【課題】封止材の充填不良（ボイド）が抑制され、封止材の注入速度を速めることを可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ１０に形成された電極をなす複数の外部端子１１と、パッケージ基材２０に形成された複数の引出配線２１とが接合され、複数の外部端子１１及び複数の引出配線２１が封止材により封止されたものである。半導体チップ１０においては、複数の外部端子１１からなる外部端子列１２が、外部端子列１２の延びる方向に対して交差する方向に複数配列しており、かつ、複数の外部端子列１２において、複数の外部端子１１のうち２以上がチップ辺１０Ｅに対して交差する方向に同軸配列している。 （もっと読む）

【課題】放熱効率の良いフレキシブルプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＣＰ型フレキシブルプリント配線板１２Ａの製造方法は、金属基材フィルム１に接着剤層１Ａを積層する工程と、接着剤層１Ａに導電体箔２を貼り付ける工程と、導電体箔２にフォトレジスト膜４を積層する工程と、フォトレジスト膜４を露光及び現像する工程と、金属基材フィルム１の導電体箔２に覆われていない部分にエッチング保護膜１５を被せる工程と、エッチング保護膜１５が被せられている状態で、露光及び現像後のフォトレジスト膜４（現像パターン４Ａ）を介して導電体箔２をエッチングして導電パターン３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線からの金属イオンの析出によるマイグレーション発生を防止できる、高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】ベースフィルム１に複数の配線９が配置されたフレキシブル配線基板１１と、上記フレキシブル配線基板１１に搭載された半導体チップ５と、フレキシブル配線基板１１と半導体チップ５との間に、少なくとも一部が配線９に接するように配置された封止樹脂６を有し、封止樹脂６に金属イオン結合剤が混合されている。 （もっと読む）

ＩＣパッケージング用インターポーザーフィルムが開示される。インターポーザーフィルムは、複数の導電性領域を支持する基板を含んでなる。この基板は、ポリイミドおよびサブミクロン充填材から構成される。ポリイミドは、剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族二無水物成分と、剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族ジアミン成分とから誘導される。二無水物のジアミンに対するモル比は、４８〜５２：５２〜４８であり、そしてＸを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Ｙを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のＸ：Ｙ比率は、２０〜８０：８０〜２０である。サブミクロン充填材は、少なくとも１つの寸法で５５０ナノメートル未満であり、３：１を超えるアスペクト比を有し、全ての寸法でフィルムの厚さ未満である。
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【課題】半導体素子のＡｕバンプと金錫共晶接合により接続される接続端子部を構成する配線をダウンセット加工して成形したときに、配線の形状をその成形により十分安定化させることができる、ＣＯＦテープを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスホールがないＣＯＦテープから構成される配線基板２上に半導体素子３を搭載するにあたり、接続部を構成する半導体素子３のＡｕバンプ４と配線基板２上の配線５のＳｎめっきされた接続端子部６とを加熱ツール７により接触加圧して加熱して金錫共晶接合により接続すると共に、接続部領域に位置する配線基板２の配線５と反対側の対応する面上に剛性の高い金属箔１４を設けて、金属箔１４とともに配線基板２上の配線５を接続部から遠ざかるようにダウンセット加工して成形するようにした。 （もっと読む）

【課題】 耐折性や曲げ応力特性の悪化を招くことなく熱放散性を向上せしめることを可能とした半導体装置用テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基材１と、前記絶縁性フィルム基材１の片面に設けられた配線パターン２と、前記絶縁性フィルム基材１における前記片面とは反対側の面に設けられた、当該半導体装置用テープキャリアにおける熱放散性を高めるための放熱板４とを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記放熱板４が、当該半導体装置用テープキャリアにおける曲げ応力特性を調節するためのパターン間スペース３のようなスリットおよび／または開口を設けてなるものであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】この発明はキヤリアテープに大きな熱影響を与えずに電子部品を実装できるようにした実装装置を提供することにある。
【解決手段】キヤリアテープ１に電子部品１６を実装するとき、第２のヒータ３６によって加熱された実装ツール１８をその下端面がキヤリアテープの上面に近接する高さまで下降させて待機させてから第１のヒータ３５によって上記実装ツールよりも高い温度に加熱された実装ステージ１７を実装位置まで上昇させた後、実装ツールをさらに下降させてロードセル３７が検出する荷重に基いて実装荷重を制御装置２５によって制御してキヤリアテープに電子部品を実装する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに接合されたインナリードの曲げによる応力を低減する手段を提供する。
【解決手段】ベースフィルムの半導体装置形成領域に設定されたチップ搭載領域と、チップ搭載領域に形成された複数のインナリードと、インナリードと端子との間を接続するアウタリードと、アウタリードを覆うソルダレジスト層と、を備えたＣＯＦ用フィルムにおいて、ソルダレジスト層のチップ搭載領域側に、厚さを厚くした厚膜部を形成する。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い電子部品実装用フィルムキャリアテープ、そのフィルムキャリアテープの製造方法、及び、そのフィルムキャリアテープを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】電子部品実装用フィルムキャリアテープ10は、電子部品50に形成されたバンプ電極52により電子部品50に接続して電子部品からの入出力信号を処理するためのインナーリード20、及び、インナーリード20からの信号を配線パターンを介して入出力処理するためのアウターリードを有する電子部品実装用フィルムキャリアテープ10において、電子部品50に形成されているバンプ電極52と接合するインナーリード20に、バンプ電極52が嵌合して接続する嵌合凹部54が形成されている。 （もっと読む）

【課題】導体配線や突起電極の向きに制約を受けずに、基材からの導体配線の剥離や、突起電極の付け根部分での導体配線の断線を抑制する。
【解決手段】絶縁性基材１上に複数の導体配線２ａ、２ｂが形成され、導体配線上に複数の突起電極３ａ、３ｂが設けられた配線基板５と、複数の電極パッドを有し、配線基板上に搭載されて電極パッドと導体配線とが突起電極を介して接合された半導体素子８と、配線基板と半導体素子との間隙及び半導体素子の側面に形成された封止樹脂層とを備える。半導体素子の４辺は、配置された電極パッドの個数が他の辺に配置された電極パッドの個数よりも少ない少数配置辺Ａと、他の多数配置辺Ｂとを含み、少数配置辺において、導体配線の長手方向に対して平行な突起電極の側端面と、半導体素子の端面が、鈍角を形成している。 （もっと読む）

【課題】複雑な製造工程を経ることなく、容易に製造することができ、電子部品を実装した場合、電子部品から発生する熱を効率的に放出することができるフレキシブル配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明のフレキシブル配線基板は、アウターリード形成領域と、電子部品実装領域とが、両領域の間に形成された第１折り曲げ部を介して隣接する可撓性絶縁基板と、可撓性絶縁基板の一方の面に配線パターンが形成されたフレキシブル配線基板であり、フレキシブル配線基板に形成された配線パターンの一方の端部がアウターリードを形成し、他端がインナーリードを形成し、該フレキシブル配線基板は、所定形状に折り曲げが可能なように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リール巻取り時のストレスによるインナーリードへのダメージを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、複数のバンプ２を有する半導体チップ１と、複数のインナーリード３，４を有するフレキシブルテープと、を具備し、前記複数のバンプ２それぞれに前記インナーリード３，４が接合されており、
前記半導体チップ１の表面の隅に配置されたバンプ２に接合されたインナーリード３の幅は、前記半導体チップ１の表面の隅以外に配置されたバンプ２に接合されたインナーリード４の幅より太く形成されており、前記半導体チップ１の表面の隅に配置されたバンプ２に接合されたインナーリード３の幅は、前記バンプ２の幅より太く形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線の断線を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板に実装されたインターポーザ基板と、インターポーザ基板に実装された半導体素子とを備え、インターポーザ基板は、複数個の第１基板金属バンプと、複数個の第１基板パッドメタル２３と、複数本の基板配線２４とを有し、半導体素子は、第１基板金属バンプとそれぞれ熱圧着により接合した複数個の素子金属バンプと、複数個の素子パッドメタル１３と、複数本の素子配線１４とを有する半導体装置であって、第１基板パッドメタル２３および素子パッドメタル１３は、各角が外側に向かって突き出る多角形状をしており、基板配線２４は、それぞれ対応する第１基板パッドメタル２３の角の頂点から間隔を空けた位置に接続され、素子配線１４は、それぞれ対応する素子パッドメタル１３の角の頂点から間隔を空けた位置に接続されている。 （もっと読む）

【課題】標印工程を簡素化しながら、品質管理を容易に行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、主面上に複数の配線リード２が形成されたフィルム基板１０と、フィルム基板１０の主面上に搭載され、配線リード２と電気的に接続された半導体チップ２０と、フィルム基板１０の外周部の領域上に形成された金属層７と、フィルム基板１０の主面上に、金属層７を覆うように形成されたソルダレジスト層９とを備えている。そして、金属層７が形成されている領域（標印領域６）には、レーザ照射による刻印によって、製品情報が標印されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の性能を維持しつつ、小型化、及び設計の効率化が実現できる半導体装置及び基板を得る。
【解決手段】半導体素子１２に対し、表示装置を駆動させる信号を出力する半導体素子内部出力部３０Ａ〜３０Ｄの近傍にグランド端子電極５２ａ及び電源端子電極５２ｂを設ける一方、絶縁性フィルム１８に対し、従来より半導体素子１２の第１の辺に沿って設けられているグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂと、グランド端子電極５２ａ及び電源端子電極５２ｂとを接続する半導体素子上金属配線パターン５４を設ける。 （もっと読む）

【課題】加工装置や加工工数を増やしてコスト高を招くようなことなく、また信頼性を損なうことなく、放熱効率の良い半導体装置、半導体装置を用いたディスプレイ装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する絶縁基材１の表面に導電パターン３を形成し、その導電パターンに接続して絶縁基材の表面に半導体７を搭載する半導体装置１６において、半導体７のまわりを一部残して半導体を取り囲むように、絶縁基材にスリット５を形成して半導体保持部位３０を設ける。ここで、スリット５は、例えば、外形が四角い半導体７の三辺を取り囲むように、コの字状に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと外部基板との実装方向の制約がなく、かつ狭ピッチの半導体チップとの接合を可能にするテープ配線基板を提供する。
【解決手段】可撓性の絶縁性基材２ａと、絶縁性基材２ａ上に形成された導体配線４ａとを備える。導体配線４ａの断面形状が三角形である部分５ａと四角形である部分６ａとを有し、導体配線４ａの断面形状が三角形である部分５ａには、導体配線４ａの半導体チップが実装可能に形成された部分３に形成されたインナーリード部が含まれる。 （もっと読む）

【課題】現行の接合条件を変更せずに、信頼性あるファインピッチＩＬＢを確立できるフレキシブル配線基材並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材１１と、絶縁基材１１の一方面に形成された銅を含む導電体層をパターニングした配線パターンと、配線パターンの端子部を除く表面を被覆するソルダーレジスト層１７とを具備し、配線パターンの端子部は、配線ベース層２１上にスズめっき層２６を施したものであり且つ各端子のピッチが２０μｍより大きく３０μｍより小さいフレキシブル配線基材において、端子部の配線ベース層２１上のスズめっき層２６は、スズめっき層２６中に配線ベース層２１の銅が拡散した拡散層２６ａと純スズ層２６ｂとからなり、総厚が０．２６μｍ〜０．５μｍの範囲であり、純スズ層の厚さが０．０８μｍ〜０．１８μｍであり且つ総厚をｔとしたときの（０．５３−０．８４６ｔ）μｍの値を超えない範囲にある。 （もっと読む）

【課題】配線パターンにおけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ポリイミド等からなるフィルム１上に形成され、その表面がメッキ層で覆われているインナーリード２の接合位置にＩＣチップ２０のバンプ２２を重ね合わせて接合する際に、インナーリード２の表面を覆うメッキ層５を接合時の熱で溶融し、溶融したメッキをインナーリード２の（フィルム１から剥がれた）先端部２ａの剥離面へ回り込ませる。これにより、先端部２ａの剥離面にもメッキ層が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留り及び品質を向上を図る。
【解決手段】ベースフィルム３１の上に複数の配線３２が形成され、半導体チップ２０の電極２２に対応して露出して配置された配線３２の接続部３６を有するテープ基板３０における接続部３６と、半導体チップ２０の複数の電極２２とを電気的に接続するインナリードボンディングを行う。この際に、テープ基板３０を、複数の配線３２それぞれにおける延在方向の接続部３６から外側箇所が、テープ基板３０の厚さ方向Ｈに対して、接続部３６よりベースフィルム３１側に曲げ加工された状態（曲げ加工部Ｍ）にしておく。これにより、インナリードボンディング後にテープ基板３０と半導体チップ２０が接触してしまう、所謂エリアショートを防止することができる。したがって、製品の歩留りを向上させることができると共に、製品の品質を向上させることができる。 （もっと読む）