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Fターム[5F044RR00]に分類される特許
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半導体装置の製造方法
【課題】基板と半導体チップとの電極端子同士を固相拡散によりフリップチップ接合するとともに、基板と半導体チップとの間に熱硬化樹脂によりアンダーフィルを施す半導体装置の製造方法であって、アンダーフィル材の硬化工程において、加熱により電極端子の接合が破断してしまうことのない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板6と半導体チップ4との電極端子6a,4a同士を固相拡散によりフリップチップ接合する接合工程と、基板6と半導体チップ4との間に熱硬化樹脂から成るアンダーフィル材10を充填するアンダーフィル充填工程と、アンダーフィル材10を硬化温度に加熱して硬化させるアンダーフィル硬化工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記アンダーフィル硬化工程で、基板6と半導体チップ4とのうちより熱膨張率の低い部材を、より高い温度に加熱する。
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半導体装置の実装方法及び実装基板
【課題】簡易な方法で、半導体装置の各ランド端子と、実装基板の各ランド端子との各はんだ接合部の良否を判断できる半導体装置の実装方法及び実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板1に、他のランド端子5よりもその表面積の大きく形成した検査用ランド端子5aを設け、該検査用ランド端子5a上のはんだペーストは、相対するBGA型半導体装置2のはんだバンプ6aよりも平面方向にずれた位置に形成されているので、実装後、BGA型半導体装置2の各ランド端子4と、実装基板1の各ランド端子5との各はんだ接合部の良否は、実装基板1の検査用ランド端子5aと、相対するBGA型半導体装置2のランド端子4aとの導通を確認することにより判断できるので、特別なBGA型半導体装置2を開発する必要がなく、汎用のパッケージを使用でき、簡易な方法で各はんだ接合部の検査を行うことが可能になった。
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ボンディング装置およびボンディング方法
【課題】属人的なノウハウの数式化によりボンディング条件の定量的な設定を可能にする。
【解決手段】ボンディング条件を演算するための関数式を予め記憶部11に記憶され、この関数式の変数となるチップ1や基板3に関するワーク情報およびボンディング動作に関連する情報を入力することにより印加荷重と振動パワーからなる定量的なボンディング条件が自動的に設定されるようにした。これにより、個人差のないボンディング条件の設定を迅速に行うことが可能になる。
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部品接合装置及び部品接合方法
【課題】接合部品が実装されたフラットパネルの歩留まりを大きく向上させることが可能な部品接合装置及び部品接合方法を提供する。
【解決手段】異方性導電接着剤100cを介して、フラットパネル100bのパネル電極と接合部品100aの部品電極とを接合させる押圧部102及びバックアップステージ103と、接合が行われているときに、接合させているパネル電極と部品電極との間に位置し、接合により変形した導電性粒子を撮像する接合認識部106と、接合が行われているときに、変形した導電性粒子の撮像結果に基づいて、接合の接合条件を変更する制御部200とを備える。
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電子部品実装方法
【課題】電子部品の一面に多数の突起電極が設けられていても確実に高い信頼性をもって超音波接合できる電子部品実装方法を提供する。
【解決手段】一面に複数の突起電極2aを有する電子部品2の突起電極配設面とは反対側の背面を超音波振動伝達手段にて保持し、支持台8上に配置固定した基板3と位置合わせを行い、電子部品2の各突起電極2aを基板3の各電極に接触させる工程と、超音波振動伝達手段を介して電子部品2の背面に押圧荷重を負荷しつつ超音波振動発生手段24にて超音波振動伝達手段を介して電子部品2の表面と略平行な振動方向の超音波振動を付与する工程と、加熱手段39にて超音波振動伝達手段に対して非接触方式で電子部品2をその背面から加熱して電子部品2と基板3の接合部に熱エネルギーを付与する工程とを有している。
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発振器用集積回路の製造方法
【課題】従来、発振器用ICは、ワイヤーボンディング実装用とフリップチップ実装用のそれぞれについて専用設計となるため、それぞれに対応した製品を同一の製造ラインで製造しようとした場合には、製造コストが嵩むと共に製造工期の長期化を招いていた。本発明は、製造コストを増大させることなく且つ製造工期の短縮化を図ることが可能な発振器用集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】発振器用集積回路に関し、配線用マスク1層を変更するのみで、ワイヤーボンディング実装用のパッド配置と、フリップチップ実装用のパッド配置とを、選択可能に構成する。
具体的には、VDD電位を供給する配線及びGND電位を供給する配線の近傍に設けられる、VDD及びGND電位用として用いられる一対のパッドと、GND電位を供給する配線及びVDD電位を供給する配線とを、選択配線により接続する。
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配線基板及びその製造方法、ならびに半導体装置及びその製造方法
【課題】フィルム基材の突起電極と半導体素子の電極パッドとを接続する際に印加される応力に対して、実用的に十分な強さで導体配線が保持され、十分な接続安定性が得られて、半導体素子の狭ピッチ化にも対応できる配線基板を提供する。
【解決手段】フィルム基材4と、フィルム基材上に整列して設けられた複数本の導体配線5a、5bと、各導体配線の端部近傍に金属めっきにより形成された突起電極7a、7bとを備える。突起電極の導体配線の幅方向における両端はR面を形成し、突起電極の導体配線の長手方向における両端は垂直面を形成しており、導体配線は、配線幅W1を有する第1導体配線5aと、配線幅W1よりも広い配線幅W2を有する第2導体配線5bとを含み、第1導体配線上の突起電極7aと第2導体配線上の突起電極7bは、高さがほぼ等しい。
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バンプ配置評価装置、半導体装置設計支援装置及び半導体装置製造方法
【課題】バンプレイアウトの適否を試作前に判定することで、試作チップの製作コストの低減及び半導体装置設計の時間短縮を行うこと。
【解決手段】半導体チップ102の外形寸法、半導体チップ102におけるバンプ座標、各バンプ103のバンプ径、半導体チップ102に印加する超音波振動に基づいて半導体チップ102にかかる回転力を算出し、回転力によって各バンプ103に生じる応力を算出し、各バンプ103に生じる応力に基づいてバンプ103の配置の適否を評価する制御部31を備えている。
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ボンディング装置および半導体装置の製造方法
【課題】突出電極と端子電極との接合時の残留応力を抑制しつつ、接合強度を確保する。
【解決手段】突出電極5を配線パターン2に接合させる場合、突出電極5に超音波振動が
印加されている時に超音波振動の振幅と荷重との積が常に一定かつ超音波振動の印加開始
時より印加終了時の方が荷重が大きくなるように半導体チップ4にかかる荷重を制御する
。
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ボンディング装置及び半導体装置の製造方法
【課題】リードフレームの搬送が停止されてもリードフレームの酸化が防止できるボンディング装置を提供する。
【解決手段】本発明のボンディング装置は、酸化防止ガスが流れる筒様の搬送路5の所定位置の下部にヒータ8を配置し、搬送路内に酸化防止ガス7を供給し、搬送路の所定位置の上方に形成された作業孔10から上に逃げ出して陽炎12となる熱気体を吹き飛ばすための気体を吹き出す陽炎防止ブロワ13を設け、この陽炎防止ブロワから作業孔に吹き付けられる気体14が作業孔から搬送路内に流れ込まないように当該気体の流れをガイドするために、作業孔よりも陽炎防止ブロワの気体吹出口側に整流板20を設置したものである。
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電子部品の半田付け方法および電子部品の半田付け構造
【課題】半田接合性と絶縁性の確保を両立させることができる電子部品の半田付け方法および電子部品の半田付け構造を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品の半田付けに際してバンプと電極との間に介在させて用いるフラックスに、リフロー時において溶融半田を導く効果を目的として混入される金属粉8を、半田バンプを構成する半田の液相温度よりも高い温度で溶融する金属からなるコア部8aと溶融した半田に対する濡れ性が良く且つ溶融したコア部8aに固溶する金属からなる表面部8bとを有する薄片状もしくは樹枝状とし、リフローによる加熱において、半田部に取り込まれずにフラックス中に残留した金属粉を溶融固化させて略球状の金属粒子18にする。これにより、リフロー後に金属粉がマイグレーションを起こしやすい状態でフラックス残渣中に残留することがなく、半田接合性と絶縁性の確保を両立させることができる。
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半導体装置の製造方法
【課題】本発明の目的は、素子の形成されている面における金属汚染量が少なく、信頼性の高い半導体装置を製造する半導体装置の製造方法、および当該方法により製造される半導体装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係わる半導体装置の製造方法は、特に(A)半導体チップとパッケージとの接合部をベークする時に、パッケージ表面から半導体チップ裏面に向けて金属が飛来しないように半導体チップの裏面に向けて気体を送る送風ステップと、(B)半導体チップの裏面にリード圧着台を接続する際に、半導体チップの裏面に対向する接合面にコーティング膜を有するリード圧着台を接続する圧着台接続ステップと、の少なくとも1つを備える。
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表面活性化方法および表面活性化装置
【課題】被接合物の接合面の表面活性化処理を効率よく行うことで該被接合物どうしの接合強度の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】プラズマ処理前半において、酸素プラズマによって被接合物308の接合面を表面活性化処理した後、プラズマ処理後半において、酸素ラジカルを照射することで、被接合物308の接合面は、主にプラズマ中のラジカルと反応して、効率よく均一に表面活性化(親水化)処理される。さらに、続いて、効率よく均一に親水化処理された接合面に窒素ラジカルを照射することで、親水化処理された接合面に生成されたOH基が窒素置換されてON基に置換され、この状態で、被接合物どうしを重ね合わせることによって接合界面に窒素化合物(Si、O、Nの化合物)が形成され、常温〜100℃以下の低温でも被接合物どうしを強固に接合することができる。
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半導体チップパッケージに用いる接点パッドの表面処理およびそれらの表面処理を施す方法
半導体チップパッケージ(10)をプリント配線板(50)または他の基板に実装するとき、半導体チップパッケージ(10)の接続導体(32)をはんだ濡れに対してマスキングするための表面処理として使用する無機はんだマスク(48)。接続導体(32)は、異なる金属から形成した金属化接点(42)で部分的にカバーする。接続導体(32)の、金属化接点(42)でカバーされていない露出部分(44)に、無機はんだマスク(46)を塗布する。金属化接点(42)は無機はんだマスク(46)によって被覆しない。無機はんだマスク(46)の存在によって、融解はんだが接続導体(32)上に存在するとき、金属化接点(42)上に形成する固化したはんだ層(48)に影響を及ぼすことなく、露出部分(44)のぬれを大幅に減少または防止する。この結果、接続導体(32)の露出部分(44)に余剰はんだが固化しない。
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半導体チップの実装構造
【課題】半導体チップを回路基板にはんだバンプを用いてフリップチップ接続する実装構造において、接続バンプの耐TC寿命を向上させること。
【解決手段】半導体チップ16を回路基板12に接続バンプ14でフリップチップ接続した実装構造において、補強材18を半導体チップ16の周りの回路基板12に固着し、補強材18と半導体チップ16の側面を樹脂接着剤20で接合する。補強材18は、室温で50GPa以上のヤング率をもち、接続バンプ14と同等か、もしくは、より小さい線膨張係数をもつ。樹脂接着剤20は、室温で5GPa以上のヤング率をもつ。さらに、樹脂接着剤20で接合された補強材18と半導体チップ16の側面の間隔は、50μm以下とする。
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配線基板、半導体装置、およびその製造方法
【課題】テープキャリア基板などの配線基板の導体配線上に形成された突起電極と半導体素子の電極パッドとを接続する際に、その応力に対して実用的に十分な強さで保持され、十分な接続安定性が得られるようにする。
【解決手段】絶縁性のフィルム基材4上に整列して設けられた複数本の導体配線5と、複数本の導体配線5のそれぞれの上に形成された突起電極7とを備えたテープキャリア基板1を、導体配線5の表面の突起電極形成領域を含む領域に導体配線5より硬質な硬質金属膜が形成され、突起電極7は導体配線5を幅方向に横切って導体配線5の片側からもう片側に亘って形成された構造とする。突起電極7の近傍部で起こりやすかった断線を防止できるばかりでなく、横方向に加わる力に抗する安定性も十分である。硬質金属膜は突起電極7の表面には形成されていないので、突起電極7は容易に大きく変形可能であり、接続対象の電極パッドに良好に接続可能である。
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駆動回路素子の接続構造
【課題】回路基板に直接搭載された駆動回路素子のアライメント状態の良否を簡便に判定できる簡素なアライメント検査機能を有する駆動回路素子の接続構造を提供する。
【解決手段】略細長直方体をなすドライバチップの底面の4コーナ部にそれぞれアライメント信号を出力可能に配線接続されたアライメントバンプが配設され、前記ドライバチップが載置される回路基板には、これらアライメントバンプに対応させてアライメント信号出力配線6がそれぞれ配設される。各アライメント信号出力配線6は、アライメントバンプに対応する位置にこのアライメントバンプの周囲に所定量の隙間を均等に確保するための正方形枠状に形成された導通接触検出用の枠状パット61が一端に設けられ、他端にはアライメント信号を出力するための平面パッド62が形成されている。
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回路接続構造体及びその製造方法及び回路接続構造体用の半導体基板
【課題】追加的な表面処理で耐熱性樹脂膜に化学的に安定な官能基を導入して接着性を改善し、高温高湿時においても耐熱性樹脂膜と回路接着部材間で優れた接着性を示す回路接続構造体を得ること。
【解決手段】回路接続構造体1Aでは、半導体基板2と回路部材3とがこれらの間に挟持される回路接着部材4によって接着されている。また、回路接着部材4中の導電性粒子8により、半導体基板2表面の第1の回路電極5と回路部材3の第2の回路電極7とが電気的に接続される。半導体基板2は、窒素、アンモニア等を含むガスを用いて、プラズマ処理により表面改質処理されている。従って、半導体基板2の耐熱性樹脂膜5と回路接着部材4とは、高温高湿下においても長期に亘って強固に接着されている。
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ICの実装方法と、発振器の製造方法及びその製造方法により形成された発振器
【課題】 超音波接合時の微粉末の発生を防止してICの機能低下を防ぎ、且つ発振器の性能低下を防止する。
【解決手段】 パッケージ11の2層目キャビティー12にICチップ16の能動面16aに形成したバンプ17を配線電極に位置決めする工程と、前記ICチップ16のバンプ17に対応する部分を除いたICチップの非能動面16bに超音波ノズル18を当接する工程と、該超音波ノズル18にてICチップ非能動面16b側から荷重を加える工程と、前記超音波ノズル18に超音波振動を付与する工程と、前記パッケージ11の1層目キャビティー13に振動子を実装する工程と、前記パッケージ11内を真空に封止する工程とより成る。
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半導体装置の製造方法および製造装置
【課題】フリップチップ実装の半導体装置において、そのフリップチップ実装による接続の信頼性を十分に確保でき、また製造装置構成の複雑化等を招くのを回避する。
【解決手段】半導体チップ1,5,6がフリップチップ実装されてなる半導体装置の製造方法において、前記フリップチップ実装による接続端子1a,2a,5a,6a間の少なくとも一方に形成された半田バンプ3に対してプラズマを用いた洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄工程による洗浄後の半田バンプ3を加熱溶融して前記接続端子1a,2a,5a,6a間の接合を行う接合工程とを含む。そして、前記洗浄工程では、前記プラズマを用いた洗浄を、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気中で行うようにする。
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