【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２とベース材３との積層構造を有する。半導体チップ２の表面上に電極２１が形成されており、ベース材３の表面上に電極３１が形成されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とが対向すると共に電極２１と電極３１とが突起電極４を介して電気的に接続されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域Ｂ以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル５に分断領域６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して基板上に素子を搭載した電子部品において、素子をバンプに接合する際に生じる応力が素子に作用することを抑制し、電子部品の品質のばらつきを抑え、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】第１平面を有する基板１１と、前記基板１１の第１平面に固定されたバンプ１４と、前記基板１１の第１平面に非接触かつ相対すると共に、前記バンプ１４に接着により固定され、かつ、前記パンプ１４との接着領域の近傍にスリット３０を有する素子１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッケージ支持面にクリップを利用する高電圧III族窒化物整流器パッケージの典型的な実施形態を提供する。
【解決手段】パッケージ支持面２６０に取り付け、III族窒化物トランジスタ２３０のソースにスタックされたダイオード２２０のアノードを有するIII族窒化物トランジスタ２３０と、III族窒化物トランジスタ２３０のゲートおよびダイオード２２０のアノードに結合した第１の導電性クリップ２１２ｂと、III族窒化物トランジスタ２３０のドレインに結合した第２の導電性クリップ２１２ａとを含む。導電性クリップ２１２ａ、２１２ｂはパッケージ支持面２６０に結合され、表面実装性の平担部を露出する。 （もっと読む）

【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第１のヤング率を有する第１の樹脂層と、前記第１のヤング率よりも大きな値の第２のヤング率を有する第２の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制できる信頼性の高い半導体チップ、半導体パッケージ、および半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１は、回路面３に突起電極２を有する平板状のものであって、回路面３よりも面積の大きい底面４と、回路面３と底面４とを繋ぐ側面５とを備えている。回路面３と底面４との間の厚みＤが１００μｍ以下である。側面５は、底面４に連続して形成された垂直面６と、垂直面６に連続して形成されるとともに、回路面３に連続するように内方へ傾斜した傾斜面７とを有している。垂直面６の高さをｄとした場合に、ｄ／Ｄの値が０より大きく、かつ、１／２より小さく設定されている。傾斜面７は、凹状に湾曲した凹曲面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極間の接続抵抗が低く、かつ耐熱衝撃特性が高い接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１は、第１の電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２と、第２の電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４と、第１の接続対象部材２の上面２ａと第２の接続対象部材４の下面４ａとの間に配置されており、かつ導電性粒子２１を含む異方性導電材料により形成されている接続部３とを備える。導電性粒子２１は、樹脂粒子２２と、第１の導電層２３と、第１の導電層２３よりも融点が低い第２の導電層２４とを有する。導電性粒子２１における樹脂粒子２２の中心を通る中心線に対して、導電性粒子２１における第２の導電層２４は、上下非対称に偏在しており、上記中心線に対して上側の領域又は下側の領域に第２の導電層２４全体の７０体積％以上、１００体積％以下が存在する。 （もっと読む）

【課題】
硬化することにより長期信頼性に優れた硬化物が得られる液状硬化性組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応により分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合をエポキシ化して得られる全塩素量が１０質量ｐｐｍ以下であるエポキシ化合物、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）充填材を含む液状硬化性組成物である。好ましくはエポキシ化合物はアリルエーテル結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合を酸化して得られる２つ以上のグリシジル基を一分子中に有する室温で液状の化合物である。 （もっと読む）

【課題】
チップの損傷及び反りを抑制し、優れた放熱性を有するフィリップチップ型の半導体装置を製造するための簡便かつ効果的な方法を提供すること。
【解決手段】
本発明による半導体装置の製造方法は、表面に回路が形成された半導体チップの裏面に硬化収縮性材料から構成される反り抑制層を設ける工程と、上記反り抑制層を有する半導体チップをフェースダウンで接着層を介して基板に実装する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが基板にフリップチップ実装されて構成された半導体装置において、搭載された素子の特性の変動量を均一にすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】上面３１と、底面の中央部である第１の底面３２と、底面の外周端部である第２の底面３３とを有する半導体チップ３と、第１の底面３２に形成された外部接続電極４とを備え、上面３１から第２の底面３３までの距離は、上面３１から第１の底面３２までの距離よりも短く、上面３１から半導体チップ３の外周の一辺の中央における第２の底面３３までの距離は、上面３１から半導体チップ３の外周の一辺の端における第２の底面３３までの距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】外部基板との接合による、基板に形成された素子における不具合の発生を抑制する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１１１と応力形成膜１４０とを備える。基板１１１の第１面の一端部分および他端部分には突起部１３０が形成される。基板１１１には、半導体素子１１２が形成される。応力形成膜１４０は、基板１１１の第１面の反対側の第２面に接するように形成される。応力形成膜１４０の形状は、外部基板２００と突起部１３０との接合により生じる第１応力Ｐ１０の少なくとも一部を相殺する第２応力Ｐ２０を生じさせる形状である。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく低コストで、１５０℃以上の高温下で長時間使用しても接続信頼性を維持できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置のはんだ接続部１において、基板５の電極となるＣｕ層上にＮｉめっき層３が形成され、はんだボールを構成し、かつ室温から２００℃においてＣｕ６Ｓｎ５相を含有するＳｎ系はんだ８との間に化合物層２を有する。化合物層２はＣｕ６Ｓｎ５相がＮｉめっき上に析出あるいは移動してバリア層を形成し、界面反応を抑制する。 （もっと読む）

【課題】実装基板にうねりがあったり、実装基板のパッド電極に高低差があっても、半導体チップの電極を信頼性高く接続できるようにする。
【解決手段】回路基板１上に半導体チップ３がフェースダウン状態で搭載され、回路基板１上に形成されたパッド電極２と半導体チップ３上に形成された電極４とが接合されている。回路基板１と半導体チップ３との間の隙間にはアンダーフィルとしての樹脂５が充填されている。パッド電極２の頂上には高低差があるが、半導体チップ３がその高低差に追随して湾曲することにより、パッド電極２と電極４との接合は信頼性高く実現できる。 （もっと読む）

【課題】 異方性導電膜に含まれる導電性粒子密度を直接測定する手段がなかった。異方性導電膜の粒子密度バラツキがあっても判らなかった。
【解決手段】 ＩＣチップ１の能動面に配線禁止領域１０を設け、ＩＣチップ１が実装される表示素子の透明基板９に配線禁止領域に対応するように透明な透視領域３を設ける。透視領域３を通して配線領域上に配置された導電性粒子７の数を測定することで、異方性導電膜に含まれる導電性粒子密度を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を配線回路基板にフリップチップ実装する場合であっても、半導体素子の薄厚化を図るとともに、配線回路基板及び半導体素子間を良好に樹脂封止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ２２とその上に設けられたはんだボール２４とからなる突起電極を有する半導体ウェハ２０面上に、粘接着剤層２及び弾性率が４５０ＭＰａ以下であるプラスチックシート１をこの順に備える接着シートを、粘接着剤層２が突起電極を埋めるように貼り付ける工程と、半導体ウェハ２０の突起電極が形成されている側とは反対側の面を研磨して薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウェハ２０及び粘接着剤層２を切断して粘接着剤付き半導体素子を得る工程と、熱圧着して配線回路基板と半導体素子とがはんだボール２４を介して電気的に接続され、配線回路基板と半導体素子との間が粘接着剤２により封止された構造の半導体装置を得る工程と、を備える。 （もっと読む）

シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ウエハを用いてスタックされた電子的部品を形成する方法が、第１ディボンデング温度を有する第１接着性材料（２０６）を用いてＴＳＶウエハ（２０２）の上側に第１キャリアウエハ（２０５）を搭載することを含む。ＴＳＶウエハは、その下側から薄くされて薄くされたＴＳＶウエハ（２０２’）を形成する。第１ディボンデング温度より高い第２ディボンデング温度を有する第２接着性材料（２０７）を用いて、ＴＳＶウエハ（２０２’）の下側に第２キャリアウエハ（２１５）が搭載される。薄くされたＴＳＶウエハ（２０２’）はそれから第１キャリアウエハ（２０５）を取り除くため、前記第１ディボンデング温度を超える温度まで加熱される。スタックされた電子的部品を形成するため、少なくとも１つの個片化されたＩＣダイが、薄くされたＴＳＶウエハの上面上に形成されたＴＳＶダイに結合される。

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【課題】半導体ウエハのダイシング工程から半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用することができるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供すること。
【解決手段】 基材上に粘着剤層を有するダイシングテープと、該粘着剤層上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、フリップチップ型半導体裏面用フィルムが、黒色顔料を含有しているダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】水分による接着性の低下が抑制された、保存安定性に優れた異方性導電フィルムを提供する。
【解決手段】導電性粒子が絶縁性接着剤に分散し、フィルム状に成形されている異方性導電フィルムであって、ゼオライトを1〜20wt％含有する。該ゼオライトの平均細孔径は3〜5オングストロームであり、導電性粒子の平均粒子径はゼオライトの平均粒子径よりも大きい。 （もっと読む）

基板を支持するためのプレースステージを含むプレースステージ組立体と、基板における清浄環境をもたらすためのカバー部であって、載置動作が基板の制限された範囲に実行され得るカバー部の第1の面に第1の開口部を含むカバー部とを備え、プレースステージおよびカバー部は、相対移動によって、開口部が基板の上方に選択された相対位置を得ることが可能になるように取り付けられる、ピックアンドプレースマシン用のプレースステーション。
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【課題】支持基板上に半導体チップをフェイスダウン実装した構成において、半導体チップの裏面上に板状材を水平に搭載可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１-1は、支持基板３上に突起電極７を介して半導体チップ５がフェイスダウン実装され、これらの支持基板３−半導体チップ５間に樹脂９が充填された構成である。特に、半導体チップ５は、支持基板３側に対向して配置された実装面５ａと反対側の裏面５ｂに、段差部Ａを有している。この段差部Ａは、半導体チップ５の裏面５ｂにおける周端縁を切り欠いて設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】接合面を有し、接合面には複数の半田付け部が設けられかつ絶縁層が被覆され、絶縁層には前記複数の半田付け部を露出するための開口が形成された基板と、基板上に結合されたチップであって、本体、複数のバンプ及び自己粘着性保護層を含み、自己粘着性保護層がチップ表面上に形成され前記複数のバンプを自己粘着性保護層から露出させ、かつ突出させているチップと、を備え、当該自己粘着性保護層は、感光性接着剤、熱硬化性接着剤及び誘電体材料からなり、チップは、自己粘着性保護層と基板との結合により複数のバンプが複数の半田付け部に電気的に接続され、開口の少なくとも一端を露出できるため、ディスペンス作業を別途行うことなくチップと基板とを結合することができ、製造工程や製造コストを大幅に低減させることができる利点を有している。 （もっと読む）