが、両領域の間に形成された第1折り曲げ部を介して隣接する可撓性絶縁基板と、可撓性絶縁基板の一方の面に配線パターンが形成されたフレキシブル配線基板であり、フレキシブル配線基板に形成された配線パターンの一方の端部がアウターリードを形成し、他端がインナーリードを形成し、該フレキシブル配線基板は、所定形状に折り曲げが可能なように形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】インナーリードの幅に適した荷重をインナーリードに印加することが可能な半導体チップの実装方法等を提供する。
【解決手段】複数のインナーリードそれぞれとバンプ電極が重なる領域の単位面積当たりに印加する荷重を設定するステップと、複数のインナーリードそれぞれとバンプ電極が重なる領域の総面積を検出するステップと、設定された単位面積当たりに印加する荷重及び検出された総面積に基づいて、ツールが複数のインナーリードと半導体チップを押圧する際の荷重を算出するステップと、ツールが算出された荷重を複数のインナーリードと半導体チップに印加するようにツールを制御することにより、複数のインナーリードそれぞれとバンプ電極をボンディングするステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】リードの幅や厚みの変更を伴うことなく、1つの半導体素子に接続できるリードの配線本数を増加できる高密度TCPおよび製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルなベース基材11と、ベース基材11のデバイスホール15の内部に突出するフライングリード12aを有する導体パターン12と、実装面14aを上向けにしてデバイスホール15に配置する半導体素子14とを備え、半導体素子14の実装面14aの上にバンプ13でフライングリード12aを接続するとともに、半導体素子14の実装面14aのボンディングパット16とベース基材11の上のボンディングパット17とをワイヤーボンディングした。 (もっと読む)


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