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【課題】 半導体素子の実装時に半導体素子と被着体との電気的接続を良好に行い、接続信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、アンダーフィル材を備える封止シートを準備する工程と、半導体ウェハの接続部材形成面と上記封止シートとを貼り合わせる工程と、上記半導体ウェハをダイシングして上記半導体素子を形成する工程と、上記被着体と上記半導体素子の間の空間をアンダーフィル材で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する工程とを含み、上記接続工程は、上記接続部材と上記被着体とを下記条件(1)の温度α下で接触させる工程と、上記接触した接続部材を上記被着体に下記条件(2)の温度β下で固定する工程とを含む。
条件(1):接続部材の融点−100℃≦α<接続部材の融点
条件(2):接続部材の融点≦β≦接続部材の融点+100℃ (もっと読む)


【課題】はんだによる短絡不良を低減すること。
【解決手段】半導体素子10の一主面には複数の電極パッド11が、半導体素子10の外周に沿って矩形枠状に配列されている。各電極パッド11には、柱状の電極端子13が立設されている。各々の電極端子13の中心軸L1は、電極パッド11の中心から、電極パッド11の配列方向と直交する方向に沿って半導体素子10の外側にずれた位置に形成されている。半導体素子10が実装される配線基板20には、半導体素子10の電極パッド11と対応する複数の接続パッド22が形成されている。各接続パッド22の中心L2は、半導体素子10の電極パッド11の中心と略一致する。また、各接続パッド22は、配列方向と直交する方向、即ち半導体素子10の外周と直交する方向に沿って延びる矩形状に形成されている。電極端子13は接続パッド22にはんだ30により電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】バンプを有する第1の部品を、当該バンプを介して第2の部品に接合してなるバンプ接合構造体の製造方法において、沈み込み量のばらつきを抑制して安定した接合が実現できるようにする。
【解決手段】バンプ13への超音波振動の印加を開始し、当該超音波振動の印加を続けながら、第1の荷重F1よりも大きい第2の荷重F2を、第1の部品10および第2の部品20に印加することにより、第1の工程の終了時点よりも更に第2の部品20側へ第1の部品10が沈み込むようにバンプ13を潰して接合させる第2の工程において、第1の部品10の第2の部品20側への沈み込みによる変位量を沈み込み量としたとき、第2の工程では、第2の工程における沈み込み量x2をモニタし、当該沈み込み量x2が所定値になった時点で、超音波振動の印加を停止し、第2の荷重F2の印加のみとする。 (もっと読む)


【課題】ボイドの発生を抑制し、かつ、半導体チップ上面への這い上がりを生じにくい電子部品用接着剤を提供する。また、該電子部品用接着剤を用いた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、無機充填剤とを含有する電子部品用接着剤であって、25℃でE型粘度計を用いて測定した5rpmでの粘度をA1(Pa・s)、0.5rpmでの粘度をA2(Pa・s)としたとき、A1とA2/A1とが図1の実線及び破線で囲まれた範囲内(ただし、実線上は含むが破線上は含まない)であり、前記硬化性化合物100重量部に対して、前記硬化剤の配合量が5〜150重量部、前記無機充填剤の配合量が60〜400重量部である電子部品用接着剤。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスを小型化、低背化し、且つコストを低減する手段を得る。
【解決手段】電子デバイスは、第1の電子素子20と、第1の電子素子20を搭載する絶縁基板11と、を備えた電子デバイスであって、絶縁基板11は一方の主面に第1の電子素子20を搭載する電極パッド12を有すると共に、他方の主面に実装端子13を備え、第1の電子素子20に設けた端子と電極パッド12とは、接続用導電部材15を介して導通接続されている。 (もっと読む)


【課題】 より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる基板張り合わせ方法を提供する。
【解決手段】 基板張り合わせ方法は、第1条件下で、第1基板(W1)と第2基板(W2)とのそれぞれ被加工領域毎(ES)に設定された計測点のうち、予め選択された所定数のサンプル計測点(SA)の位置を計測する計測工程(P11、P12)と、サンプル計測点の計測位置を演算パラメータとして統計演算を行い、第1基準マーク及び第2基準マークを基準としたそれぞれの被加工領域の配列のオフセットなどを算出する算出工程(P13)と、第1条件とは異なる第2条件下で、第1基板及び第2基板に対して表面を活性化させる表面活性工程(P15)と、第2条件下で、第1基準マーク及び第2基準マークを観察しながら、算出工程の算出結果に基づいて第1基板と第2基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程(P18、P19)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物4b及び導電粒子5を含有する導電性接着剤層3bと、接着剤組成物4aを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層3aと、を備え、絶縁性接着剤層3aの厚みTiと、導電性接着剤層3bの厚みTcとが、下記式(1)の関係を満たす回路接続用接着フィルム10に関する。
Ti/Tc≧1.5 ・・・(1) (もっと読む)


【課題】半導体装置のI/O系および非I/O系の電源およびGNDをバランス良く強化して、低電圧動作性能および高速動作性能を向上させること。
【解決手段】配線基板2の一面は、接続パッド6Aの列を取り囲むように形成され、かつVSS用接続パッド6A−1と配線16を介して接続されたVSS用面状導体パターン18を備える。配線基板2の他面は、複数のVSSQ用外部端子7−3を連結するように配置されたVSSQ用面状導体パターン21と、複数のVDDQ用外部端子7−4を連結するように配置されたVDDQ用面状導体パターン22とを備える。 (もっと読む)


【課題】吸着ツールに対する半導体チップの位置ずれを補正して被搭載体に搭載可能となり、被搭載体に対する半導体チップの位置精度の向上が図れる半導体装置の製造方法、および、製造装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ2を吸着ツール12で吸着する工程と、吸着ツールに吸着された半導体チップの裏面から赤外線カメラ13で赤外線画像を撮影することにより半導体チップの表面にあるアライメントマークの位置を検出する工程と、赤外線カメラによって検出されたアライメントマークの位置に基づいて吸着ツールに対する半導体チップの位置ズレを補正して半導体チップを被搭載体3に搭載する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板と半導体との間隙への含浸性に優れ、ボイドの発生が抑制された液状エポキシ樹脂組成物を選択する選択方法、及び該液状エポキシ樹脂組成物を用いた信頼性に優れる半導体装置等の電子部品装置を提供する。
【解決手段】フリップチップ封止用の液状エポキシ樹脂組成物の選択方法を、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなる群を準備する工程と、前記液状エポキシ樹脂組成物の含浸温度における粘度及び表面張力をそれぞれ測定する工程と、測定された前記粘度が0.13Pa・s以下であり、測定された前記表面張力が25mN/m以上である液状エポキシ樹脂組成物を選択する工程とを有して構成する。また選択された液状エポキシ樹脂組成物の硬化物を、基板と該基板にフリップチップ実装された半導体素子との間隙に充填して電子部品装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】 モールドアンダーフィル(Molded Underfill;MUF)工程のマスキングテープ用粘着剤組成物、およびこれを用いたマスキングテープの提供。
【解決手段】 本発明のモールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物およびそれを用いたマスキングテープは、改善されたアクリル離型粘着層を構成することにより、既存のアクリル離型粘着層のPCB表面粘着剤残渣(residue)および封止材(EMC)の種類による表面の跡の問題を改善することができる。これにより、PCB表面への粘着剤残渣を防いで、工程不良率を下げることができ、各種のEMCによる表面の跡の問題を改善してMUF工程に用いられる様々な封止材への適用が可能であるというメリットがある。 (もっと読む)


【課題】CuまたはCu合金からなる通電部材(電極端子)に、Cu成分を含有しないはんだを使用しても、通電部材側とはんだとが十分な接合強度を発現するはんだ接続用通電部材、配線用基板及びめっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】CuあるいはCu合金を含む通電部材1上に、ピンホール7を有する置換Snめっき皮膜5と、電解Niめっき皮膜4と、電解Pdめっき皮膜3と、電解Auめっき皮膜2と、がこの順に積層されているはんだ接続用通電部材である。 (もっと読む)


【課題】塗膜形成ステージにおけるペーストの残量管理を適正に行って、ペーストの転写品質を安定させることができる電子部品実装装置および電子部品実装装置におけるペースト転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】検出方向を塗膜形成面24aに向けて配設された光センサ14によってフラックス25を検出することにより、塗膜形成ステージ24へのフラックス25の補給の要否を判断するペースト残量検出手段を備え、補給要否の判断に際し、光センサ14によるフラックス25からの反射光の受光量が、残量が適正である場合の受光量の上限値を示す第1の基準値L1以上であって、かつ残量が過多である場合の受光量の下限値を示す第2の基準値L2以下の場合に、補給の必要有りと判断する。 (もっと読む)


【課題】 狭い隙間への含浸性が優れ、充填剤の沈降及びボイドの発生が少ない液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体等の素子の回路形成面が基板の回路形成面とバンプを介して対向するようにフリップチップ実装し、素子と基板の隙間に該樹脂組成物を充填した高成形性、高信頼性の電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤及び(C)無機充填剤を必須成分とし、必要に応じ(D)硬化促進剤を含む、無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、回転式粘度計の回転数n及びn(n/n<0.5)で測定した粘度比ηすなわちチキソトロピック指数が、0.8より小さい液状エポキシ樹脂組成物を用いる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの積層数が多くなっても、フィレットの水平方向の拡がりを大きくすることなく最上段の半導体チップの端面までアンダーフィル材を供給でき、半導体装置の大型化、配線基板の汚染、アンダーフィル材の上段の半導体チップ間への充填不良等を防止することができる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置10は、配線基板2と、配線基板2上にフリップチップ接続により多段に積層された複数の半導体素子1a〜1eと、配線基板2の外周部に立設され、半導体素子1a〜1eを囲繞する側壁5と、積層された複数の半導体素子1a〜1eと側壁5との間隙、及び配線基板2と半導体素子1a〜1eの各間隙に充填されたアンダーフィル材6とを具備する。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ実装の半導体装置において、パッケージ外部の設計を変更せずに、特定の端子の電位を変更できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、外部端子にバンプを備えるICチップと、前記ICチップを搭載するパッケージとを備え、前記パッケージは、前記外部端子に第1の信号又は第2の信号を印加するインナーリード部を備える。前記インナーリード部は、前記ICチップの搭載位置により、前記外部端子に印加する信号を、前記第1の信号又は前記第2の信号に変更可能なインナーリードのパターンを有する。 (もっと読む)


【課題】カメラによる突起状電極及び/又はアライメントマークのコントラスト像の認識を容易にし、高精度な接合を行うことのできる半導体チップ接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極、又は、突起状電極及びアライメントマークを有し、マトリックスとしての樹脂成分と樹脂成分に不溶な固体成分とを含有する封止樹脂層が前記突起状電極及び/又は前記アライメントマークを被覆するように設けられた半導体チップを準備する工程と、前記封止樹脂層に対して、600nm以上の波長を含む光を光軸が斜めになるように照射し、前記突起状電極及び/又は前記アライメントマークのコントラスト像をカメラにより認識させる工程と、被接合体としての基板又はその他の半導体チップに対して、前記半導体チップの位置調整を行う工程と、前記半導体チップの前記突起状電極と、前記基板又はその他の半導体チップの電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させる工程とを有する半導体チップ接合体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、集積回路素子の電極パッドと、半田バンプとの接合強度の低下を防ぐ圧電装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明の圧電装置100は、素子搭載部材110と、素子搭載部材110に搭載されている圧電素子120と、素子搭載部材110の表面に形成されており、素子搭載領域118aおよび引き回し領域118bを含んでいる金属パターン118と、半田バンプ132によって金属パターン118の素子搭載領域118aに電気的に接続されている集積回路素子130とを備え、金属パターン118が素子搭載領域118aと引き回し領域118bとの間に設けられた凸部119を有しており、凸部119の少なくとも表面部分が金属酸化物から成る。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品14a〜14cを埋め込む樹脂層18の一方の面側に、電子部品に電気的に接続されたバンプ42が形成され、樹脂層の他方の面側に、樹脂層より弾性率の高い部材44が密着した構造物2を形成する工程と、基板46上に形成された電極48とバンプとを接触させた状態で、部材を介して超音波振動を印加することにより、バンプと電極とを接合する工程とを有している。 (もっと読む)


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