【課題】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部を封止するための接続信頼性及び絶縁信頼性に優れた接着剤組成物、それを用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の提供。
【解決手段】エポキシ樹脂と、硬化剤と、ビニル系表面処理フィラーとを含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】電極間の位置ずれを抑制できる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去する工程と、異方性導電ペースト層上に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層３Ａにおいて、第１の領域を除去装置１４により除去するか、又は塗布量が多い第２の領域を除去装置により除去する。 （もっと読む）

【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、異方性導電材料層３Ａを配置する工程と、異方性導電材料層３Ａに光を照射することにより硬化を進行させて、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化する工程と、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの上面３ａに、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４をさらに積層する工程とを備える。異方性導電材料層３ＡをＢステージ化する際に、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの温度範囲２３〜１２０℃における最低溶融粘度を示す温度での貯蔵弾性率Ｇ’を５×１０^２Ｐａ以上、１×１０^５Ｐａ以下にする。導電性粒子５の１７０℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率は５．９×１０^２Ｎ／ｍｍ^２以上、５．９×１０^３Ｎ／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】 低温短時間硬化性と保存安定性とを両立することができ、接続信頼性に優れた回路接続材料の実現を可能とする接着剤組成物、それを用いた回路接続材料、接続体及びその製造方法並びに半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の接着剤組成物は、オキセタン化合物と、エポキシ化合物と、下記一般式（１）で示されるスルホニウム塩型熱潜在性カチオン発生剤とを含有する。



一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、炭素数が１〜４の炭化水素基を示し、Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数が１〜１０の脂肪族炭化水素基、又は、芳香族炭化水素基を示し、Ｘ⁻は、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、又は、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸イオンを示す。 （もっと読む）

【課題】第１，第２の接続対象部材の接続信頼性を高めることができる接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、第１の接続対象部材２上に、熱硬化性成分を含む硬化性組成物を直線状に塗布して、硬化性組成物層を形成する工程と、硬化性組成物層上に、第１の接続対象部材２よりも小さい第２の接続対象部材４を積層する工程と、硬化性組成物層を加熱して本硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。本発明に係る接続構造体１の製造方法では、塗布方向と直交する方向における硬化性組成物層の中央部３ｘの最小厚み（μｍ）をＴとしたときに、塗布方向と直交する方向における硬化性組成物層の中央部３ｘの外側の縁部３ｙの最大厚み（μｍ）が１．１Ｔ以上、１．６Ｔ以下になるように、かつ縁部３ｙが盛り上がった形状になるように、硬化性組成物を直線状に塗布する。 （もっと読む）

【課題】特定温度以上の加熱により優れたリペア性を発現し、通常のヒートサイクルの熱衝撃に対しては、優れた電気的動作を維持することができる、液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】常温で液状のエポキシ樹脂、硬化剤、及び発泡剤を含む液状エポキシ樹脂組成物であって、発泡剤が熱分解型発泡剤であることとする。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しＢ−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）溶剤と、を含んでなり、粘度ａ／粘度ｂで表されるチキソ比が１．５以下である。
粘度ａ：ブルックフィールド型粘度計を用い、０．５ｒｐｍ、２５℃で測定。
粘度ｂ：ブルックフィールド型粘度計を用い、２．５ｒｐｍ、２５℃で測定。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造の際の工程数の増加を抑制しつつ、半導体ウエハが有する低誘電材料層のクラックを防止することを可能とする保護層形成用フィルムを提供すること。
【解決手段】 低誘電材料層が形成されているバンプ付きウエハに保護層を形成するための保護層形成用フィルムであって、支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層されており、熱硬化性樹脂層の溶融粘度が、１×１０^２Ｐａ・Ｓ以上２×１０^４Ｐａ・Ｓ未満となり、且つ、粘着剤層のせん断弾性率が、１×１０^３Ｐａ以上２×１０^６Ｐａ以下となる温度が５０〜１２０℃の温度範囲内に存在する保護層形成用フィルム。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、高い透明性を維持するとともに半導体チップをボンディングする際にはボイドの発生を抑制しながら、貯蔵安定性及び熱安定性にも優れ、更に、耐熱性に優れた硬化物を得ることができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を含有するフリップチップ実装用接着剤、該フリップチップ実装用接着剤を用いる半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、ビシクロ骨格を有する酸無水物と、常温で液状のイミダゾール硬化促進剤とを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しＢ−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）溶剤と、（Ｅ）アミノ基を含有するシランカップリング剤と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィルにより樹脂封止された半導体チップを、樹脂残渣少なく且つ基板表面を傷つけることなく配線基板から取り外すことができるようにする。
【解決手段】 配線基板10上にはんだバンプ8を介して半導体チップ1が搭載され、封止樹脂9により封止されている半導体装置において、封止樹脂9にはシロキサン骨格を有する多層構造の粒子が添加されている。半導体チップ1をリペアする際には、加熱して封止樹脂9の密着強度を低下させた状態で剥離用プレート12を、配線基板10と半導体チップ1との隙間に挿入して〔（ｂ）図〕、封止樹脂９を配線基板10から剥離し、半導体チップ1を取り除く〔（ｃ）図〕。 （もっと読む）

【課題】半導体素子・配線回路基板間の熱膨張率差による接続不良を改善するとともに、半導体素子・配線回路基板の端子間での無機質充填剤の噛みこみを、より確実に抑え、接続信頼性を向上させた、封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法を提供する。
【解決手段】配線回路基板と半導体素子との間の空隙を樹脂封止するための封止用樹脂シート１であって、上記封止用樹脂シート１が、無機質充填剤含有層３と無機質充填剤不含層２との二層構造のエポキシ樹脂組成物シートであり、無機質充填剤含有層３の溶融粘度が１．０×１０²〜２．０×１０⁴Ｐａ・ｓ、無機質充填剤不含層２の溶融粘度が１．０×１０³〜２．０×１０⁵Ｐａ・ｓ、両層の粘度差が１．５×１０⁴Ｐａ・ｓ以上であり、無機質充填剤不含層２の厚みが、半導体素子に設けられた接続用電極部の高さの１／３〜４／５である。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率と低誘電率、高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が球状アルミナと球状シリカとの混合物を含み、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物であり、好ましくはｐＨ値が７以上である液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド回路基板において好適に使用できるポリイミド系のアンダーフィル材であり、高周波領域において発生しやすいノイズを抑制し、消費電力を抑えることができる、低誘電性アンダーフィル用樹脂組成物およびその硬化膜を提供する。
【解決手段】ポリイミドまたはその前駆体であるポリアミド酸（Ａ）と、平均粒子径が１００μｍ以下のポリオレフィン粒子（Ｂ）、溶媒（Ｃ）とを混合して得られるアンダーフィル用樹脂組成物であって、前記樹脂組成物を加熱乾燥して得られる硬化膜は、ポリイミドの連続相と、前記ポリオレフィン粒子（Ｂ）から得られる分散相とを有し、硬化膜の比誘電率は、前記ポリイミドの比誘電率よりも低いアンダーフィル用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】低温、短時間の条件で硬化し、かつ、接続信頼性の高い接着剤を提供する。
【解決手段】接着剤は金属キレートと、シランカップリング剤と、熱硬化性樹脂とを有しており、シランカップリング剤のアルコキシ基が接着剤中で加水分解され、シラノール基となる。このシラノール基と金属キレートとが反応することによって接着剤中にカチオンが放出されると、そのカチオンによって熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂がカチオン重合する。このように、接着剤はカチオン重合によって硬化されるので、低い温度でも接着剤が硬化する。 （もっと読む）

【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、導電性粒子５を含む異方性導電材料を用いた異方性導電材料層を配置する工程と、該異方性導電材料層の上面に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、第２の接続対象部材４の上面４ｃに、加熱圧着ヘッドを降下させて、上記加熱圧着ヘッドが第２の接続対象部材４の上面４ｃに接した状態で、上記異方性導電材料層を硬化させる工程と、第２の接続対象部材４の上面４ｃから、上記加熱圧着ヘッドを引き上げる工程とを備える。本発明に係る接続構造体１の製造方法では、上記異方性導電材料層が硬化開始温度に達するまでに、電極に導電性粒子５が押し込まれた凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】加熱によってフラックス機能が損なわれず、半導体チップ等と回路基板とを良好に電気的に接続可能な樹脂組成物、および、このような樹脂組成物を用いた半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供する。
【解決手段】樹脂組成物は、第１の部材の半田接合面に用いられるフラックス機能を有する樹脂組成物層を構成する樹脂組成物であって、架橋反応可能な樹脂と、加熱により酸を発生する熱酸発生剤と、を含むことを特徴とする。熱酸発生剤は、オニウム塩化合物、トリアジン誘導体、有機スルホン酸縮合誘導体、および、有機カルボン酸縮合誘導体からなる群から選択される少なくとも１種であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】回線電極を有する回路基板間の電気的接続において、低温接続性及び接続信頼性に優れる硬化剤フィルムの提供。
【解決手段】支持フィルム上に、フィルム形成性樹脂、硬化剤及び該硬化剤により硬化しない粘着性付与樹脂を含む硬化剤層が形成されていることを特徴とする硬化剤フィルム。 （もっと読む）

【課題】電気的接続信頼性及び接着後の耐イオンマイグレーション性に優れ、脆性改善、良好なタック性、高い作業性を有するダイシングフィルム一体型接着シート電子部品および半導体装置を提供すること。
【解決手段】支持体７の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルム３と、ダイシングテープ２とから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シート１０であって、前記接着フィルム３が、（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂と、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、（Ｄ）成膜性樹脂と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子部品と基板との間の接続を樹脂によって強固に補強できる電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】一つの実施の形態に係る電子機器の製造方法によれば、前記電子機器は、基板と、前記基板に設けられた複数のパッドと、前記基板と対向する底面を有した部品本体と、前記部品本体の底面に配置された複数の端子と、前記部品本体の底面に配置されるとともに加熱されることで酸化膜を除去する熱硬化性の樹脂と、を備えた電子部品と、を具備する。まず、前記電子部品を前記基板に載置し、前記基板に載置された前記電子部品を加熱して前記樹脂を軟化させ、軟化した前記樹脂を流動させて前記電子部品と前記基板との間に存在するガスを外に押し出すとともに、前記樹脂を前記電子部品と前記基板との間に充填し、前記電子部品をさらに加熱することで、前記電子部品と前記基板との間に充填された前記樹脂を硬化させる。 （もっと読む）