アセンブリ１００は、電気素子２０が規定される横方向に限定された半導体基板領域１５を有する。この上に、相互接続構造２１が存在する。これは、第１の面１０１において、電気デバイス３０に結合するコンタクトパッド２５、２６を備え、第２の面１０２において、電気素子１１に対する接続２０を提供される。端子５２、５３は、相互接続構造２１の第２の面１０２に存在し、横方向に配置され、半導体基板領域１５から絶縁されるエクステンション２２、２３を通って相互接続構造２１に結合される。電気デバイス３０は、相互接続構造２１の第１の面にアセンブルされ、相互接続構造２１の第１の面１０１上に延在し、相互接続構造２１を支持し、電気デバイス３０を封止する封止部４０が存在する。
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【課題】半導体素子搭載領域の端部に配置された突起電極から導体配線を素子搭載領域外に引き出すための配線の自由度を向上させる。
【解決手段】可撓性絶縁性の基材３と、基材上に設けられた複数本の導体配線４と、各導体配線上に各々形成された複数個の突起電極５とを備え、電極パッド２を有する半導体素子１を突起電極上に搭載して電極パッドと各突起電極とを接合することにより半導体素子が実装されるように構成され、突起電極は、半導体素子が搭載されるべき素子搭載領域の少なくとも２辺の端部において各導体配線上に配置される。２辺の端部に配置された少なくとも１個の突起電極に対応する導体配線が、素子搭載領域を通過し、当該突起電極が配置された辺とは異なる辺を経由して素子搭載領域外に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】 集積回路チップ（ＩＣ）１とフィルム基板４との間に発生する気泡１３の寸法を容易に確認すること。
【解決手段】 配線基板２０は、フィルム基板４と、フィルム基板４の一方面に形成された第１配線パターン３０とを少なくとも有する。第１配線パターン３０の端部には接続端子３２が形成され、接続端子３２にＩＣ１のバンプ２が接続されることにより、配線基板２０上にＩＣ１が実装される。配線基板２０は、フィルム基板４の他方面に形成され、かつＩＣ１の実装領域内に形成された気泡計測用パターンを有する。気泡計測用パターンは、マトリクス状に配置された複数の開口８を有する膜６により構成されている。 （もっと読む）

本発明は、移送基板（２６）上に配置されるチップ（１８）を接触基板（５０）に移送し、チップを接触基板に接触するための方法及び装置に関する。この間、チップは移送基板の保持表面にチップの裏面（１９）を介して接着され、前記保持表面は接触基板に面している。チップの裏面は、移送基板を通過するレーザーエネルギの作用を受け、押圧手段（４５、４６）が移送基板を介しチップの裏面上に作用し、接触基板の接触表面（５８）に対向して配置されるチップのチップ接触部（５９、６０）を介してチップを接触表面上に配置される基板接触部（５６、５７）と接触させ、チップ接触部と基板接触部との間に熱結合が確立される。
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【課題】 電子部品素子を支持部材等に接合する際に用いられ、側方への接着剤のはみ出しが生じ難く、信頼性に優れた電子部品装置を提供することを可能とするシート状もしくはペースト状接着剤、並びに該接着剤を用いた電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 電子部品素子３の一面３ａを電子部品素子が搭載される支持部材としての基板２に接着するのに用いられるシート状接着剤４であって、電子部品素子３の一面３ａの面積に比べ、圧接による接着剤の厚み減少割合に応じた該シート状接着剤４の面積の増大分に応じて面積が小さくされているシート状もしくはペースト状接着剤４。シート状もしくはペースト状接着剤４を電子部品素子３の一面３ａと、支持部材としての基板２との間に介在させ、電子部品素子３を基板２に圧接させ、シート状もしくはペースト状接着剤４を硬化させる、電子部品装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 狭ピッチ配線においても、接続信頼性の高い電気構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板に少なくとも電極配線１３を形成した電気構造体において、電極配線１３がきのこ断面形状を有し、きのこの茎部が露出するようにきのこの傘部を樹脂基板１３に埋め込み、きのこの傘部及び茎部を露出させたことにより、狭ピッチ配線においても、接続信頼性の高い電気構造体及びその製造方法の提供を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の狭ピッチ化に伴い、半導体素子と配線基板との間にアンダーフィル材を充填する間隙が狭くなった場合でも、フリップチップ接続によって確実に半導体素子を搭載できる配線基板およびこの配線基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 フリップチップ接続により半導体素子６０を搭載する配線基板１０において、半導体素子搭載領域に、前記半導体素子６０と電気的に接続される接続端子３０を備えた配線パターン２０が形成され、該配線パターン２０は、絶縁膜形成処理が施されて表面に絶縁膜１００が被覆されるとともに、前記接続端子３０が形成された部位については前記絶縁膜１００が除去されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 小型化と薄型化、コスト低減と信頼性の向上を図る。
【解決手段】 各入出力電極３２と各素子実装用ランド６との接続部位及び可動子封装空間部２１を構成する絶縁樹脂層３４の形成部位とを同一箇所に設ける。犠牲層３５を残した状態で機能素子体３をパッケージ基板２に実装した後に、犠牲層除去孔１１から可動子封装空間部２１に犠牲層除去剤を充填して犠牲層３５を除去し、犠牲層除去孔１１を封止材層１３によって封止する。 （もっと読む）

【課題】従来の製造方法においてアンダーフィル材料を注入することによる問題を是正することが可能な半導体パッケージ構造とその製造方法とを提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ２００は、基板２０６と、該基板上にフリップチップボンディングで配置された半導体素子２０４とを備える。半導体素子の底部表面の周辺に沿って延び、且つ半導体素子と基板との間に設けられ硬化した接着剤で形成接続構造体２１２を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 樹脂封止の信頼性の高い回路装置を提供する。
【解決手段】 絶縁樹脂膜２の一方の面に半導体チップ１を設け、絶縁樹脂膜２の他方の面に、半導体チップ１と電気的につながる導電層３を設ける。導電層３に、回路基板５と接続するための半田ボール（電極）４を設け、さらに導電層３と回路基板５との間に、電極４を埋め込むように絶縁樹脂層６を設け、回路装置１００ａを構成する。ここで、半導体チップ１の側面は、絶縁樹脂膜２で覆われている。 （もっと読む）

【課題】回路基板に半導体部品をフリップチップ実装し、半導体部品と回路基板の間にアンダーフィル樹脂の注入する発振器構造において、アンダーフィル樹脂の流れ込みを疎外することのない回路基板構造を提供する。
【解決手段】回路基板３０の一方主面に半導体部品３が配置されたキャビティー部を有する容器体の、他方主面に水晶振動子を配置し、水晶振動子を気密封止して成る水晶発振器を用い、回路基板３０に半導体部品３をフリップチップ実装し、半導体部品３と回路基板３０の間にアンダーフィル樹脂を注入する回路基板構造において、回路基板３０の一方主面の半導体部品３を搭載する面に形成する半導体部品３との導通パッド３２と水晶振動子２のモニター電極パッド３１のパッド形状を、回路基板３０の端面方向に向かって頂点を持つ略菱形形状にした。 （もっと読む）

【課題】 実装領域にインナーリード及びそれに関係する配線パターンを有するフレキシブルな配線基板に、より低コストかつ簡便で、高信頼性のＩＣ実装を実現する半導体装置及びその製造方法、フレキシブル配線基板を提供する。
【解決手段】 フレキシブルな配線基板１１の実装領域１２は、少なくとも複数のインナーリード１２１に加えて配線パターン１２２を配している。ソルダーレジスト１４は、配線領域１３上と実装領域１２における配線パターン１２２上の所定部を覆う。ベアチップＩＣ１５は、そのバンプ電極１６側が実装領域１２と対向し、バンプ電極１６それぞれと対応するインナーリード１２１または配線パターン１２２と金属接合されている。封止樹脂１７は、ＩＣ１５の実装領域１２への金属接合部分を保護する形態をとっている。 （もっと読む）

【課題】合成樹脂からなるフィルムを基板とし、この基板上に形成されたリードとチップのバンプとが電気的に接続され、前記チップと基板の隙間と、チップの側面とチップ周囲の基板面との間を、異なる樹脂で封止する方法として、両樹脂による封止が確実に行われ、温度サイクルテストでリードにクラックが生じないようにできる方法を提供する
【解決手段】チップ５とポリイミドフィルムからなる基板１との間に第１の封止樹脂４を、平面視でチップの全外形線５１より外側に至るように供給した後、第１の封止樹脂４より線膨張係数が小さい第２の封止樹脂７を用いて、チップ５の側面と基板１との間を封止する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による熱ストレスが生じてもはんだバンプの断線や半導体チップのはがれのない信頼性の高いＢＧＡ構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】積層された複数の絶縁層１３、該複数の絶縁層それぞれの上面に設けられた複数の配線９、および異なる絶縁層上面に設けられた複数の配線を電気的に接続するために絶縁層に設けられた複数のビアホール１２からなるＢＧＡ基板１と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップ２とを含んでなる半導体装置であって、前記複数の絶縁層の材料が、半導体装置が実装される実装基板の熱膨張特性にあわせられた有機系材料からなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】サイズの大きな半導体チップを実装する際に確実に超音波熱圧着を行う。
【解決手段】半導体チップ１と、半導体チップ１と対向配置され、接続用導体４を介して半導体チップ１と電気的に接続された回路基板５と、半導体チップ１及び回路基板５の向かい合う対向面にそれぞれ形成され、接続用導体４が接合されたパッド電極２及び端子電極６と、対向面の間の隙間を埋め込むように形成された非導電性樹脂７と、半導体チップ１又は回路基板５の対向面に形成された所定形状の導電性ダミーパターン１０とを備える。対向面の間の温度分布を均一にすることができ、非導電性樹脂７の粘度を温度を均一化して超音波が減衰することを抑止できる。 （もっと読む）

【課題】実装信頼性が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】中央部１ａの厚さと周辺部１ｂの厚さとを比較すると、周辺部１ｂの厚さの方が小さい。そのため、相対的に厚さの小さい周辺部１ｂのチップは、肉厚が小さいので撓みやすくなっている。したがって、たとえば温度降下により、実装基板２が収縮し、ＬＳＩチップ１と実装基板２とを接続する半田バンプ３において歪が生じても、周辺部１ｂは実装基板２の収縮に追随して収縮するため、周辺部１ｂにかかる応力は低減される。 （もっと読む）

【課題】電子部品実装において工程簡略化を可能とするとともに接合不良を防止することができる半田付け方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半田バンプ７が形成された電子部品６を、予め電極１２ａを覆って樹脂１７が塗布された基板１２に搭載して半田バンプ７を電極１２ａに半田付けし樹脂１７によって電子部品６と基板１２との間を樹脂封止する電子部品実装において、半田濡れ性の良好な金属粉１６を含んだフラックス１０の薄膜にバンプ７を押しつけ、バンプ７の下端部の表面に酸化膜７ａを突き破って金属粉１６を食い込ませておき、この状態のバンプ７を樹脂１７が塗布された基板１２に搭載する。これにより、同一工程においてバンプ７が溶融した溶融半田を金属粉１６の表面を伝って濡れ拡がらせて電極１２ａに到達させるとともに、樹脂１７を硬化させることができる。 （もっと読む）

【課題】 パッケージの小型化、薄型化を図るとともに半導体チップとリードとの電気抵抗を低減し、しかも製造工数を削減することが可能なリードレスパッケージ型半導体装置を提供する。
【解決手段】 平面配置された複数個の半導体チップＭＣ１，ＭＣ２の各一方の面に設けられた電極Ｄ１，Ｄ２に直接接続される共通外部電極ＴＤと、半導体チップＭＣ１，ＭＣ２の各他方の面に設けられた電極Ｇ１，Ｇ２にそれぞれ直接接続される個別外部電極ＴＧ１，ＴＧ２と、これら外部電極ＴＤとＴＧ１，ＴＧ２で挟まれる領域に充填されて複数の半導体チップＭＣ１，ＭＣ２を封止する封止樹脂Ｒとを備える。 （もっと読む）

【課題】２つの半導体チップを備える半導体パッケージにおけるボイドの発生を抑制することができる半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板８にＡＣＦテープ９を介して２つの半導体チップ５を配置し、これら半導体チップを圧着治具により加熱すると共に押圧する半導体パッケージの製造方法において、圧着治具に設けられた半導体チップと略同一高さの第２の突起部４を２つの半導体チップの間隙に嵌合させると共に、第１の突起部３及び第２の突起部４で半導体チップを囲繞した状態で半導体チップを押圧する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高速伝送、多層化対応を図り、半導体チップ設計の制約を減らす。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも２つの積層された半導体チップ１，２と、半導体チップ１，２同士を電気的に接続する接続構造とを有している。接続構造は、第１の半導体チップ１に設けられた第１の電極１１と、第２の半導体チップ２に設けられた第２の電極２１と、第１、第２の半導体チップ１，２の間に挟まれた接合ボード５とを有している。接合ボード５は、第１の電極１１と対向する第１の接続電極５２と、第２の電極２と対向する第２の接続電極５３と、接合ボード５を貫通するスルーホール５４と、スルーホール５４と第１、第２の接続電極５２、５３とを電気的に接続する配線５５，５６とを備えている。 （もっと読む）