【課題】充填性に優れボイド発生を抑制することのできる封止用エポキシ樹脂成形材料、及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填剤を少なくとも含み、前記（Ａ）エポキシ樹脂及び前記（Ｂ）硬化剤は、両者からなる液状組成物の１１０℃における絶縁保護膜に対する動的接触角が７０度以下であり、前記（Ｃ）無機充填剤は、質量平均粒子径が１０μｍ以下で且つ比表面積が３．０ｍ^２／ｇ以上である、封止用エポキシ樹脂成形材料。 （もっと読む）

【課題】実装部近傍の構成部品に対する熱衝撃を緩和させる。
【解決手段】熱硬化性の接着剤層２３を介して実装部品１８，２１を熱加圧することにより実装部２０，２２に実装部品１８，２１を接続する熱圧着ヘッド３において、熱圧着ヘッド３は、ペルチェ素子５を有し、ペルチェ素子５は、実装部品１８，２１を熱加圧する際に、実装部２０，２２近傍に設けられた他の構成部品１５と対峙する面側を冷却部６とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品と基板との電気的接続を簡易かつ歩留まりよく行うことが可能な新規な方法を提供する。
【解決方法】接続用の第１の電極を有する基板と、接続用の第２の電極を有する電子部品とを、前記第１の電極及び前記第２の電極を介して電気的に接続する方法であって、前記基板の前記第１の電極上に導電性ペーストを配置する工程と、前記基板の前記第１の電極の非形成領域において、熱硬化性樹脂シートを配置する工程と、前記電子部品を、前記第２の電極と前記基板の前記第１の電極とが接触するようにして前記基板上に搭載し、０．１Ｐａ以下の圧力下において、８０〜１５０℃の温度で加熱し、前記導電性ペースト及び前記熱硬化性樹脂シートを同時に加熱硬化させて、前記電子部品を前記基板に電気的に接続する工程と、を具える。 （もっと読む）

【課題】バンプの潰れすぎによる導通不良〔ショート（短絡）〕を防ぎつつ、接着性が良好な半導体素子の実装方法、及び該半導体素子の実装方法により得られる実装体の提供。
【解決手段】バンプが形成された半導体素子の前記バンプを有する面上に、硬化した第一の絶縁性樹脂層と、未硬化の第二の絶縁性樹脂層とをこの順に積層した積層物を作製する積層物作製工程と、電極を有する基板上に、前記基板の前記電極を有する面が前記第二の絶縁性樹脂層に対向するように前記積層物を配置する配置工程と、前記半導体素子を加熱及び押圧し、前記第二の絶縁性樹脂層を硬化させるとともに、前記バンプと前記基板の前記電極とを電気的に接続する接続工程と、を含む半導体素子の実装方法である。 （もっと読む）

【課題】リフロー装置を用いて電極接合と樹脂封止とを行う際に、信頼性の高い電極接合を行うことができ、かつ、基板又は半導体素子の反りを抑制することのできるフリップチップ用樹脂封止材を提供する。また、該フリップチップ用樹脂封止材を用いた半導体実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】リフロー装置を用いて電極接合と樹脂封止とを行う際に用いられるフリップチップ用樹脂封止材であって、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤又はフェノール系硬化剤とを含有し、２６０℃でのゲルタイムが２０秒以上であり、回転式レオメーターにより測定した１Ｈｚでの５０〜２５０℃の間における最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓより小さいフリップチップ用樹脂封止材。 （もっと読む）

【課題】Ｂステージ化した後、常温に戻した段階でのタック値が低く、リフロー時の温度域での溶融粘度が低く、Ｂステージ化した後の透明性に優れたウェハレベルアンダーフィル組成物およびそれを用いた半導体装置製造方法の提供。
【解決手段】（Ａ）結晶性エポキシ樹脂、（Ｂ）結晶性フェノール樹脂、（Ｃ）有機酸、（Ｄ）硬化触媒、および、（Ｅ）溶剤よりなり、前記（Ａ）結晶性エポキシ樹脂として、ナフタレン骨格を有するものを含むことを特徴とするウェハレベルアンダーフィル組成物。 （もっと読む）

【課題】 高精細回路における隣接する回路間の絶縁性の確保と、対向する回路間の導通性の確保とを両立させることが可能な回路接続材料を提供すること。
【解決手段】 相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路接続材料であって、有機絶縁物質中に導電性微粒子を分散させた異方導電粒子を含有する、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】フィラーを含む接着剤を用いた場合であっても、フィラーや樹脂が半田バンプとパッド電極との間に挟まることなく、良好な接続が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ４を有する第１の回路部材１と、パッド電極５を有する第２の回路部材６の間に絶縁性樹脂組成物３を介在させた状態で、加熱および加圧により前記第１の回路部材のバンプと前記第２の回路部材のパッド電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、前記バンプが下式（１）を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。ｔ１−ｔ２＞０．１ｒ（１）ｔ１：最頂部のバンプ高さｔ２：最頂部からバンプ半径ｒの１／２離れた位置のバンプ高さｒ：バンプ半径 （もっと読む）

【課題】生産性に優れ、半導体基板と配線基板との機械的な接続の安定性を向上することができるとともに、半導体基板の電極と配線基板の配線との電気的な接続の安定性を向上することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁性接着材が極性の異なる電極間の半導体基板の表面領域と隣り合う配線間の絶縁性基材の表面領域との間に配置され、第２の絶縁性接着材が第１の絶縁性接着材と導電性接着材との間に配置されており、第１の絶縁性接着材は、第１の硬化状態となった後に軟化状態となってその後第２の硬化状態となる性質を有し、第１の絶縁性接着材が第２の硬化状態となるまで第１の絶縁性接着材の粘度を第２の絶縁性接着材の粘度よりも高くして製造される半導体装置とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】チップ間に保護材を有する信頼性の高いチップオンチップ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態によるチップオンチップ構造体は、対向する第１のチップおよび第２のチップと、前記第１のチップの前記第２のチップ側の面上の第１の電極端子と、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面上の第２の電極端子と、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを電気的に接続するバンプと、前記第１のチップと前記第２のチップの間の前記バンプの周囲に形成され、感熱接着性を有する材料からなる層を含む保護材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低溶融粘度化によって、チップ搭載温度の低温化への対応および超音波振動を利用したフリップチップ接続方式への対応が可能となるフィルム状接着剤およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）重量平均分子量が１００００より大きく、常温(２５℃)において固形である樹脂、（ｂ）絶縁性球状無機フィラー、（ｃ）エポキシ樹脂、（ｄ）硬化剤を必須成分とするフィルム状接着剤であって、５０〜２５０℃のいずれかの温度で最低溶融粘度が２００Ｐａ・ｓ以下であり、硬化物の２５〜２６０℃における平均線膨張係数が２００×１０^−６/℃以下であるフィルム状接着剤。該フィルム状接着剤を使用する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンデイングによる排熱不足及び耐熱性の問題を解消し、青色系のＬＥＤチップの発光時におけるＬＥＤチップ接続用接着剤の劣化が極めて少なく、接続後のチップと基板間にボイドが少なく、かつ使用時のボイドの破裂による接合不良の問題がない接続構造体の提供。
【解決手段】ＬＥＤチップ、バンプ、基板電極、及びフリップ用接着剤を含む接続構造体であって、該フリップ用接着剤がポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂を含むことを特徴とする接続構造体。 （もっと読む）

【課題】
硬化することにより長期信頼性に優れた硬化物が得られる液状硬化性組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応により分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合をエポキシ化して得られる全塩素量が１０質量ｐｐｍ以下であるエポキシ化合物、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）充填材を含む液状硬化性組成物である。好ましくはエポキシ化合物はアリルエーテル結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合を酸化して得られる２つ以上のグリシジル基を一分子中に有する室温で液状の化合物である。 （もっと読む）

【課題】フィレット形状を、凸形状にならないように制御し、信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着材料を提供する。
【解決手段】粘弾性測定装置で測定した２５℃せん断弾性率Ｇｒが１×１０^６Ｐａ以上、レオメーターで測定したハンダ融点までの最低複素粘度η＊ｍｉｎが５×１０^１Ｐａ・ｓ以下であり、温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１Ｈｚ）が温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１０Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１０Ｈｚ）の０．５〜４．５倍である半導体チップ接合用接着材料３。 （もっと読む）

【課題】接合する第一基板と第二基板とのボイドが発生しにくい電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１１０と第二基板１２０との間に樹脂層１３０を導入して、所定の低温で低温半田バンプ１２１を溶融させて溶融していない高温半田バンプ１１１と個々に仮接合してから、樹脂層１３０を硬化し、さらにこの仮接合された低温半田バンプ１２１と高温半田バンプ１１１とを所定の高温で溶融させて個々に本接合する。 （もっと読む）

【課題】高温下での接続信頼性に優れた、すなわち高温下でも充分な接着力、かつ良好な接続状態で半導体を封止充てんすることが可能な半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂、硬化剤、フラックス剤、平均粒径が異なる少なくとも２種類以上の無機フィラを必須成分としており、前記無機フィラは、平均粒径が１００ｎｍ以下の無機フィラ、及び平均粒径が１００ｎｍより大きい無機フィラを含む半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１と、第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層１２２とを備える積層体により構成されるものであり、このものを、端子２１有する半導体チップ（基材）上に配置する際に、端子２１上に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、第１の金属層１２１は、第１の部分１５に対応して選択的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】大面積の薄膜を安定して形成でき、アンダーフィル剤として良好で耐久性のある半田接続性を与える、アンダーフィル剤組成物、及び該組成物を用いる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フラックス性を有する硬化剤、
（Ｃ）イミダゾール触媒、
（Ｄ）揮発性有機溶剤、及び
（Ｅ）細孔容積が０．３〜０．７ｃｍ^３／ｇである多孔質無機充填剤にして、表面が酸化ケイ素で被覆されている球状無機充填剤
を含んでなる、B-ステージ対応可能な液状ウエハレベルアンダーフィル組成物。 （もっと読む）

【課題】対向する複数の端子同士間において、優れた選択性をもって溶融状態の金属材料を各端子同士間に凝集させて、これら端子同士を金属材料を介して優れた精度で電気的に接続することができる端子間の接続方法、および、接続端子の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の端子間の接続方法は、樹脂組成物層１１、１３と、金属層１２とを備える積層体により構成される導電接続シート１を用いて、端子２１と端子４１とを電気的に接続する方法であり、導電接続シート１を、端子２１と端子４１との間に配置する工程と、端子２１と端子４１との間の離間距離が接近するように半導体チップ２１とインターポーザー３０とを加圧しつつ、金属材料の融点未満の温度で導電接続シート１を加熱する工程と、金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電気的接続信頼性および封止後の樹脂の耐イオンマイグレーション性に優れる接着剤、多層回路基板、半導体用部品および半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の接着剤は、半田接合される第１の端子を有する面に接着する接着剤であって、エポキシ樹脂と、硬化剤と、カルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を有するフラックス活性化合物とを含み、かつ、前記エポキシ樹脂にグリシジルアミン型エポキシ樹脂を含むことを特徴とする。 （もっと読む）