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Fターム[5F044RR16]の内容

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Fターム[5F044RR16]に分類される特許

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【課題】プリント基板を押圧することなく搬送キャリアの平坦な載置面に沿わせた状態で保持可能なプリント基板及びプリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント基板10の実装面10aの反対側の裏面10cに反り矯正用金属パターン18を形成する。反り矯正用金属パターン18を用いて、プリント基板10を搬送キャリア坦な載置面10aに密着するように、熱溶融接合材によりプリント基板10を搬送キャリアに接合してプリント基板10の反りを矯正する。搬送キャリアに接合されたプリント基板10に電子部品を実装する。 (もっと読む)


【課題】ポッティング装置に停電等のトラブルが発生し、検出結果に関する情報が失われてしまった場合であっても、直ちに、半導体チップの検出を再開することができるポッティング装置を提供すること。
【解決手段】搬送される基板(テープ状基板2)に実装されている電子部品(半導体チップ4)と基板(テープ状基板2)とに、ポッティング材を塗付するポッティング装置5,13であって、ポッティング材の塗付を行う前に、基板(テープ状基板2)上の電子部品(半導体チップ4)の有無を検出し、この検出結果に基づき、ポッティング材の塗付を行うかどうかの判断を行うポッティング装置5,13において、電子部品(半導体チップ4)の有無を検出する検出手段(カメラユニット15)を、ポッティング材の塗付位置に配設し電子部品(半導体チップ4)の有無の検出を行う。 (もっと読む)


【課題】半導体装置と基板とが接着剤層により接着された積層体であって、半導体装置の中央領域に接着剤層が形成されることが防がれた積層体、及び該積層体を簡便に、かつ効率よく製造することができる積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置2と基板3とが接着剤層7により接着され構成されており、半導体装置2の外周縁に設けられた第1の電極5と、基板3に設けられた第2の電極6とが接続されており、接着剤層7は、半導体装置2と基板3との間に第1、第2の電極5、6を覆うように、半導体装置2の中央領域に至らないように半導体装置2の外周縁に設けられており、かつ接着剤層7は、半導体装置2の外周端よりも外側に至るように設けられており、半導体装置2の外周端よりも外側の接着剤層7は、半導体装置2と基板3との間隔よりも大きな直径を有する粒子8を含有する、積層体1。 (もっと読む)


【課題】柔軟性を有する狭ピッチで微細な突起電極を介して、低い加圧力での接続を可能とし、圧接時の応力による電子部品などの破損を防止した信頼性に優れる電子部品実装構造体とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電極端子10aを設けた電子部品10と、電極端子10aに対向する位置に接続端子12aを設けた実装基板12と、電極端子10a上または接続端子12a上に設けた突起電極13を介して電極端子10aと接続端子12aとを接続する電子部品実装構造体1であって、突起電極13は、少なくとも導電性フィラー13aと感光性樹脂13bとを含み、感光性樹脂13bの樹脂成分架橋密度が突起電極13の高さ方向に異なることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
微細、狭ピッチなバンプを有する半導体素子をフリップチップで接続する際、半導体素子の位置ズレによる接続不良を防止し、装置の信頼性を確保する。
【解決手段】
接続用電極の周囲に、絶縁性樹脂によって形成された位置ズレ防止の為のガイドを設ける。半導体素子接続装置の位置決め誤差をδとする場合、ガイドの接続部側面の傾斜角をθとすると、前記絶縁性樹脂層の厚みをδtanθ以上とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、外部接続用パッド又は外部接続端子に対してフリップチップ接続される半導体チップと、アンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置に関し、大型化することなく、アンダーフィル樹脂に起因する反りを低減することのできる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数の電極パッド28が形成された側の半導体チップ14の面14Aと対向するように低弾性樹脂部材11を設け、半導体チップ14と低弾性樹脂部材11との間、及び電極パッド28と外部接続用パッド12との間にアンダーフィル樹脂16を充填した。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージ及びこれを用いた表示装置において、ICチップの入力端子と出力端子数が異なる場合、インターポーザ基板を必要以上に大型化させることなく、接続端子及び配線を配置することを可能とするテープキャリア型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップ2が、インターポーザ基板3を介してフィルム基板4に接続される半導体パッケージにおいて、半導体チップは、対向する2辺に、複数の端子6,7をそれぞれ有し、さらに、インターポーザ基板において、インターポーザ基板の中心より、2辺のうち端子数が少ない一方の側にずれて接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 電子回路基板上にベタ塗りしてはんだをプリコートした際に、パッドの形状に関わらず、膨れや欠落が生じることなく、高さにバラツキがないはんだを形成することができるはんだペースト組成物を提供する。
【解決手段】 電極表面にはんだをプリコートするのに用いられるはんだペースト組成物であって、はんだ粉末およびフラックスを含むとともに、はんだ粉末を構成する金属種と電極表面を構成する金属種のいずれとも異なる金属種の金属粉を、はんだ粉末総量に対して0.1重量%以上20重量%以下の割合で含有しているか、または、加熱によりはんだを析出させる析出型はんだ材料およびフラックスを含むとともに、析出型はんだ材料中の金属成分を構成する金属種と電極表面を構成する金属種のいずれとも異なる金属種の金属粉を、析出型はんだ材料によって析出させようとするはんだの総量に対して0.1重量%以上20重量%以下の割合で含有している。 (もっと読む)


【課題】ステージを小さくして装置を小型化することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ウェハ10を搭載するステージ31と、ステージ31を覆い、開口部53を有するカバー54と、カバー54の開口部53を通してウェハ10上にチップ20をボンディングするボンディングヘッド32とを備える。そして、カバー54はステージ31に対して回転して開口部53をウェハ10の所望の位置に合わせる。 (もっと読む)


【課題】LSIプロセスによる制約のない最上位配線層を提供することで長距離配線における信号遅延を低減可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積回路基板を提供する過程は、半導体集積回路用ベース基板11上に、半導体集積回路及び該半導体集積回路用の最上位配線層を含まない配線層12を形成する過程と、半導体集積回路用ベース基板の配線層上に、該配線層に接続される接続パッド13を形成する過程とからなる。配線基板を提供する過程は、配線基板用ベース基板1上に、半導体集積回路用の最上位配線層となる厚膜配線層3をメッキ形成する過程と、厚膜配線層上に、該厚膜配線層に接続される接合バンプ6を形成する過程とからなる。そして、半導体集積回路基板の接続パッドが形成される面と配線基板の接合バンプが形成される面とを対向させ接続パッド及び接合バンプを位置合わせして接合する。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ実装に用いられる半田電極に亀裂が発生することが抑制された半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本形態の半導体装置10は、実装基板12と、実装基板12の表面に形成されたパッド13(導電パターン)と、フリップチップ実装される半導体素子11と、半導体素子11の下面に形成されたボンディング電極16と、ボンディング電極16の表面に形成されたポスト15と、ポスト15の下面とパッド13の上面との間に位置して両者を接続する半田電極14とを主要に具備している。更に、パッド13の表面はメッキ膜により被覆されず、半田電極14はパッド13に直に接触している。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィルと部品間またはアンダーフィルと基板間で剥離が発生しても、半田の再溶融によって半田の溶融流出による短絡が起こることを防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置3と配線基板2との接合は半田バンプ8で行われ、またはアンダーフィル6が形成されている部分のチップ電子部品4と配線基板2との接合は半田9によって行われる。半田バンプ8及び半田9に用いる材料に1度目の加熱による溶融温度よりも再度加熱した時の溶融温度が高くなる半田を用いる。 (もっと読む)


【課題】回路形成領域に電極パッド部を形成したパッドオンエレメント構造を有する半導体素子の被実装基板への実装時に、半導体素子への機械的ダメージの低減化を図り得る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子1表面の回路形成領域上に設けられた複数の電極パッド部2と、裏面に複数の接続ランド部3が設けられた半導体キャリア基板4の表面に配置される複数の配線電極部6とが電気的に接続され、且つこれら半導体素子1と半導体キャリア基板4との間に絶縁性樹脂9が充填されてなる半導体装置であって、上記各配線電極部6を凹状に形成するとともに、これら凹状の各配線電極部6と上記各電極パッド部2とを導電性の針状部材7にてそれぞれ接続し、且つこれら各針状部材7と上記各電極パッド部2および各配線電極部6との間に導電性接着剤8を介在させたものである。 (もっと読む)


【課題】コーナー部にも良好なフィレットを形成できる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】配線基板2の側で、実装された半導体素子1よりも外側の位置に、半導体素子1のコーナー部6に接した辺1a,1b,1c,1dに沿って、軟化した封止樹脂材5に対する濡れ性が配線基板2の表面より悪い濡れ性低減領域7a〜7dを形成し、半導体素子1のコーナー部に接した辺から流れ出した封止樹脂材を、コーナー部6へ導くよう構成した。 (もっと読む)


【課題】コーナー部にも良好なフィレットを形成できる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体素子1を配線基板2にフリップチップ実装し、封止樹脂材5によって半導体素子1を配線基板2に係止した半導体集積回路装置であって、半導体素子1の裏面に、半導体素子1の辺1a〜1dに沿って延び、かつ半導体素子1の電極3よりも内側の位置に、配線基板2の側に向かって突出した凸部7a〜7dを形成したことを特徴とする。 (もっと読む)


カーボンナノチューブ(CNT)アレイが基板上でパターニングされる。前記基板はマイクロエレクトロニクスダイ、フリップチップ用インターポーザー型構造、マウント用基板、又は回路基板であって良い。化学気相成長によって前記CNTアレイを形成するため、前記CNTアレイは、前記基板上のパターニングされた金属シード層を用いてパターニングされる。成長によって前記CNTアレイを形成するため、パターニングされたCNTアレイはまた、パターニングされたマスクを用いてパターニングされても良い。ダイからの熱輸送のために前記CNTアレイを用いるコンピュータシステムも用いられる。
(もっと読む)


【課題】面積が例えば2×2mm2程度以下の微小な半導体チップであってもスタッドバンプを容易に形成できる半導体装の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ14を支持し、半導体チップ14より大きな面積をもち、かつ全体にわたって平坦な支持体10zの上の中央部を避けた端側に、半導体チップ14の背面が接合材12によって固着された構造を形成する工程と、半導体チップ14が支持体10zに支持された状態で、半導体チップ14の表面にワイヤバンプ法によりスタッドバンプ26を形成する工程と含む。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の電気的接続部15を有する配線パターン12が形成されたベース基板10を用意する工程と、ベース基板10に、配線パターン12を部分的に覆うように第1の樹脂材料20を設ける工程と、第1の樹脂材料20を半硬化させる工程と、複数の電極32を有する半導体チップ30をベース基板10に搭載して、電極32と電気的接続部15とを対向させて電気的に接続する工程と、ベース基板10と半導体チップ30との間に第2の樹脂材料40を設ける工程と、第1の樹脂材料20を硬化させて配線パターン12を部分的に覆うレジスト層25を形成し、かつ、第2の樹脂材料40を硬化させて電気的接続部15及び電極32を封止する封止部45を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、モジュール部品7において、基板8と電子部品9との接続信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明のモジュール部品7は、接続電極10の側面と封止樹脂11との間に配置されると共に封止樹脂11よりも低い弾性率の膨張圧力吸収部12を有する。この構成により、モジュール部品7が回路基板上に半田リフロー方式で実装された場合、接続電極10の再溶融による内部圧力上昇が、接続電極10の側面と封止樹脂11との間に配置された膨張圧力吸収部12が変形することにより緩和される。この為、接続電極10が封止樹脂11と基板8の界面を剥離させて流出することを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明はスティフナを用いて強度を高めた半導体装置及びその製造方法に関し、反りの発生を有効に抑制することを課題とする。
【解決手段】基板12と、この基板12にフリップチップ接合された半導体素子13と、基板12の半導体素子13の外周位置に配置された第1のスティフナ14と、基板上12の半導体素子13と第1のティフナ14との間に配設された補強樹脂15とを有する半導体装置において、補強樹脂15を補強する第2のスティフナ16を第2のスティフナ16内に配設する。 (もっと読む)


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