【課題】本発明は、長尺状の樹脂突起１８上に配線２０が形成される構造でありながら、電気的な接続信頼性を確保することを目的とする。
【解決手段】半導体モジュールは、絶縁膜１６の表面上で樹脂ダム２４の外側に形成されて長尺状をなす樹脂突起１８と、電極１４上から樹脂突起１８上に至るように延びる配線２０と、配線２０の樹脂突起１８上の部分に接触するリード３０と、リード３０の樹脂突起１８とは反対側を支持するベース基板２６と、半導体チップ１０とベース基板２６の間に配置される接着剤２８と、を有する。樹脂ダム２４は、絶縁膜１６とは反対側がベース基板２６に密着して、絶縁膜１６及びベース基板２６並びに樹脂ダム２４によってスペースが区画されている。接着剤２８は、スペース内に配置される第１の接着部３２と、スペースよりもリード３０と配線２０の接触部に近い位置に配置される第２の接着部３４と、を含む。第１の接着部３２はボイド３６を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性低下を抑制しながら、半導体装置を薄型化することを目的とする。
【解決手段】第１の配線基板２２に半導体素子３を接続し、第２の配線基板２３に形成された開口部５に半導体素子３が収納されるように第１の配線基板２２を第２の配線基板２３に設置することにより、半導体素子３と第２の配線基板２３との電気的接続が、金属細線を用いることなく、第１の配線基板２２に形成された配線パターン２７により短い配線長で実現させることができるため、半導体装置２１の特性低下を抑制しながら、半導体装置２１を薄型化することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することを目的とするものである。
【解決手段】基板１に半導体チップ２をフリップチップ実装して半導体装置を製造する際に、半導体チップ２の多重の環状に形成されたパッド４の最内周パッド以外のパッド４間に突出部９を設け、基板１上の最内周パッドの内側に対応する部分に固定用樹脂体３を載置し、加圧，加温することにより基板１と半導体チップ２との間全面に固定用樹脂体３を広げ、基板１と半導体チップ２とを固定用樹脂体３により固定することにより、最内周パッドの外側にボイド等が形成されることを抑制し、半導体チップ２と基板１との電気的接続状態を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】電極数を極力低減すると共に、実装時に実装基板との平行度を保って接続不良の防止を図り、且つ半導体回路の破壊をも抑制した半導体チップを提供すること。
【解決手段】例えば、所定の間隙を持って対向させた各メモリバンク２２Ａ〜２２Ｄ間により形成された十字状の接続バンプ配置領域２３が設けられている。そして、十字状の接続バンプ配置領域２３における領域２３Ａに、信号入出力用接続バンプ２１Ａ（第１の電極）が群をなして配設させている。一方で、当該信号入出力用接続バンプ２１Ａが群をなす領域２３Ａに直交する領域２３Ｂ内に電力・接地用接続バンプ２１Ｂの群を配設させることで、記憶装置チップ２０を配線チップ１０に実装した際、当該記憶装置チップ２０が傾くのを当該電力・接地用接続バンプ２１Ｂが支持し（半田を介して支持し）、最小限のバンプ数で平行度が保たれる。このように、例えば記憶装置チップ２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】全面にわたって均一な条件で、効率よく安全に基板を接合する。
【解決手段】一対の基板を接合する接合装置であって、一方の基板の位置を検出して、検出した位置に基づいて、前記一方の基板が他方の基板に近接する方向及び前記一方の基板が前記他方の基板から離反する方向への前記一方の基板の移動を制御する位置制御部と、前記一対の基板が所定の大きさの間隔以下の大きさの間隔で互いに近接していること、または、前記一対の基板が互いに接触していることを検出する近接検知部と、近接検知部が前記一対の基板の近接または接触を検知した後に、前記一対の基板の間で作用する圧力を検出し、当該圧力が所与の目標圧力に到達するまで、前記一方の基板を前記他方の基板に向けて加圧する圧力制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】実装時、パッケージ基板下のはんだバンプ間へのアンダーフィル樹脂の円滑浸透を助けると共に、パッケージ基板の上面へのアンダーフィル樹脂の濡れ上がりをせき止めることができるようにする。
【解決手段】このＬＳＩパッケージ８ａは、ＬＳＩチップ等の電子部品６、６を搭載するためのパッケージ基板７ａと、このパッケージ基板７ａの下面に格子状に配列された複数のはんだバンプ４、４とを備えている。パッケージ基板７ａの下面の縁端部には、実装時、パッケージ基板７ａの下面とメイン配線基板２との間の隙間のはんだバンプ４、４間へのアンダーフィル樹脂３の円滑浸透を助けると共に、パッケージ基板７ａの上面へのアンダーフィル樹脂３の濡れ上がりをせき止めるための切欠部９（段差部９ａ）が設けられている。 （もっと読む）

【課題】小型化でき、コストダウンできる圧電部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板２ｆ上に形成されたＩＤＴ２ａからなる振動部及びＩＤＴ２ａに接続されている素子配線を有する圧電素子２を設ける。圧電素子２と接合基板１とをＩＤＴ２ａと対向するように、バンプ３及び絶縁性の樹脂枠４により互いに接着する。接合基板１は、ＩＤＴ２ａと対向する一方主面に接合基板配線１ｂ、他方主面に外部端子５、接合基板端部にスルーホール１ａをそれぞれ備える。バンプ３と接合基板１の接合基板配線１ｂとを電気的に接続する。接合基板配線１ｂと外部端子５とを、スルーホール１ａを介して電気的に互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル剤の流出を確実に防止することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板上にフリップチップ実装された半導体チップと、前記基板と前記半導体チップとの間を埋めるアンダーフィルと、を具備し、前記基板上には、前記半導体チップの搭載されるチップ搭載領域２０と、前記チップ搭載領域の外部に配置され、電極パッド１２の設けられた電極パッド領域３０と、前記チップ搭載領域と前記電極パッド領域との間に設けられたダム領域４０とが設けられ、前記ダム領域には、複数のダム用突起が、複数列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】回路基板と半導体素子との隙間に充填されたアンダーフィル樹脂内のボイドの発生を防止して、半田バンプの接続信頼性を高める。
【解決手段】まず、回路基板１０１の表面に半導体素子１０２が実装される。次に、回路基板１０１と半導体素子１０２との隙間に、流動性を有するアンダーフィル樹脂が充填される。次に、回路基板１０１と半導体素子１０２との隙間に充填されたアンダーフィル樹脂が硬化される。ここで、上記のアンダーフィル樹脂が回路基板１０１と半導体素子１０２との隙間に充填される際には、半導体素子１０２の側面に対向する複数の位置から回路基板１０１と半導体素子１０２との隙間にアンダーフィル樹脂が供給される。 （もっと読む）

【課題】充填剤の充填不良を回避しつつ、短時間での半導体素子と基板との隙間への充填剤の充填が可能である半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０と基板２０との間に配置したはんだボール１１・１１・・・により半導体チップ１０と基板２０とを接合するとともに、前記はんだボール１１・１１・・・により接合された半導体チップ１０と基板２０との間に形成される隙間にアンダーフィル剤３１を充填して半導体チップ１０と基板２０との接合を補強する半導体装置１であって、半導体チップ１０は、基板２０と対向する面（下面）を、アンダーフィル剤３１の充填側と反対側の隙間が該充填側の隙間より大きくなるように傾斜した面として構成され、半導体チップ１０における充填口２２側からの距離に応じてはんだボール１１・１１・・・の断面積を設定し、はんだボール１１・１１・・・を、充填口２２を中心として放射状に配置した。 （もっと読む）

【課題】 電極の厚みを変えることなく、フリップチップ接合のバンプ位置ずれを防止することができる半導体装置を実現する。
【解決手段】 半導体素子側に設けられた電極パッド上の各バンプを、パッケージ基板側の電極に当接させることにより、前記半導体素子と前記パッケージ基板とをフリップチップ接合する半導体装置において、前記パッケージ基板の最表面をソルダレジストで覆うと共に、前記電極上の前記ソルダレジストを取り除くことにより、電極の厚みを変えることなく、フリップチップ接合のバンプ位置ずれを防止するように構成した。 （もっと読む）

【課題】フラックス残渣によるイオンマイグレーションの発生を効果的に防止すると共に、アンダーフィルと配線基板との密着性が向上した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の配線基板側パッド９を有する配線基板２と、配線基板２に搭載され、複数の配線基板側パッド７を有する半導体チップ１と、半導体チップ側パッド７と配線基板側パッド９とを接続するバンプ５と、半導体チップ１と配線基板２との間のバンプ５が形成されていない領域に充填されたアンダーフィル６とを備える。配線基板２の表面に、配線基板側パッド９を囲んで形成されたソルダーレジスト層３、４を備え、ソルダーレジスト層３、４は、配線基板側パッド９の周辺部が凹部となるように形成された段差部１５を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非フローアンダーフィルカプセル封止プロセスにおいて特に有効である、硬化可能なアンダーフィルカプセル封止組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、次の成分、a) 1種または複数種のエポキシ樹脂、b) ポリセバシン酸ポリ無水物、ポリアゼライン酸ポリ無水物およびポリアジピン酸ポリ無水物から選ばれた1種または複数種の線状ポリ無水物、c) 1種または複数種の環状無水物、およびd) 1種または複数種の触媒、（ここで、前記線状ポリ無水物と前記環状無水物との比は化学量論的である）、を含んでなる非フローアンダーフィルカプセル封止材料である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線基板及び半導体装置に関し、半導体素子がフリップチップ接続される配線パターンの信頼性を向上させることのできる配線基板及び半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体素子搭載領域Ａを有した配線基板本体３１と、半導体素子搭載領域Ａに対応する部分の配線基板本体３１の上面３１Ａに設けられ、半導体素子１２がフリップチップ接続される接続部４１を有した配線パターン３３と、配線基板本体３１の上面３１Ａに設けられ、平面視した状態において、半導体素子搭載領域Ａと略等しい大きさとされた開口部４３を有したソルダーレジスト３５と、ソルダーレジスト３５上に設けられ、半導体素子１２と配線基板本体３１との隙間に配設されるアンダーフィル樹脂１３を堰き止めるダム３７とを備えた配線基板１１であって、開口部４３の側面に対応する部分のソルダーレジスト３５の側壁からダム３７の内壁までの距離を異ならせた。 （もっと読む）

【課題】接着シートに擦り傷や汚染が発生せず、半導体素子のアライメントマーク認識を損なうことのない半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物および（ｃ）硬化促進剤を含有し、（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドの含有量が１５〜９０重量部、（ｃ）硬化促進剤の含有量が０．１〜１０重量部からなる組成の半導体用接着シート。 （もっと読む）

【課題】電子部品の外周まで樹脂を確実に充填し、配線基板と電子部品との接続信頼性を向上できる実装構造体とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも第１の面１Ａに電子部品４が実装された配線基板１と、少なくとも電子部品４と配線基板１間に設けられた樹脂３と、配線基板１の電子部品４の実装位置に対応する領域に設けられた貫通孔２と、を備え、電子部品４の実装位置に対応する領域の周辺で、少なくとも電子部品４と重なるように配線基板１に凸部２０を設けた構成を有する。 （もっと読む）

【課題】 圧電部品のパッケージサイズの小型化と、中空部への封止樹脂の侵入の阻止である。
【解決手段】 絶縁材料からなる基板６と、該基板６にフリップチップ実装された第１の圧電素子２と、該第１の圧電素子２よりも鉛直方向に上あるいは下に実装された第２の圧電素子３と、前記第１の圧電素子２及び第２の圧電素子３を封止してパッケージ化する封止樹脂１と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半田バンプの位置決めが容易であり、ボイドが無く信頼性の高いアンダーフィルを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハの表面上に塗付するアンダーフィル剤を２層構成とし、半田バンプ側面部を囲む第１アンダーフィル剤に高濃度の充填剤を配合し、Ｂ−ステージ化し、半田バンプの高さの０．５〜１．０倍の厚さに形成し、その上に、フラックス成分を含む第２アンダーフィル剤を塗付し、Ｂ−ステージ化して、第１アンダーフィル剤の層との合計の厚みが、半田バンプの高さの１．０〜１．３倍となるる層を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法とシステムに付随する欠点や問題の少なくとも一部を実質的に除去または低減する、薄型半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の表面を有する基板を含む半導体装置を提供する。チップをその基板に結合する。チップは、基板の第１の面と向き合う第２の面を有する。チップは基板と離れていて、ギャップを形成している。基板の少なくとも一部ははんだバンプでチップと結合している。はんだバンプは変形可能な材料を含み、チップと基板との間のギャップが大きくなると、はんだバンプは変形して伸張状態になる。アンダーフィル材を基板とチップの間に入れる。アンダーフィル材は、チップと基板との間のギャップを実質的に満たして、伸張状態ではんだバンプを囲む。基板の第１の面とチップの第２の面との間に、非導電性の突起部を含むバリケードを配置する。バリケードは圧縮状態のはんだバンプを閉じこめる。 （もっと読む）

【課題】従来の金属ナノペースト材料を用いた接合方法及び接合部構造では、加熱によ り接合部に発生したボイドによりポーラス状の接合部構造となるため、接合強度低下及 び熱ストレス等による接合部破壊に伴う信頼性低下が生じやすい。
【解決手段】回路形成体の電極上に金属ナノペースト材料により形成した接合材料積層 体を配置し、電子部品或いは回路形成体の電極間に予め接合強度補強用の樹脂を配置し て、一括して加熱処理することで、接合材料積層体内部に発生したボイド部へ樹脂を浸 透させるとともに電子部品全面に対しても樹脂を溶融・硬化して構成することで接合強 度の向上を図ることができる。 （もっと読む）