【課題】 ３次元実装のプロセスに親和性のある、高精度のアライメントを提供すること。
【解決手段】 複数のシリコンチップ間においてはんだバンプが溶融した場合に、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的な動きを規制する複数のスタッド（４０）の組合わせであって、複数のシリコンチップ間に配置される複数のはんだバンプ（１０）のピッチに従い、これらの横方向の位置をリファレンスにして横方向位置が決定されていて、複数のシリコンチップが横方向に相対的に移動した場合に相対的に動きが規制されて、複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が（高さ方向において）整列するように、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップにおいて複数のスタッド（４０）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第１の基板は、第１の面と第２の面とを有する第１の基材と、第１の基材の第１の面側に設けられた犠牲層と、第１の基材の第１の面と第２の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第１の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第２の基板は、第３の面を有する第２の基材と、第２の基材の第３の面側に設けられたバンプと、第２の基材の第３の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第２の面と第３の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第１の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第１の基材の第１の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２とベース材３との積層構造を有する。半導体チップ２の表面上に電極２１が形成されており、ベース材３の表面上に電極３１が形成されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とが対向すると共に電極２１と電極３１とが突起電極４を介して電気的に接続されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域Ｂ以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル５に分断領域６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】回路チップの一面側にセンサチップを電気的に接続するとともに、回路チップの一面側に接続部材を設け、接続部材を介して回路チップを基台に支持してなるセンサ装置において、接続部材と基台とのはんだ接合性を向上させる。
【解決手段】接続部材は、Ａｇ−Ｓｎ合金の焼結体よりなり、回路チップ２０側から基台１０側に向かって先窄まりとなるアスペクト比が１以上の円錐形状をなす円錐部材４０であり、基台１０の一面１１に設けられたはんだ６０により、円錐部材４０の先端部４２側と基台１０とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】生産性および信頼性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第一の接合工程では、半導体チップ１０、第一樹脂層１１、半導体チップ１２、第二樹脂層１３、半導体チップ１４を積層することにより得られ、半導体チップ１０，１２同士、半導体チップ１２，１４同士が半田接合されていない状態の積層体２を加熱して、半導体チップ１０，１２間、半導体チップ１２，１４間の半田接合を行う。その後、半田接合した積層体２を基材１８上に設置する。積層体２の基材１８への接続用端子１６２と、基材１８の積層体２への接続用端子１８１とが当接するように、積層体２を基材１８上に設置する。 （もっと読む）

【課題】３次元実装された半導体素子間の空間の充填を容易かつ確実に行うことができる積層フィルムを提供する。
【解決手段】積層フィルムは、接続用部材４１ｂを介して電気的に接続された半導体素子間の空間を充填するための積層フィルムであって、基材１上に粘着剤層２が積層されたダイシングシートと、粘着剤層上に積層された硬化性フィルム３とを備え、硬化性フィルムの５０〜２００℃における最低溶融粘度は、１×１０^２Ｐａ・ｓ以上１×１０^４Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】大きな面積のウェハを貼り合わせた場合に該ウェハ間に形成される間隙にも十分に注入することができ、かつ注入途中で硬化しない接着部材を提供する。
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】三次元積層型半導体装置の製造プロセス適合性を満たした上で、高い熱伝導性を有するエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール骨格を有するエポキシ樹脂と、下記式（４）で表される構造のエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。
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【課題】搬送中に、位置合わせされた基板と基板との相対位置がずれるといった課題がある。
【解決手段】基板貼り合せ方法は、仮接合部において、複数の基板を重ね合わせて複数の対向面および側面の少なくとも一方の一部を仮接合部材によって接合する仮接合段階と、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を、本接合部へ搬送する搬送段階と、前記本接合部において、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を本接合部材によって本接合する本接合段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極同士の横滑りを防止し、バンプ電極同士を接合する接合材料のはみ出しを抑制する。
【解決手段】
半導体チップ１０は、基板１７と、基板１７の一方の面に設けられた第１のバンプ電極５０と、基板１７の他方の面に設けられた第２のバンプ電極６０と、第１のバンプ電極５０と第２のバンプ電極６０のうちの少なくとも一方の頂面に形成された導電性の接合材料層６１と、を有している。第１のバンプ電極５０の頂面は凸面５４であり、第２のバンプ電極６０の頂面は凹面６３である。 （もっと読む）

【課題】バンプ部分のボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる、接着剤層付き半導体ウェハを用いる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属バンプ１２が形成された回路面を有する半導体ウェハ１０の回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有する接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程とを備え、２層以上の構造を有する接着剤層が、回路面側にフィラーを含有する内層７と、フィラーを含有しない又は内層よりもフィラーの含有量が小さい最表面層６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ１２が形成された回路面を有する半導体ウェハ１０の回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤６，７の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハ４０を得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハ４０と、他の半導体ウエハ５０とを、接着剤層付き半導体ウェハ４０の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】２枚のシリコン基板を重ね合わせて接着し、２枚のシリコン基板のそれぞれに形成されたバンプ電極同士を電気的に接続する半導体装置において、樹脂によるバンプ保護性能の低下を防ぎ、また、バンプ電極間の接続性の低下を防ぐ。
【解決手段】第１シリコン基板１００上および第２シリコン基板１０１上のそれぞれに、上面の高さが揃ったバンプ電極２３０、ダミーバンプ２４０および耐熱性樹脂膜３００を形成した後、第１シリコン基板１００と第２シリコン基板１０１とをそれぞれの基板に形成されたバンプ電極同士が電気的に接続されるように接着させる。その際、ダミーバンプ２４０を対向するシリコン基板上の耐熱性樹脂膜３００に接着するように配置することで、バンプ電極同士の良好な電気的接続と、耐熱性が高くボイドがない樹脂膜によるバンプ保護性能を併せ持った半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】開口部の形成工程（現像・露光工程）における再配線層の浸食等を低コストで抑制することを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態においては、電極パッド２１と再配線層２２とを有する半導体チップ上に感光性絶縁樹脂層２３を形成する。半田バンプの形成位置を強露光すると共に、ワイヤボンディング部を弱露光するように、感光性絶縁樹脂層２３を露光した後に現像処理し、半田バンプの形成位置に開口部２５を形成すると共に、ワイヤボンディング部に感光性絶縁樹脂層２３を残存させつつ凹部３１を形成する。開口部２５に半田バンプ３６を形成した後、凹部３１内に残存させた感光性絶縁樹脂層２３を除去し、ワイヤボンディング部における電極パッド２１の表面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】従来の上層集積回路の下面と下層集積回路の上面とを接着剤によって接着して形成される半導体装置に比べて、放熱性及び接続信頼性を向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１Ａは、Ｓｉ基板７Ａの第１の面に設けられたトランジスタ形成層２０と、トランジスタ形成層２０のトランジスタと電気的に接続されてＳｉ基板７Ａを貫通して第２の面から突出して形成された貫通電極２２とを有する上層集積回路２と、半導体基板に形成されたトランジスタ形成層３０と、トランジスタ形成層３０のトランジスタと電気的に接続され第３の面に設けられるパッド３１と、パッド３１と貫通電極２２の先端とを電気的に接続するバンプ３２とを有する下層集積回路３とを備え、上層集積回路２の第２の面と下層集積回路の第３の面は接触せずに構成される。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー性及び接続信頼性及び絶縁信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする接着剤組成物、その接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部を封止する接着剤組成物であって、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アクリル系表面処理フィラーとを含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ同士を積層する際に生じる曲げモーメントによる破損を防止する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面に形成された表面バンプＦＢ及び積層方向から見て表面バンプＦＢと重なるように他面に形成された裏面バンプＢＢを含むコアチップＣＣ１と、一面に形成された表面バンプＦＢ及び積層方向から見て表面バンプＦＢと重ならないように他面に形成された裏面バンプＢＢを含むインターフェースチップＩＦとを準備し、コアチップＣＣ１の裏面バンプＢＢとインターフェースチップＩＦの表面バンプＦＢが接続するように、インターフェースチップＩＦの裏面バンプＢＢに対応する位置に凹部ＧＲを有するボンディングツールＢＴを用いて積層方向に重ね合わせる。これにより、積層時にチップに曲げモーメントが発生しないことからチップの破損を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】チップ間に保護材を有する信頼性の高いチップオンチップ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態によるチップオンチップ構造体は、対向する第１のチップおよび第２のチップと、前記第１のチップの前記第２のチップ側の面上の第１の電極端子と、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面上の第２の電極端子と、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを電気的に接続するバンプと、前記第１のチップと前記第２のチップの間の前記バンプの周囲に形成され、感熱接着性を有する材料からなる層を含む保護材と、を有する。 （もっと読む）