【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ステージ及び圧着ヘッドを有する圧着装置によって半導体チップと基板との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、接着剤層をなす接着剤組成物は、３５０℃における溶融粘度が３５０Ｐａ・ｓ以下であり、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が３００℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方を提供する。 （もっと読む）

【課題】硬化物の接着力に優れており、更に耐マイグレーション性に優れた積層体及び接続構造体を得ることができる絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２において、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように積層される絶縁層６Ａを形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は、ラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するポリエーテルエステルアミド樹脂と、アミド結合を有さずかつラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するラジカル重合性化合物と、熱ラジカル発生剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】対向する部材の端子間の接続および封止を同時に行うことができるダイシングテープ一体型接着シートを提供する。
【解決手段】ダイシングテープ一体型接着シート１０は、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルム３と、ダイシングテープ２とを含む積層構造を有し、前記接着フィルム３を前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、前記接着フィルム３に掛ける圧力をＰ［Ｐａ］、前記貼り付け温度における接着フィルム３の溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０^３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０^９の関係を満足し、前記貼り付け温度Ｔは、６０〜１５０℃、前記圧力Ｐは、０．２〜１．０ＭＰａ、前記貼り付け温度Ｔにおける接着フィルム３の溶融粘度ηは、０．１〜１００，０００Ｐａ・ｓである。 （もっと読む）

【課題】３次元実装された半導体素子間の空間の充填を容易かつ確実に行うことができる積層フィルムを提供する。
【解決手段】積層フィルムは、接続用部材４１ｂを介して電気的に接続された半導体素子間の空間を充填するための積層フィルムであって、基材１上に粘着剤層２が積層されたダイシングシートと、粘着剤層上に積層された硬化性フィルム３とを備え、硬化性フィルムの５０〜２００℃における最低溶融粘度は、１×１０^２Ｐａ・ｓ以上１×１０^４Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】硬化物の接着性が高く、かつ高い接着性を長期間に渡り維持できる異方性導電材料並びに該異方性導電材料を用いた接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電材料は、加熱により硬化可能である。本発明に係る異方性導電材料は、硬化性化合物と、該硬化性化合物を熱硬化させるための熱カチオン発生剤と、有機金属化合物と、導電性粒子５とを含む。上記有機金属化合物は、有機チタネート化合物、有機ジルコネート化合物又は有機アルミネート化合物である。本発明に係る接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、該第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部３とを備える。接続部３は、上記異方性導電材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】接続対象部材の電極間を接続したときに、絶縁信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法及び接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１１の製造方法は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２を用いて、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように絶縁層６Ａを積層する工程と、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを塗布して、異方性導電ペースト層３Ａを積層する工程と、異方性導電ペースト層３Ａの溶剤を除去するか又は硬化を進行させて、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを形成するＢステージ化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路部材への熱の影響が少ない温度条件で接続信頼性を得ることができる回路部材接続用接続部材、回路部材接続構造体の製造方法及び回路部材接続構造体を提供する。
【解決手段】第１の電極を有する第１の回路部材と、該第１の回路部材に対向する第２の電極及びポリイミド、ポリウレタンエーテルイミド、ポリアミドイミド及びポリエーテルサルホンのうちの１種以上を含む表面層を有する第２の回路部材と、の間に介在させ、第１の電極及び第２の電極を電気的に接続し回路部材同士を接着するための接続部材であって、カチオン重合性化合物、カチオン発生剤及びフィルム形成材を含有する第１の接着剤層１０と、カチオン重合性化合物、カチオン発生剤及びフィルム形成材を含有する第２の接着剤層３０とを備え、第２の接着剤層のカチオン発生剤の濃度（質量％）が第１の接着剤層のカチオン発生剤の濃度（質量％）よりも大きい回路部材接続用接続部材１００。 （もっと読む）

【課題】半田バンプの位置決めが容易であり、ボイドが無く信頼性の高いアンダーフィルを形成することができる組成物及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】シリコンウエハ上に平滑な非粘着性の表面を生成するべくＢ−ステージプロセス中に凝固する、Ｂ−ステージ対応可能な液状ウエハーレベルアンダーフィル剤組成物であって、（Ａ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノールノボラック樹脂、（Ｃ）２−フェニルー４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、（Ｄ）有機溶剤及び（Ｅ）酸化ジルコニウムを含む、アンダーフィル剤組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び、これを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物の４つの立体異性体のうち、エキソ−エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、前記異性体合計量中８０％以上である脂環式ジエポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填剤を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びに、これを用いた半導体装置。
（もっと読む）

【課題】カチオン硬化型の絶縁性接着剤層を有する異方導電性接着フィルムを用いた回路接続において、非加圧方向の高い絶縁特性を維持しつつ、接続抵抗値の上昇を抑制する異方導電性接着フィルムを提供する。
【解決手段】絶縁性接着剤層７と、絶縁性接着剤層７中に分散している、導電性の金属表面を有する導電粒子３及び導電粒子３を被覆する絶縁性微粒子１を有する絶縁被覆導電粒子５と、を備える異方導電性接着フィルム１０。絶縁性接着剤層７が、エポキシ樹脂及びカチオン系硬化剤を含有する。異方導電性接着フィルム１０の示差走査熱量測定により求められるＤＳＣ曲線において、ピーク温度が１００℃〜１５０℃の範囲にある発熱ピークの発熱量をαとし、ピーク温度が２００℃〜２５０℃の範囲にある発熱ピークの発熱量をβとしたときに、α及びβが式：｛α／（α＋β）｝×１００≧６０を満たす、異方導電性接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を低減することができ、硬化後に低線膨張率となる信頼性の高い電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】脂肪族エポキシ化合物とベンゾオキサジン化合物とを硬化主剤として含有し、かつ、フェノール系硬化剤を含有する電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性で接着性、信頼性に優れる高熱伝導樹脂組成物、接着フィルム、封止用フィルムを提供する。
【解決手段】１）高熱伝導性粒子、２）メソゲンを有するエポキシ樹脂モノマーとエポキシ樹脂用硬化剤とを含む熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び３）重量平均分子量１万以上の高分子量成分を少なくとも含む高熱伝導樹脂組成物であって、前記２）熱硬化性エポキシ樹脂組成物と、前記３）高分子量成分とが硬化後に相分離する高熱伝導樹脂組成物、該高熱伝導樹脂組成物をフィルム状に成形してなる接着フィルム、封止用フィルム、及び該接着フィルム、又は封止用フィルムを介して半導体素子と、半導体素子、基板、放熱板、支持体、金属板、及びセラミック板よりなる群から選ばれる１種又は２種とを積層してなる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ストレスインデックスが低いアンダーフィル材を用いた高信頼性のフリップチップ型半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板、配線基板２にフリップチップ接続された半導体素子、配線基板と半導体素子の間隙を充填するアンダーフィル材４から構成される半導体装置で、アンダーフィル材の硬化後の硬化物のガラス転移温度が９０℃〜１３０℃であり、２５℃での線膨張係数が１５〜３０ｐｐｍ／℃であり、２５℃での弾性率が３〜７ＧＰａであり、かつ２５℃での線膨張係数と２５℃での弾性率の積であるストレスインデックスが１００以上１５０以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】三次元積層型半導体装置の製造プロセス適合性を満たした上で、高い熱伝導性を有するエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール骨格を有するエポキシ樹脂と、下記式（４）で表される構造のエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】大きな面積のウェハを貼り合わせた場合に該ウェハ間に形成される間隙にも十分に注入することができ、かつ注入途中で硬化しない接着部材を提供する。
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ及び基板間や２つの半導体チップ間の接続性を良好にでき、且つ、保存安定性を確保できる半導体封止用接着剤を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１０及び配線回路基板２０のそれぞれの接続部１５、３２が互いに電気的に接続された半導体装置１００、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部を封止する半導体封止用接着剤４０であって、（ａ）第一級又は第二級窒素原子含有化合物と、（ｂ）エステルと、（ｃ）エポキシ樹脂と、を含有する、半導体封止用接着剤。 （もっと読む）

【課題】 バンプ部分のボイドを十分に低減することができ、フリップチップ実装による半導体装置の製造における生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、ハンダバンプが形成された機能面を有する半導体ウェハの機能面に、真空ラミネートによって、ラミネート温度におけるズリ粘度が６０００Ｐａ・ｓ以下であるフィルム状接着剤を貼り合せて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハの機能面とは反対側の面を研削して半導体ウェハを薄化する工程と、薄化した半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ゲルタイムを速くすることで硬化温度の低温化を可能にし、チップにかかる熱応力を低減させ、さらに成形時のボイド発生が抑制された電子部品用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、芳香族アミン化合物と、硬化促進剤として、下記一般式（Ｉ）で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含有する組成物。


（式中、Ｌ^ｍは、炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成されるｍ価の基、又はｍ価の炭化水素基を示す。Ｒ^１〜Ｒ^３はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の炭化水素基を示す。Ｒ^４は炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成される１価の基、炭素原子、水素原子及び窒素原子から構成される１価の基、又は１価の炭化水素基を示す。ｍは２〜６の整数を示す） （もっと読む）

【課題】突起電極の損傷及び変形を抑制することができ、信頼性に優れた半導体チップ実装体の製造に好適に用いられる接着シート、及び、該接着シートを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】表面に突起電極を有する半導体チップを基板又は他の半導体チップに実装するために用いられる接着シートであって、４０〜８０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ以上である硬質層と、その少なくとも一方の面に積層され、４０〜８０℃での引張貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜９ＭＰａである架橋アクリルポリマーからなる柔軟層とを有する樹脂基材を有し、前記柔軟層上に形成され、回転式レオメーターを用いて、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで４０〜８０℃における溶融粘度を測定した場合の最低溶融粘度が３０００Ｐａ・ｓより大きく１０００００Ｐａ・ｓ以下である熱硬化性接着剤層を有する接着シート。 （もっと読む）

【課題】フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることが可能な半導体用フィルムを提供すること。
【解決手段】半導体用フィルムは、バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。また、半導体装置の製造方法は、上記半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記半導体素子をピックアップして基板に搭載する工程と、を有する。 （もっと読む）