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Fターム[5F044QQ02]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤレスボンディング用半導体チップ (2,288) | バンプ電極 (1,821) | 形状・配置 (453)

Fターム[5F044QQ02]に分類される特許

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【課題】はんだによる短絡不良を低減すること。
【解決手段】半導体素子10の一主面には複数の電極パッド11が、半導体素子10の外周に沿って矩形枠状に配列されている。各電極パッド11には、柱状の電極端子13が立設されている。電極端子13の基端部(金属端子部15の基端部16及びバリア層14)は電極パッド11に接続されている。電極端子13(金属端子部15)の先端部17は略半円柱状に形成されている。この略半円柱状の先端部17は、先端面の弧部分が半導体素子10の外側を向くように形成されている。配線基板20の接続パッド22は、配列方向と直交する方向、即ち半導体素子10の外周と直交する方向に沿って延びる矩形状に形成されている。電極端子13は接続パッド22にはんだ30により電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】 3次元実装のプロセスに親和性のある、高精度のアライメントを提供すること。
【解決手段】 複数のシリコンチップ間においてはんだバンプが溶融した場合に、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的な動きを規制する複数のスタッド(40)の組合わせであって、複数のシリコンチップ間に配置される複数のはんだバンプ(10)のピッチに従い、これらの横方向の位置をリファレンスにして横方向位置が決定されていて、複数のシリコンチップが横方向に相対的に移動した場合に相対的に動きが規制されて、複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が(高さ方向において)整列するように、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップにおいて複数のスタッド(40)が設けられる。 (もっと読む)


【課題】 金属バンプを介した容器と圧電振動素子や電子部品素子との接合信頼性を向上させた圧電振動デバイスと当該圧電振動デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器1は、水晶振動素子3と集積回路素子4を容器2に収容し、容器2に蓋5を接合することにより、水晶振動素子3および集積回路素子4を気密に封止した構成となっている。容器2の内底面22には凹部を有する電極パッド10が形成され、集積回路素子4の接続端子上には断面視凸状の金属バンプBが配され、金属バンプBの一部が前記凹部の壁面に対応するように埋入した状態で集積回路素子4と容器2とが接合されている。 (もっと読む)


【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第1の基板は、第1の面と第2の面とを有する第1の基材と、第1の基材の第1の面側に設けられた犠牲層と、第1の基材の第1の面と第2の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第1の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第2の基板は、第3の面を有する第2の基材と、第2の基材の第3の面側に設けられたバンプと、第2の基材の第3の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第2の面と第3の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第1の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第1の基材の第1の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体チップ2とベース材3との積層構造を有する。半導体チップ2の表面上に電極21が形成されており、ベース材3の表面上に電極31が形成されている。半導体チップ2の前記表面とベース材3の前記表面とが対向すると共に電極21と電極31とが突起電極4を介して電気的に接続されている。半導体チップ2の前記表面とベース材3の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域B以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル5に分断領域6が設けられている。 (もっと読む)


【課題】外部接続用電極が狭ピッチであっても、高い接続信頼性を簡易に実現することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】外部接続用電極を備えた半導体装置であって、前記外部接続用電極が、半導体基板上に形成されたメタル層12と、メタル層12と接触するように形成され、かつメタル層12の一部を露出させる開口部13aを有する絶縁層13と、絶縁層13の開口部13aから露出するメタル層12と電気的に接続するように形成されたバリアメタル層14と、を備え、バリアメタル層14が、絶縁層13に垂直な平面とバリアメタル層14の表面とが交わって形成される線分のうち、絶縁層13の開口部13aの周囲の領域に対応する部分に、曲率半径を有する。 (もっと読む)


【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板8と、絶縁基板8上に配置された信号配線電極12と、絶縁基板8上に若しくは絶縁基板8を貫通して配置されたパワー配線電極16と、絶縁基板8上にフリップチップに配置され、半導体基板26と、半導体基板26の表面上に配置されたソースパッド電極SPおよびゲートパッド電極GPと、半導体基板26の裏面上に配置されたドレインパッド電極36とを有する半導体デバイス10と、ゲートパッド電極GP上に配置されたゲートコネクタ18と、ソースパッド電極SP上に配置されたソースコネクタ20とを備え、ゲートコネクタ18とゲートパッド電極GPおよび信号配線電極12、ソースコネクタ20とソースパッド電極SPおよびパワー配線電極16は、固相拡散接合される半導体装置1。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドBP1を長方形状とし、ボンディングパッドBP1のワイヤボンディング領域BP1wでの保護膜5の重なり幅を、ボンディングパッドBP1のプローブ領域BP1pでの保護膜5の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドBP1上の保護膜5に開口部6を形成する。 (もっと読む)


【課題】回路チップの一面側にセンサチップを電気的に接続するとともに、回路チップの一面側に接続部材を設け、接続部材を介して回路チップを基台に支持してなるセンサ装置において、接続部材と基台とのはんだ接合性を向上させる。
【解決手段】接続部材は、Ag−Sn合金の焼結体よりなり、回路チップ20側から基台10側に向かって先窄まりとなるアスペクト比が1以上の円錐形状をなす円錐部材40であり、基台10の一面11に設けられたはんだ60により、円錐部材40の先端部42側と基台10とが接合されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ10と配線板20との接合信頼性の高い撮像装置1を提供する。
【解決手段】実装面12に複数の第1のバンプ16を有する半導体チップ10と、それぞれの第1のバンプ16と接合された第2のバンプ26を有する配線板20と、を具備し、第1のバンプ16の接合面16Sと第2のバンプ26の接合面26Sとが、同じ面積の同じ回転対称多角形である長方形であり、第1のバンプ16と第2のバンプ26の実接合部30Sの面積が、それぞれの接合面16S、26Sの面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】高密度化する電子部品の実装技術において、より簡便な方法で、より高品質、より高信頼性の接続構造を提供する。
【解決手段】電子部品100の実装構造は、複数の電極11を有する電子部品10を、複数の電極11がそれぞれ接合される複数の電極21を有する電子部品20に実装する構造であって、電極11と電極21とが接合されたそれぞれの接合面50は、電極11あるいは電極21が配列されている実装面10s,20s方向に対して傾斜しており、接合面50の傾斜方向は、少なくとも、第一の方向と、第二の方向とを有し、第一の方向と第二の方向は、電子部品10を電子部品20に実装した後に、電子部品10あるいは電子部品20のいずれか一方が他方より高い収縮率で、実装面10s,20sの方向に収縮した場合に、第一の方向の接合面50と第二の方向の接合面50とにそれぞれ応力が発生する方向に傾斜している。 (もっと読む)


【課題】搬送中に、位置合わせされた基板と基板との相対位置がずれるといった課題がある。
【解決手段】基板貼り合せ方法は、仮接合部において、複数の基板を重ね合わせて複数の対向面および側面の少なくとも一方の一部を仮接合部材によって接合する仮接合段階と、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を、本接合部へ搬送する搬送段階と、前記本接合部において、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を本接合部材によって本接合する本接合段階とを備える。 (もっと読む)


【課題】チップとプリント基板間の伝熱ロスの少ないフリップリップ実装を実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる複数のスパイクが表面に形成された基板電極パッドが主面上に配置されたプリント基板と、スパイクの先端に接触する導電性樹脂膜が表面に配置されたチップ電極パッドが、基板電極パッドと対向する主面上に配置されたチップとを備える。 (もっと読む)


【課題】バンプ電極同士の横滑りを防止し、バンプ電極同士を接合する接合材料のはみ出しを抑制する。
【解決手段】
半導体チップ10は、基板17と、基板17の一方の面に設けられた第1のバンプ電極50と、基板17の他方の面に設けられた第2のバンプ電極60と、第1のバンプ電極50と第2のバンプ電極60のうちの少なくとも一方の頂面に形成された導電性の接合材料層61と、を有している。第1のバンプ電極50の頂面は凸面54であり、第2のバンプ電極60の頂面は凹面63である。 (もっと読む)


【課題】接続不良が発生せず導通信頼性を向上させることが可能な異方導電性接着剤を用いたICチップの接続技術を提供する。
【解決手段】本発明は、接続電極としてチップ本体2に複数の実装端子3、4を有し、異方導電性接着剤によって実装されるICチップである。複数の実装端子3、4のうち、長方形形状の接続側面2aの短辺側縁部に設けられたの実装端子4の高さが、接続側面2aの長辺側縁部に設けられた実装端子3の高さより高くされている。この場合、接続側面2aの縁部上に所定の厚さの電極部を複数設けた後、当該複数の電極部のうち実装端子4の高さを高くする領域以外の領域の電極部の表層部分をエッチングによって除去して当該領域の電極部の高さを低くする。 (もっと読む)


【課題】より多くのI/Oセルを配置することができるようにする。
【解決手段】多層配線層には、電位供給用接続配線230が設けられている。電位供給用接続配線230は、平面視で外周セル列20を構成するI/Oセル200のいずれか、および内周セル列30を構成するI/Oセル200のいずれかと重なっている。そして電位供給用接続配線230は、外周セル列20の下方に位置する電源電位供給配線222を、内周セル列30の下方に位置する電源電位供給配線222に接続するとともに、外周セル列20の下方に位置する接地電位供給配線224を、内周セル列30の下方に位置する接地電位供給配線224に接続している。 (もっと読む)


【課題】バンプ接合の界面における剥離を抑制すること。
【解決手段】第1バンプ32が形成された素子10と、第2バンプ34が形成され、前記素子とは熱膨張係数の異なる基板20と、を具備し、前記第1バンプの終端面33は、前記素子の内側に向かって傾斜して形成され、前記第2バンプの終端面35は、前記第1バンプの終端面に対応するように形成され、前記第1バンプの終端面と前記第2バンプの終端面とが接合されている半導体装置。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ(半導体集積回路装置)の実装信頼性を向上させる。
【解決手段】表示パネルと、前記表示パネルを構成する基板上に異方性導電膜を介在して実装される方形状の半導体チップとを備える表示装置であって、前記半導体チップは、前記異方性導電膜側の面に、互いに反対側に位置する2つの長辺のうちの一方の長辺に沿って配列された複数の第1バンプからなる第1バンプ群と、前記2つの長辺のうちの他方の長辺に沿って配列された複数の第2バンプからなる第2バンプ群と、前記第1バンプ群と前記第2バンプ群との間であって前記長辺の延在方向と同一方向に沿って配列された複数のダミーバンプからなるダミーバンプ群とを有する。 (もっと読む)


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