【課題】フリップチップ実装後のウェット洗浄を排して、バンプの接合性などの実装品質を確保することができる部品内蔵配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の配線層を積層して構成されコア層１にバンプ付きの電子部品７が実装された部品内蔵配線基板の製造において、部品搭載後のコア層１において電子部品７との隙間に樹脂を注入して硬化させて封止する樹脂封止工程後において、電子部品７が実装された実装面側をプラズマ処理することによって実装面側に形成された配線回路３の表面３ｂに生成した酸化膜３ｃを除去する方法を採用する。これにより、フリップチップ実装後のウェット洗浄を排することができ、ウエット洗浄に起因するバンプの接合性低下などの不良を防止して実装品質を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションによる腐食及び剥離を防止することができると共に、異方性導電フィルムの充填効率を向上させることができる電子部品、並びに、接合体及びその製造方法の提供。
【解決手段】基材と、前記基材上に立設され、少なくとも表面が導電性部材で形成され、突出部を有する電極とを有し、前記突出部の突出方向に平行な断面における、該突出部の基部に形成された角部に、被覆材が被覆され、前記被覆された被覆材の最大高さが、前記電極の最大高さの９０％以下である接合体である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の樹脂厚にバラツキが少ない樹脂封止が可能で、製造コストを低減できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の単位回路パターン１１を有するインターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂を搭載する工程と、複数の半導体チップ上に封止樹脂が搭載されたワークを真空状態にてプレスして複数の半導体チップを樹脂封止する工程とを含む。複数の半導体チップを樹脂厚にバラツキが少ない封止樹脂で封止することができる。また、モールド成型のように高価な金型を必要としないため製造コストを削減することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップのコーナ部に対応する熱硬化性樹脂の耐衝撃性を向上させた半導体チップ実装体が筐体内に搭載され、高い信頼性を有する電子機器を提供する。
【解決手段】 筐体と、前記筐体内に収納された回路基板と、前記回路基板に実装された半導体チップと、前記回路基板と前記半導体チップとの間に配置され、前記回路基板と前記半導体チップとを接合した熱硬化性樹脂と、前記半導体チップのコーナ部に対応する前記熱硬化性樹脂部分にこの部分以外の領域に比べて高い密度で存在する磁性体粉末とを備えることを特徴とする電子機器。 （もっと読む）

【課題】超低誘電率膜の破壊と鉛フリーはんだからなるバンプの破壊をともに防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、配線基板１１と、配線基板１１上に鉛フリーはんだからなるバンプ１３を介してフリップチップ接合された半導体チップ１２と半導体チップ１２と配線基板１１との間隙を充填するアンダーフィル樹脂１４とを備えている。アンダーフィル樹脂１４は、エポキシ樹脂、硬化剤および無機充填剤を含有し、ガラス転移温度が１２５℃以上であり、２５℃における熱膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以下であり、−５５℃以上ガラス転移温度未満の温度域における貯蔵弾性率が４ＧＰａ以上９ＧＰａ以下、かつ損失弾性率が１００ＭＰａ以上であり、当該損失弾性率は複数のピークを有している。 （もっと読む）

【課題】
半導体素子に対してアンダーフィルの半導体素子裏面への回り込みを防止する機能を付与することができる半導体ウエハ加工用粘着フィルムを提供する。また、個片化された半導体素子を用いて半導体装置を作製する際、同様の機能を有するものとなる半導体ウエハを提供する。
【解決手段】
少なくとも粘着層と基材層とを有する半導体ウエハ加工用粘着フィルムであって、前記粘着層が撥脂剤を含むものである半導体加工用粘着フィルム。 （もっと読む）

【課題】突起電極の損傷を抑制し、半導体チップを簡便に実装して高い接続信頼性を実現することができる絶縁接着シートを提供する。また、該絶縁接着シートを用いる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】表面に突起電極を有する半導体チップの実装に用いられる、基材フィルムと接着剤層とからなる絶縁接着シートであって、前記基材フィルムは、熱可塑性樹脂からなり、前記接着剤層は、光硬化性化合物、熱硬化性化合物、光重合開始剤及び熱硬化剤を含有する光熱硬化性接着剤組成物からなる絶縁接着シート。 （もっと読む）

【課題】ボンディング用ツールの汚染を防ぎ、接続信頼性が高く、接着剤層の厚みを均一にしながら半導体チップを簡便に実装することができる絶縁接着シートを提供する。また、該絶縁接着シートを用いる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】表面に突起電極を有する半導体チップの実装に用いられる絶縁接着シートであって、基材フィルムと接着剤層とからなり、前記接着剤層は、光硬化性化合物、熱硬化性化合物、光重合開始剤及び熱硬化剤を含有する光熱硬化性接着剤組成物からなり、前記接着剤層にエネルギー線を照射して得られる半硬化した接着剤層は、ゲル分率が１０〜６０重量％であり、かつ、加熱接着温度においてキャピラリレオメータ法により２ｍｍφノズルで測定した最低粘度が、３０００Ｐａ・ｓ以上である絶縁接着シート。 （もっと読む）

【課題】高周波モジュールに対し樹脂封止を行うと半導体部品や回路基板上の配線に樹脂が接することにより電気的特性が変化した。また、封止樹脂に磁性体を添加するシールド方法では高いシールド性が得られなかった。
【解決手段】回路基板上にフェイスダウン実装された半導体部品と、前記半導体部品へ繋がる前記表面配線とが第１の封止材および導電性材で覆われ、前記半導体部品と前記回路基板間に空間が設けられた高周波モジュールであって、前記導電性材は、前記第１の封止材に設けた孔を介して、回路基板上のグランド配線パターンに接続され、前記第２の封止材が、前記第１の封止材と、前記導電性材とを覆う構造である。 （もっと読む）

【課題】ボイド（気泡）の発生の抑制と、半導体パッケージの大型化の防止とを実現することが可能な半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の一方の面にシート状の樹脂を介して半導体チップが搭載された半導体パッケージの製造方法であって、前記配線基板１０の一方の面に対向する面から前記配線基板の一方の面側に突起する突起部を有する保持治具２７の前記突起部側に、前記シート状の樹脂２５を保持する保持工程と、前記シート状の樹脂の、前記保持治具で保持されて突起状に変形した部分の先端を前記配線基板の一方の面の平坦部に接触させ押圧する押圧工程と、前記保持治具による前記シート状の樹脂の保持を解除し、前記シート状の樹脂を前記配線基板の一方の面に仮固定する仮固定工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配線基板と半導体チップとを半田バンプを介して接続した半導体装置において、ガラス転移温度Ｔｇが高いアンダーフィル樹脂に起因する半導体チップのクラックや層間剥離等を招くことなく、半田バンプの疲労破壊によるオープン不良の発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、接続パッド４を有する配線基板２と、電極パッド５を有する半導体チップ３とを具備する。半導体チップ３は配線基板２上に搭載されており、電極パッド５は接続パッド４と半田バンプ６を介して接続されている。配線基板２と半導体チップ３との間の隙間には、熱硬化された熱硬化性樹脂からなるアンダーフィル樹脂７が充填されている。アンダーフィル樹脂７は半田バンプ６の結晶粒の成長に伴ってガラス転移温度Ｔｇが上昇する。 （もっと読む）

【課題】気密性に優れた弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波装置１００は、実装基板１０２と、実装基板１０２の上面に対向配置された弾性表面波素子１５０と、実装基板１０２の上面に設けられているパッド１１８と、パッド１１８を被覆する半田層１２２と、実装基板１０２の上面に設けられ、パッド１１８を囲むダム材１３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 硬化が早く、高いガラス転移温度の硬化物が得られ、かつ流動性に優れた液状フェノール系硬化剤を提供し、液状封止材、アンダーフィル剤などの用途に有用な該硬化剤でなるエポキシ樹脂組成物、およびこれを硬化してなるエポキシ樹脂硬化物を提供すること。
【解決手段】 式（１）で示されるオルソアリルフェノールとフェノールのホルマリン共縮合物および式（２）で示されるオレフィン化合物との混合物でなるエポキシ樹脂硬化剤。（式（１）中、Ａはアリル基又はＨ、ｋは１〜１０。式（２）中、Ｒ^１は炭化水素基、Ｒ^２〜Ｒ^４は炭化水素基又はＨ、ｍは０〜３、ｎは２〜５、ｍ＋ｎが５以下。）
【化１】
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【課題】半導体ウエハのダイシング工程及びダイボンディング工程に用いられるフィルム状接着剤であって、半導体ウエハのダイシング時におけるフィルム状接着剤からのチップの剥離を防止でき、チップのピックアップにフリップチップボンダーを用いた場合であってもチップを確実にピックアップできる、フィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】第一のプラスチック層１０上に、粘着剤層１２、熱硬化性樹脂層３０及び第二のプラスチック層２０が、この順に積層されたフィルム状接着剤１００であって、粘着剤層１２の面積が熱硬化性樹脂層３０の面積より大きく、粘着剤層１２と熱硬化性樹脂層間３０の９０°ピール剥離力が、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ及び５００ｍｍ／ｍｉｎのいずれにおいても、１０〜５０Ｎ／ｍである、フィルム状接着剤１００。 （もっと読む）

【課題】 加熱雰囲気で保持後に、真空工法により半導体チップと基板の間隙に充填が可能なアンダーフィル用樹脂組成物を提供することである。特に、減圧かつ加熱雰囲気でアンダーフィル用樹脂組成物を塗布する真空工法で使用可能なアンダーフィル用樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）アミン系硬化剤、および（Ｃ）無機充填剤を含む組成物であって、温度：２５℃での粘度が１〜１５０Ｐａ・ｓであり、かつ温度：１００℃において粘度が１Ｐａ・ｓになるまでの時間が４０〜１８０分であることを特徴とする、アンダーフィル用液状樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】硬化物の線膨張率及び弾性率が低く、接合された半導体チップへの応力の発生を低減することでハンダ等の導通部分のクラックの発生を防止し、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体チップ接合用接着剤を提供する。また、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】硬化性化合物、硬化剤及びポリイミド粒子を含有する半導体チップ接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂のフィレット幅が非対称となった場合の半導体装置の反りを抑制する。
【解決手段】チップ１の中心位置１２は、配線基板２の中心位置１３に対して、チップ１の中心位置１２に対するアンダーフィル樹脂４の中心位置１１のずれ方向（矢印Ａ方向）とは逆方向（矢印Ｂ方向）にずれている。封止樹脂６の中心位置１４は、配線基板２の中心位置１３に対して、チップ１の中心位置１２に対するアンダーフィル樹脂４の中心位置１１のずれ方向（矢印Ａ方向）と同方向（矢印Ａ方向）にずれている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板に絶縁性樹脂接着フィルム（ＮＣＦ）を使用してフリップチップ実装する半導体装置の製造方法において、熱プレスの際に、ＮＣＦのはみ出しと、バンプと電極パッドとの間に絶縁性樹脂や無機フィラーが介在することを防ぎ、得られる半導体装置が十分な耐吸湿リフロー性を示す、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２のペリフェラル配置された複数のバンプ１で囲まれた領域の面積の６０〜１００％に相当する大きさと、２×１０^２〜１×１０^５Ｐａ・ｓの最低溶融粘度とを有するＮＣＦを、バンプ１に対応した基板１２の複数の電極１１で囲まれた領域に仮貼りする。次に、該バンプ１とそれに対応する電極１１とが対向するように、半導体チップ２と基板１２とを位置合わせし、半導体チップ２側から熱プレスする。これにより、バンプ１と電極１１とを金属結合させ、ＮＣＦの溶融と熱硬化により半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】電気素子を配線基板にハンダ粒子を利用して異方性導電接続する際、熱硬化性接着剤の本加熱温度を低下させ、良好な接続信頼性を実現する。
【解決手段】配線基板と電気素子とを異方性導電接続により接続構造体の製造する際に、異方性導電接着剤として、溶融温度Ｔｓのハンダ粒子が最低溶融粘度温度Ｔｖの絶縁性のアクリル系熱硬化性樹脂中に分散したものを使用する。第１加熱加圧工程では、異方性導電接着剤を溶融流動させて配線基板と電気素子との間隙からプレスアウトさせ、予備硬化させる。第２加熱加圧工程では、ハンダ粒子を溶融させて配線基板の電極と電気素子の電極との間に金属結合を形成させ、異方性導電接着剤を本硬化させる。第１加熱加圧工程の加熱温度をＴ１、加圧圧力をＰ１、第２加熱加圧工程の加熱温度をＴ２、加圧圧力をＰ２としたときに、Ｔｖ＜Ｔ１＜Ｔｓ＜Ｔ２、Ｐ１＞Ｐ２を満足する。 （もっと読む）

【課題】流動性のあるバンプ形成材料をバンプ形成対象面へ塗布し、これを乾燥・焼成してバンプを形成すると、その表面がメニスカス形状となる。その結果、バンプと半導体発光素子及び基板との接合箇所にムラが生じ、その結果、接合面積が不十分となり、接合強度が不足し、また半導体発光素子の放熱特性も低下するおそれがある。
【解決手段】半導体発光素子の電極へ金属粒子を分散したペースト状のバンプ形成材料を島状に積層して複数のバンプ形成材料塊を形成する。ここに、バンプ形成材料塊はその上面と下面で面積が異なり、かつその上面が実質的に平坦となるように形成される。次にこのバンプ形成材料塊を熱処理して固形のバンプとし、半導体発光素子の電極と基板とをバンプを介して固定する。 （もっと読む）