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Fターム[5F044NN10]の内容

ボンディング (23,044) | フィルムキャリヤボンディング (1,094) | インナーリードボンディング (349) | ボンディング方法 (302) | 各電極毎にボンディング (7)

Fターム[5F044NN10]に分類される特許

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【課題】本発明は、半導体装置の小型化に対応できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一面から他面11bに貫通して設けられた開口部12と、外部電極28に接続された配線19と、一端が配線19に接続されて他端が開口部12内に露出されたインナーリード7とを有する基板17と、基板17の一面に搭載された半導体チップ16とを備え、半導体チップ16が、開口部12から露出するように配置された同電位の2以上の電極パッド5を含む電極パッド群15を有し、同電位の2以上の電極パッド5が、インナーリード7の1つと接続されている半導体装置10とする。 (もっと読む)


【課題】 高密度配線化に伴って配線パターンやボンディングリードの寸法が微細化しても、ICチップの接続端子のような接続部位に対するボンディングリードの確実な接続を行うことを可能とした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 開口2が設けられた絶縁性フィルム基材1と、前記絶縁性フィルム基材1の表面に形成された配線パターン4と、前記開口2を跨ぐように架橋して設けられたボンディングリード3とを有するテープキャリアと、接続端子6を有しており前記テープキャリア上に実装されて前記接続端子6が前記ボンディングリード3に接続されたICチップ5とを備えた半導体装置であって、前記ボンディングリード3が、当該ボンディングリード3自体の金属導体箔を湾曲状に伸び加工することで前記接続端子6に到達させて当該接続端子6に接続してなるものであることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 はんだボールをはんだボール搭載用ビア穴にて露出している部分の導体箔の表面に確実に接合することを可能とし、またボンディングツールの劣化や短命化を回避することを可能とした半導体装置用TABテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 はんだボール搭載用ビア穴3とボンディング用窓穴4とを穿設してなる絶縁性基板1と、その絶縁性基板1の片面に張り合わされた導体箔11をパターン加工して形成された少なくとも配線パターン5とインナーリード6とを含んだ導体パターン2とを有する半導体装置用TABテープ10であって、導体パターン2における、はんだボール搭載用ビア穴3にて露出している部分およびボンディング用窓穴4にて露出している部分の表面7の表面粗さが、絶縁性基板1の片面と張り合わされている部分の表面8の表面粗さ未満になっている。 (もっと読む)


【課題】表配線構造の採用によって弾性構造体を高精度に安定して配線基板に搭載し、半導体チップの接着工程を安定させて歩留まりの高い組み立てを行うことができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップの主面上に弾性構造体を介して配線基板を設け、配線基板の配線の一端部を半導体チップの主面上の外部端子と電気的に接続させ、また、配線基板の配線の他端部であるランド部をバンプ電極と電気的に接続してなる半導体集積回路装置の製造方法であって、配線基板の配線であるリード11は、ノッチ27を有し、ノッチ27の終端側の配線には、有効面積を配線より大きく形成された拡大アンカー配線32が形成されている。 (もっと読む)


【課題】テープキャリヤのリードと半導体チップ上の電極とのシングルポイントボンディングで、ヒータプレートが傾いていても安定してボンディングができること。
【解決手段】ボンディングツールの原点における先端部とヒータプレート表面との距離を測定して算出したヒータプレートの傾きと、ヒータプレート上に半導体チップを搭載してボンディングツールの先端部と半導体チップ上の電極との距離及び測定位置とから、半導体チップの各電極の位置に応じて前記半導体チップの各電極と前記ボンディングツールの原点までの高さであるツール高さを算出し、算出したツール高さのデータに基づいてサーチレベルを半導体チップのパッド表面から一定の距離となるようにボンディングツールを制御するようにする。 (もっと読む)


【課題】ボンディング時に配線リードをノッチ部で切断すること、及び配線リードの未切断の発生を抑制することを可能とした半導体装置用テープキャリアを提供する。
【解決手段】所定の位置に第1ボンディング用窓2Aが形成された絶縁性テープ2と、絶縁性テープ2上に所定のパターンで形成された配線リード3とを備え、配線リード3は、第1ボンディング用窓2A内に露出して所定の幅Wを有する切断用のノッチ部30C、及び第1ボンディング用窓2A内に露出して所定の幅Wを有する半導体チップ接続用の第1連結部33Cを有し、配線リード3が300MPaから350MPaの引張強度とボンディング加熱時に10%から20%の伸び率とを有するとき、配線リード3の所定の幅W及びWの比W/Wが0.725以下に設定される。 (もっと読む)


【課題】インナーリード剥がれやテープの波打ちを回避できるICチップ実装パッケージを実現する。
【解決手段】ICチップ実装パッケージ1は、インターポーザ4を介してフィルム基材2とICチップ3とが接続されている。インターポーザ4におけるフィルム基材2側の接続端子は、ICチップ3側の接続端子よりもピッチが大きく形成されている。フィルム基材2にデバイスホール8が設けられており、ICチップ3はデバイスホール8内に配設されている。フィルム基材2におけるインナーリード先端からデバイスホール8の縁までの距離Aは、10μm以上に設定される。 (もっと読む)


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