【課題】信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、半導体装置の大きさを大きくすることなく内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、リード３と、半導体素子２の電極２ａとリード３とを電気的に接続する配線部材４と、を備え、配線部材４は、少なくとも導電性を有する材料によって被覆されている。 （もっと読む）

【課題】この発明はテープ状部材を搬送するクランパによる最大搬送ピッチよりも大きなピッチで電子部品を能率よく実装する実装装置を提供することにある。
【解決手段】キヤリア部材を搬送するクランパ３１，３５によって搬送されるキヤリア部材に電子部品を実装する実装部１と、キヤリア部材に電子部品を実装するときにクランパの駆動を制御する制御装置５０を具備し、キヤリア部材にクランパの最大送りピッチよりも大きなピッチで電子部品を実装するとき、実装ピッチをＰ１、搬送手段によるキヤリア部材の最大送りピッチをＰ２、実装ピッチＰ１と最大送りピッチＰ２の差の不足長さをＳとすると、制御装置は、クランパを初期位置から不足長さＳ或いは最大送りピッチＰ２のいずれかの距離で駆動してキヤリア部材を搬送させてから、クランパを不足長さＳ分だけ戻し、ついでキヤリア部材の最初からの搬送距離が実装ピッチＰ１と同じになるようキヤリア部材をクランパによって搬送させてからクランパを初期位置に戻す。 （もっと読む）

【課題】極薄チップ（特に単層）の反りや破損を生ずることなく該チップのピックアップ及び／またはリリース動作を精密に行うことのできるマウント装置及びマウント方法の提供。
【解決手段】先端から懸垂される第１の液滴２６によって小片の第１の面を吸着することのできる、互いに絶縁された第１及び第２の電極３４，７２が設置されたピックアップであって、前記ピックアップを移動させる搬送機構と、第２の位置近傍に所在し、先端から湧出される２の液滴７６によって前記小片の第２の面を吸着することのできる、互いに絶縁された第３及び第４の電極が設置されたマウント先液滴湧出機構と、前記第１の電極及び第２の電極間に電位を印加して、及び/または前記第３の電極及び第４の電極間に電位を印加して、前記第１及び/または、第２の液滴の表面張力を変化させるための第１及び/または第２電位発生源とを具備したマウント装置及びマウント方法。 （もっと読む）

【課題】電極表面酸化を防止し安定した常温接合装置を提供すること。
【解決手段】２体のウェハにそれぞれ形成された複数の電極面を接合する接合装置であって、前記電極面を平坦化する平坦化装置１０と、前記平坦化された前記電極面を活性化する活性化装置２０と、前記電極面同士の位置合わせを行うアライメント装置３０と、前記位置合わせされた電極面同士を重ね合わせる重ね合わせ装置３０と、重ね合わせた前記２体のウェハを加圧する加圧装置４０と、前記平坦化装置、前記活性化装置、前記アライメント装置、前記重ね合わせ装置、及び前記加圧装置の間の少なくとも１つに前記ウェハを搬送する搬送装置５１，５２，５３とを有する接合装置。 （もっと読む）

【課題】非はんだフリップチップ技術改良のため半硬化初期状態の異方性伝導接着剤(ACA)または非伝導性接着剤(NCA)を利用した技術を提供する。
【解決手段】絶縁性高分子樹脂、硬化剤及び有機溶媒を含む混合物溶液１１５を、非はんだバンプの形成されたウェハー１００上に塗布した後、乾燥して、ウェハー１００上に塗布された混合物１１５を半硬化状態(B-stage)初期にする段階と、前記乾燥されたウェハー１００を個別チップ２００にダイシングする段階と、前記個別チップにダイシングされた半導体チップ２００を基板３００の電極と配列した後、熱と圧力を加えて、フリップチップ接続する段階とから製造される。接着剤を溶液状態で直接ウェハー上にコーティングして利用するため、平坦ではないウェハー表面で発生しやすいシャドー効果を効果的に抑えることができ、またコーティングの厚さ調節が容易である。 （もっと読む）

【課題】異方導電テープを使用する際の静電気の影響を十分に低減できる接着材リール及びこれを用いた回路接続体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の接着材リール１０は、テープ状の基材６及びその一方面上に設けられた接着剤層８を有する異方導電テープ５と、異方導電テープ５が外面Ｆ１上に巻かれた筒状の巻芯１と、巻芯１の軸方向の両端面にそれぞれ設けられ、中心部に貫通孔２ａを有する側板２とを備え、巻芯１の内面Ｆ２及び側板２の貫通孔２ａにおける内壁面Ｆ３によって、回転軸２０ａを挿入するための軸穴１０ａが形成されており、側板２は、巻回した異方導電テープ５の側面と対向する内側面Ｆ４上に、貫通孔２ａの内壁面Ｆ３から当該側板２の円周方向に延びる導電路２ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】回路基板上にフリップチップボンディングされた半導体基板をエッチングにより薄い半導体チップに加工する際、エッチング保護膜に保護された半導体基板の端面近傍がエッチング残渣として半導体チップの裏面に残留することを防止する。
【解決手段】半導体基板２１の主面６ａに半導体チップ２０を画定する分割用溝９を形成し、この半導体基板２１を回路基板１５にフリップチップボンディングする。その後、半導体基板２１の裏面１ｂを分割用溝９が表出するまでエッチングして、分割用溝９で画定される半導体チップ２０を回路基板１５上に形成する。他方、分割用溝９より外側部分は、エッチング保護膜１４の除去により、外側部分上に残留するエッチング残渣１７と共に除去される。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装時に、ベアチップの実装位置に多少のズレが生じても、ベアチップのアノード電極およびカソード電極間の短絡の発生を防止する。
【解決手段】ＬＥＤベアチップ１または回路基板２にバンプ３を設け、バンプを間に介在させてＬＥＤベアチップを回路基板に対向配置し、ＬＥＤベアチップに超音波振動を印加しつつ熱圧着し、バンプを塑性変形して、ＬＥＤベアチップを回路基板に電気接続するＬＥＤベアチップのフリップチップ実装方法であって、超音波振動をＬＥＤベアチップの対向する一対の辺を斜めに横切る方向に印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に実装された半導体チップの実装状態の良否を確実に判定することができるようにした実装装置を提供することにある。
【解決手段】半導体チップ４のバンプ４ａを基板１に押圧しながら超音波振動を付与してバンプを基板に接合させて半導体チップを実装する実装ツール７と、基板に実装された半導体チップのバンプを半導体チップを介して撮像する赤外線カメラ３３と、赤外線カメラの撮像信号を画像処理する画像処理部３４と、画像処理部で処理された撮像信号からバンプのつぶれ度合を求めてバンプによる半導体チップの実装状態を判定する比較部３７を具備する。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に貼付される電子部品実装用の樹脂テープのはみ出し、めくれを防ぎ貼付品質を向上させる。
【解決手段】カッタにより樹脂テープ片４２１の角部４２１ａ，４２１ｂが９０°未満になり、該角部４２１ａ，４２１ｂよりも樹脂テープ片４２１の中央部４２１ｃにおける樹脂が少なくなるように切断し（２点鎖線の形状）、実装時に電子部品１０の中央から矢印Ａ方向へ押し出された樹脂テープ片４２１が、電子部品１０の端面近傍に留まり、樹脂テープ片４２１の回路基板９からのはみ出し量を少なくし、基板端面からはみ出すことを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 ＣＯＧ部における接続抵抗を的確に把握することが可能な集積回路素子実装モジュールを提供する。
【解決手段】 アレイ基板ＡＲ上に形成された配線の接続端子に対して端子電極を電気的に接続することで集積回路素子であるＩＣチップ６が実装されている。ＩＣチップ６内部で電気的に接続される同一の電位を有する一対の端子電極６Ａ，６Ｂに対応して、アレイ基板ＡＲ上の配線の接続端子１１Ａ，１１Ｂが設けられ、これら接続端子１１Ａ，１１Ｂと接続されてＩＣチップ６の端子電極６Ａ，６Ｂ間の接続抵抗を検出するための実効抵抗検出端子１３Ａ，１３Ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 小型のデバイスを、人の手で簡単に取扱うことができるようにすることにより、デバイスに対する複数の処理を、手作業により簡単に行えるようにすることを目的とする。
【解決手段】 デバイス４０を、片手での取扱いが容易なクランパーベース１０に、横方向および上下方向Ｚに位置決めした状態で保持し、デバイス４０に対する、クリーム半田４３の印刷塗布、および半田ボール４２の付着の位置合せを、クランパーベース１０を介して行うことで、精度よく簡単に達成する。 （もっと読む）

【課題】超音波接合における接合強度がより正確に予測できるようにする。
【解決手段】常温より温度Ｔを加えた場合のバンプ材料の温度印加時降伏応力σ_yTを求める温度条件設定部１０１と、ヘッド振幅δ（μｍ）の超音波振動を与えた場合の超音波印加時降伏応力σ_yUSを求める超音波条件設定部１０２と、超音波接合により変形した後の接合バンプ高さｈを求める変形バンプ高さ算出部１０３と、接合した状態におけるバンプの接合面積Ｓを求める接合面積算出部１０４と、接合面積Ｓ及び予め得られている降伏応力σ_y，常数φをもとに接合強度予測値ｆを求める接合強度予測部１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のテープキャリアを搬送する搬送機構は、パーフォレーションを利用する搬送機構、ローラ対で挟持して搬送するグリップローラ搬送機構、又はテープ表裏面をクランプして搬送するクランプ機構があるがいずれも、テープ表面に損傷を与えている。
【解決手段】スライド搬送部６Ａ，６Ｂにおける吸着パッド２５，３０が交互にテープ状基板５の裏面を吸着保持したまま、搬送方向の上流から下流に搬送移動する。このような交互の往復移動を連続的に行うことにより、搬送方向上流側から下流側にテープ状基板５を移動させる基板テスタの搬送機構である。 （もっと読む）

【課題】一面に可動部を有するセンサチップと回路チップとをバンプを介して電気的に接続するとともに、可動部を接着フィルムの中空部で保護してなる角速度センサ装置において、接着フィルムの貼り付け後において中空部の形状を適切に保持する。
【解決手段】一面に可動部１０を有するセンサチップ１００を、その一面を回路チップ２００に対向させた状態でバンプ８０を介して回路チップ２００に重ねて電気的に接続するとともに、バンプ８０によって両チップ１００、２００を離間させ、センサチップ１００の一面に、電気絶縁性を有するフィルム状の接着フィルム４００を貼り付け、この接着フィルム４００のうち可動部１０に対応する部位を、可動部１０とは空隙を有して離れた中空部４１０として構成し、中空部４１０の内部の圧力を、中空部４１０の外部の圧力よりも高いものとている。 （もっと読む）

【課題】順応性のあるインターフェースを提供する。
【解決手段】半導体チップの順応性インターフェースを形成する方法は、第１の面、第２の面、第２の面にある複数の端子１４０及び第１の支持構造体の第１の面にある多孔弾性層を有する第１の支持構造体１００を提供する工程と、弾性の多孔層が第１の支持構造体と第２の支持構造体との間に配置されかつ第１の支持構造体を第２の支持構造体から隔てるように、第２の支持構造体１２０の第１の面を多孔層に当接させる工程と、第１の硬化性液体が第１の支持構造体と第２の支持構造体との間に配置されるように、当接工程の後に第１の硬化性液体を多孔層内に配置する工程と、複数の端子をプラテンと係合させることによって複数の端子を互いに略共面整合させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一面と半導体チップの一面よりも平坦度が劣るパッケージの接合面とを対向させ、これら両部材を、複数個の接合部材を介して接合する部品の実装方法において、パッケージの接合面の高さばらつきが大きいものであっても、複数個の接合部材を一括して適切に配置できるようする。
【解決手段】シート部材３１と、複数個の開口部５１を有する第１の型５０と、第１の型５０への組み付け時に各開口部５１を貫通する複数個の突出部６１を有する第２の型６０とを用意し、第１の型５０の上にシート部材３１を載せ、第２の型６０を第１の型５０に組み付けて突出部６１を開口部５１に貫通させることにより開口部５１の部分にてシート部材３１を打ち抜き、突出部６１の先端部によって、打ち抜かれた部分３０を接合部材３０としてパッケージ２０の接合面２１に押し付けて貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】基板の部品接合部位のプラズマ処理を熱ダメージを与えることなく効率的に行うことができる基板への部品実装方法及び装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル６などの基板の部品接合部位をプラズマ処理した後、その接合部位に部品を接合する基板への部品実装方法において、反応空間２１に第１の不活性ガス２５を供給するとともに反応空間２１の近傍に配設したアンテナ２３に高周波電圧を印加して反応空間２１から誘導結合型プラズマからなる一次プラズマ２６を吹き出させ、この一次プラズマ２６を、第２の不活性ガスを主とし適量の反応性ガスを混合した混合ガス領域３０に衝突させて二次プラズマ３１を発生させ、発生した二次プラズマ３１を基板の部品接合部位に照射するようにした。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ洗浄する際、温度管理が可能な超音波接合方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ洗浄工程を含む半導体チップの超音波接合方法において
、プラズマノズルの走査速度、プラズマノズルと洗浄対象物との距離、およびプ
ラズマ電力を基に前記洗浄対象物の上昇温度を求める式とこの式に用いる前記洗
浄対象物の固有常数とを記憶しておき、前記洗浄対象物の上昇温度を設定するこ
とにより、この式から複数のプラズマ電力とプラズマノズルの走査速度の組み合
わせを算出し、この組み合わせの中から任意の一つの組み合わせを選択し、選択
されたプラズマ電力とプラズマノズルの走査速度で前記洗浄対象物を設定温度に
保持しつつ洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップのダイボンド等において、比較的低温で十分な接合強度を有する接合部をえることができる方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ１０に純度が９９．９重量％以上であり、平均粒径が０．００５μｍ〜１．０μｍである金粉、銀粉、白金粉、又はパラジウム粉から選択される一種以上の金属粉末と、有機溶剤とからなる金属ペースト２０を塗布した。金属ペースト２０を塗布した後、これを乾燥器にて真空乾燥し、チップを２３０℃で３０分加熱して金属ペーストを焼結し、粉末金属焼結体２１とした。次に、Ｎｉ板３０を、半導体チップ１０の上に載置し、加熱及び加圧して接合する。 （もっと読む）