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Fターム[5F044RR17]の内容

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Fターム[5F044RR17]に分類される特許

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【課題】モールド工程において、モールド流れの導きと流速バランス取りが可能な非アレイバンプのフリップチップモールドの構造体を提供する。
【解決手段】基板110は、はんだマスク層112に覆われる上表面111を有し、複数のパッド113と少なくとも1つのモールド流れガイドバー114を設置する。モールド流れガイドバー114は、パッド無し空白区域Aに設置され、かつパッド113とはんだマスク層112を越える高さHを有して突起状に形成される。チップ120は複数個のバンプ121を有し、かつ基板110上にフリップチップ接合されることで、バンプ群121をパッド群113に接合させ、チップ120と基板110との間にモールド流れ間隙Sを形成する。モールド封止材130は上表面111に形成されてチップ120を密封し、モールド流れ間隙Sに十分充填されてバンプ群121とモールド流れガイドバー114を密封している。 (もっと読む)


【課題】接続性及び接合後の信頼性に優れた電極接合を行うことのできるバックグラインド−アンダーフィル一体型テープを提供する。また、該バックグラインド−アンダーフィル一体型テープを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂層と、バンプ保護層と、基材層とをこの順で有し、封止しようとする半導体チップのバンプの平均高さをBh、前記熱硬化性樹脂層の厚みをUh、前記バンプ保護層の厚みをPhとしたとき、下記式(1)を満たすバックグラインド−アンダーフィル一体型テープ。
0.8×Bh≦Uh+Ph<1.5×Bh (1) (もっと読む)


【課題】鉛フリーはんだ組成のBGA等のはんだバンプを形成し半導体装置と実装用基板を接続する半導体パッケージにおいて、耐衝撃特性に優れ、高い接続信頼性を有する半導体パッケージ等の電子部品装着を提供する。
【解決手段】GA等のはんだ端子を有する半導体装置1と半導体装置と接続する実装用基板3、半導体装置と実装用基板の間に介在させるアンダーフィル4からなる半導体パッケージ等の接続構造に対して、アンダーフィルにダイラタンシー特性を有する組成を用いることによって、落下等の衝撃に対してはんだ接合部にかかる衝撃を劇的に緩和し、耐落下等の衝撃特性を向上させることを可能にした。また、アンダーフィルにはんだ接合部に対して酸化防止効果を有する組成を選択することによって、経時での接続信頼性が向上する。 (もっと読む)


【課題】バンプ部分のボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる、接着剤層付き半導体ウェハを用いる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属バンプ12が形成された回路面を有する半導体ウェハ10の回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有する接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程とを備え、2層以上の構造を有する接着剤層が、回路面側にフィラーを含有する内層7と、フィラーを含有しない又は内層よりもフィラーの含有量が小さい最表面層6とを有する。 (もっと読む)


【課題】ボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ12が形成された回路面を有する半導体ウェハ10の回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤6,7の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハ40を得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハ40と、他の半導体ウエハ50とを、接着剤層付き半導体ウェハ40の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 接着剤層付き半導体ウェハから半導体装置を製造する場合に、バンプ部分のボイドを十分に低減できるとともに、研削後の反りを十分小さくすることができて、複数の半導体素子を積層した構造を有する半導体装置の薄型化を可能とする半導体装置の製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、金属バンプが形成された回路面を有する第1の半導体ウェハの回路面上に、液状感光性接着剤を塗布して感光性接着剤層を形成する工程と、感光性接着剤層を光照射によりBステージ化して接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハと、第2の半導体ウェハとを、接着剤層付き半導体ウェハの接着剤層を挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程と、半導体ウェハ積層体を切断して半導体素子が積層された半導体素子積層体に切り分ける工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ゲルタイムを速くすることで硬化温度の低温化を可能にし、チップにかかる熱応力を低減させ、さらに成形時のボイド発生が抑制された電子部品用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】電子部品用液状樹脂組成物を、エポキシ樹脂と、芳香族アミン化合物と、硬化促進剤として、下記式(III)で表される構造部位を有する化合物を含有せしめて構成する。
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【課題】 接着性と流動性を両立し、信頼性にも優れる電子部品用樹脂組成物及びこれを用いた液状封止材、これにより封止された電子部品装置を提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び可とう剤を含む電子部品用樹脂組成物であって、可とう剤が少なくとも3つの重合鎖が放射状に伸びる星型構造を有する共重合体である電子部品用樹脂組成物。エポキシ樹脂の含有量が25〜60質量%であり、少なくとも3つの重合鎖が放射状に伸びる星型構造を有する共重合体の含有量が、1〜10質量%であると好ましい。 (もっと読む)


【課題】リードフレームを介して電子部品を基板上に搭載し、リードフレームの全体および電子部品をモールド樹脂で封止してなる電子装置において、リードフレームとモールド樹脂との剥離を抑制しつつ、リードフレームと基板との接続を確保できるようにする。
【解決手段】リードフレーム30における電子部品20から突出する他端32側の全体は、当該リードフレーム30を構成する母材が表面に露出したものであって、モールド樹脂40で封止されており、このリードフレーム30の他端32側と基板10との間に、金属よりなる導電性フィラー52を含有する導電性接着剤50が介在しており、導電性フィラー52が母材に融着することにより、リードフレーム30の他端32側と基板10とが電気的および機械的に固定されている。 (もっと読む)


【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体1の製造方法は、電極2bを上面2aに有する第1の接続対象部材2上に、異方性導電材料層3Aを配置する工程と、異方性導電材料層3Aに光を照射することにより硬化を進行させて、異方性導電材料層3AをBステージ化する工程と、Bステージ化された異方性導電材料層3Bの上面3aに、電極4bを下面4aに有する第2の接続対象部材4をさらに積層する工程とを備える。異方性導電材料層3AをBステージ化する際に、一方の表面側3aの厚み1/2の領域における異方性導電材料層部分3Baの硬化率と他方の表面側3bの厚み1/2の領域における異方性導電材料層部分3Bbの硬化率とを特定の関係となるように制御する。 (もっと読む)


【課題】十分なリペア性を有するとともに、高い接続信頼性を有する異方性導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】本発明の異方性導電性ペーストは、電子部品および配線基板を接続する異方性導電性ペーストである。そして、前記異方性導電性ペーストは、240℃以下の融点を有する鉛フリーはんだ粉末10質量%以上50質量%以下と、熱硬化性樹脂および有機酸を含有する熱硬化性樹脂組成物50質量%以上90質量%以下とを含有し、前記熱硬化性樹脂組成物の酸価は、15mgKOH/g以上55mgKOH/gであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
Pbを含んだはんだに替わり高温環境下で高信頼接合を維持できる接合材料として、接
合部が高温環境に耐え、高信頼な接合を維持できる接合構造を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、第1の部材5と第2の部材1の接合構造において、はんだ3とガラス4とに
よって、第1の部材5と第2の部材1を接合し、ガラス4がはんだ3を封止していること
によって、導電性を確保するとともに、高温時にはんだ溶融による流出を抑制して、耐久
性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂のかみこみを抑制しながら良好な電極接合を行い、信頼性の高い半導体チップ実装体を製造することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法に用いられる封止樹脂を提供する。
【解決手段】封止樹脂を介して、半導体チップの突起状電極と、基板又は他の半導体チップの電極部とを位置合わせする工程と、前記突起状電極の溶融温度よりも低い温度で加熱しながら、前記半導体チップを押圧し、前記突起状電極と前記電極部とを接触させる工程と、前記突起状電極が溶融する温度で加熱しながら、前記突起状電極と前記電極部とが接触した位置よりも、前記基板又は他の半導体チップ側に0μmを超えて10μm以下まで近い位置に前記半導体チップを保持し、前記突起状電極と前記電極部とを接合する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程とを有し、前記封止樹脂は、溶融粘度計により測定した120℃における粘度が10〜10000Pa・sであり、前記突起状電極が溶融する温度で1〜30秒間加熱したときのゲル分率が30%以上90%未満である半導体チップ実装体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本接続の低温速硬化が可能なラジカル重合型接着剤でありながら、高温高湿環境に放置した後も高い接着力を有し、かつ、回路部材と回路接続材料との界面に剥離気泡が生じることを十分に抑制することができる回路接続材料、及び、それを用いた回路接続構造体を提供すること。
【解決手段】相対向する二つの回路部材を電気的に接続するための回路接続材料であって、(A)熱可塑性樹脂、(B)ポリウレタン樹脂、(C)ラジカル重合性化合物及び(D)ラジカル重合開始剤を含有し、(B)ポリウレタン樹脂は、エステル結合を有するジオールを少なくとも含むジオール成分とジイソシアネート成分とを反応させて得られるものであり、(B)ポリウレタン樹脂の配合量は、(A)熱可塑性樹脂、(B)ポリウレタン樹脂及び(C)ラジカル重合性化合物の総量を基準として1.5〜8.5質量%である、回路接続材料。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体チップ実装体を製造することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極を有し、前記突起状電極を有する面に封止樹脂層が設けられた厚みが100μm以下の半導体チップ1を作製する工程(1)と、前記半導体チップの前記突起状電極と基板又はその他の電子部品の電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させて前記半導体チップの周りにフィレット2を形成する工程(2)とを有し、前記工程(1)では、前記突起状電極の高さに対して40〜80%の厚みとなるように前記封止樹脂層を設け、前記工程(2)では、前記半導体チップの対角線の延長線上にあるフィレットの長さIが、前記半導体チップの対角線の長さLに対して100%を超えて130%以下となるようにフィレットを形成する半導体チップ実装体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】温度サイクル等の印加時にアンダーフィル樹脂の剥離を抑制し、半導体チップの断線不良等を防止することを可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置10は、配線基板1と、この配線基板1上に搭載された半導体チップ積層体2と、半導体チップ積層体の各半導体チップ間に充填されたアンダーフィル4層と、半導体チップ積層体2等の外側に被覆・形成されたモールド樹脂硬化物の封止層8とを備える。アンダーフィル層4は、アミン系の硬化剤を含むアンダーフィル樹脂の硬化物であり、Tgが65℃以上100℃以下の硬化物により構成されている。 (もっと読む)


【課題】塗工性に優れ、接合信頼性が高く、かつ、透明性が高く、カメラによる半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとするフリップチップ実装用接着剤を提供する。また、該フリップチップ実装用接着剤を用いて製造されるフリップチップ実装用接着フィルム、及び、該フリップチップ実装用接着フィルムを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含有するフリップチップ実装用接着剤であって、前記無機フィラーは、シランカップリング剤により表面処理されており、平均粒子径が0.05μm以上0.20μm未満であり、かつ、フリップチップ実装用接着剤中の含有量が20重量%以上60重量%以下であるフリップチップ実装用接着剤。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を配線回路基板にフリップチップ実装する場合であっても、半導体素子の薄厚化を図ることができるとともに、配線回路基板及び半導体素子間を良好に埋め込むことができ、耐HAST性に優れた半導体装置を作製可能な回路接続用接着剤、回路接続用接着シート及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の回路接続用接着剤は、相対向する回路基板を接続するための回路接続用接着剤であって、アクリルゴム、熱硬化性成分及び硬化促進剤を含有し、アクリルゴム中のアクリロニトリルの共重合割合が15質量%以下である。 (もっと読む)


【課題】水分による接着性の低下が抑制された、保存安定性に優れた異方性導電フィルムを提供する。
【解決手段】水分による接着性の低下が抑制された、保存安定性に優れた異方性導電フィルムは、導電性粒子が絶縁性接着剤に分散した異方性導電フィルムであって、ゼオライトを1〜20wt%、好ましくは5〜15wt%含有する。該ゼオライトの平均細孔径は3〜5オングストロームであり、ゼオライトの平均粒子径は導電性粒子の平均粒子径より小さい。好ましくは、前者は後者の10%〜80%である。具体的には、ゼオライトの平均粒子径は好ましくは0.1μm〜8μmであり、導電性粒子の平均粒子径は1μm〜10μmである。 (もっと読む)


【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能性素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく、また工程数を増大させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の導電層における非接続領域を保護するための保護層を、前記配線基板の主面上において、前記配線基板上に搭載した機能性素子と相対向する位置であって、その機能部と相対向する位置を除く領域にまで延在させ、封止層を配線基板と機能性素子との接合部から前記機能性素子の前記機能部にまで延在させることなく、前記配線基板の前記主面と前記機能部との間に空隙を形成するようにして、電子部品を構成する。 (もっと読む)


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