フリップチップ（２１０）をプリント配線板（２３０）に装着する方法を提供する。バンプが形成された光電子、又は電気機械フリップチップ（２１０）を提供する。フリップチップ（２１０）の第一の部分（２５０）にアンダーフィル材（２４０）を塗布し、フリップチップ（２１０）の第二の部分（２６０）はアンダーフィル材（２４０）を有さない。このフリップチップ（２１０）をプリント配線板（２３０）上に配置して、同フリップチップ（２１０）のバンプ形成部分を加熱することによってフリップチップ（２１０）をプリント配線板（２３０）に電気接続する。フリップチップ（２１０）がプリント配線板（２３０）に電気接続される際に、フリップチップ（２１０）の第二の部分（２６０）は、アンダーフィル材（２４０）を有さない状態に維持される。
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【課題】 半導体チップが配線基板に電気的接続された半導体装置であって、分解が容易でリペアやリサイクルに有利で、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップ上に形成された電極および配線基板上に形成された電極を真空または電極と反応しないガスを封止した枠構造を用いて封止することによって、封止樹脂を用いることなく、これらの電極が酸素や水分からの攻撃により劣化することを防止し、さらに、半導体チップ上に形成された電極と配線基板上に形成された電極とを接触により電気的接続を達成することによって、分離可能性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の組み立てにおいてワイヤボンディングの接続信頼性の向上を図る。
【解決手段】 パッケージ基板５の主面５ａにソルダレジスト膜５ｈの表面より凹んだ溝部５ｄが形成され、この溝部５ｄが半導体チップ１の内側から外側にまたがるように半導体チップ１を配置し、その後、半導体チップ１を押圧してフリップチップ接続することにより、半導体チップ１の下部からはみ出ようとするＮＣＰ７を溝部５ｄに流れ込ませてＮＣＰ７のはみ出し量を低減することができ、その結果、ＮＣＰ７はチップ搭載領域の外側に配置されたワイヤ接続用端子まで到達しないため、ワイヤ接続用端子にＮＣＰ７が付着することを防止でき、半導体装置におけるワイヤボンディングの接続信頼性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】封止部材およびプラスチック基板間の密着力が強い半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の配線が設けられた多層構造のプラスチック基板１と、はんだ材を用いて前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップ２と、該半導体チップを前記プラスチック基板に密着させる封止樹脂からなる封止部材８とを含んでなる半導体装置であって、前記プラスチック基板中に金属プレーン層９が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 接続相手の回路基板において制約の少ない配線形成を可能とし、高集積化、高信頼性化が可能な半導体装置およびこの半導体装置とこれと接続される回路基板からなる接続構造を提供する。
【解決手段】 半導体装置は半導体チップ（１）と、この半導体チップを支持し、前記半導体チップの接続電極が下面側に形成されると共に、階段状の突出部分を有する基板（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ）とを備え、前記基板の前記階段状の突出部分は前記基板の外周に向かうにしたがって段階的に突出量が減少することを特徴とする。接続構造はこのような半導体装置と、その突出部分を収納する階段状に形成された凹部であって、その表面に前記突出部分に形成された接続電極と接続される配線パッドを有する配線基板とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光回路半導体チップをフレキシブル基板にフリップチップ実装することで光ピックアップの薄型化および小型化を実現する。
【解決手段】開口部を有するフレキシブル基板１０上に前光用半導体チップ１２をフリップチップ実装し、フレキシブル基板１０の周囲部の一部を折り返して前記前光用半導体チップ１２の受光面と反対の面に配置し、前記フレキシブル基板１０の折り返し部分に前記前光用半導体チップ１２と電気的に接続する回路部品を実装する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と回路基板との接続を補強する補強用電極ランドの配置、及び形状変更を行って、接続強度を向上させる。
【解決手段】通常の電気的接続用の電極ランド４と同サイズの電極ランドを集合させることにより、接続を補強する補強用電極ランド１４を形成する。補強用電極ランド１４を設けることで、回路基板への接続強度は２０〜２５％向上する。このとき補強用電極ランド１４の配置は、電気的接続用の電極ランド４を配列した最外周列のライン上より内側の位置であり、補強用電極ランド１４を形成する電極ランドの各１点が接触した配置、形状が望ましく、電極ランド４の最外周列のライン上より内側位置に配置することによって、接続強度は３０％以上向上する。さらに、補強用電極ランド１４のはんだペーストはドーナツ型での溶融状態となるため、外的負荷を中央内部の中空部１４’で吸収し接続を補強できる。 （もっと読む）

【課題】負荷のかかる部分の下にＭＯＳトランジスタを置いた場合にＭＯＳトランジスタの特性、特に電気特性が変動してしまうことを逆に利用することで半導体装置の電気的な特性を制御する方法やその組立方法について提供する。
【解決手段】半導体チップ(1)基板内に金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ(2)を含む半導体装置であって、電流能力及びしきい値電圧が所定値と異なるＭＯＳトランジスタ(2)の上部に、バンプ(6a)を形成し、前記バンプ(6a)を基板に固定する。これにより、従来は電気特性異常であった半導体装置の電気特性改善が可能となる。また、半導体特性の向上や能力ＵＰさせる方法や組立方法の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップのバンプ面に剥離性粘着剤を塗布加工したことを特徴とする粘着剤付きＩＣチップの効果により、従来のＩＣチップを配線基盤に実装する作業工程に比較しロス率の低下の改善を実現する。
【解決手段】 ＩＣチップの端子（バンプ）面に剥離性粘着剤を塗布加工したことを特徴とする粘着剤付きＩＣチップ及び粘着剤付きＩＣチップの実装方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 チップ間を樹脂封止することができる補強バンプ構造を備え、信頼性の高い半導体チップを提供する。
【解決手段】 子チップ１０１および親チップにおいては、子バンプ１０２が設けられた領域と子チップ１０１の周縁部との間に封止樹脂１０４の流路を設けることにより、封止樹脂の流入速度をほぼ均一にすることができる。このため、封止樹脂１０４内におけるボイドの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子上、もしくは、半導体装置下面に熱可塑性樹脂層を形成する際、熱可塑性樹脂層の量と厚みを制御することができる。
【解決手段】 パッケージ回路基板７と、パッケージ回路基板７上に搭載された半導体素子８と、パッケージ回路基板７の配線と半導体素子８とを電気的に接続した接続手段と、パッケージ回路基板７上の半導体素子８の外囲を封止した樹脂１０と、パッケージ回路基板７の底面に設けられた突起電極１１と、パッケージ回路基板７の底面外周部に設けられた突起部１２ａと、突起電極１１間および突起電極１１と突起部１２ａとの間に設けられたフラックスを含有する熱可塑性樹脂１３とを備えた。これにより、熱可塑性樹脂１３の塗布量と厚みを制御することが容易である。また、熱可塑性樹脂１３によるフィレットの形成を抑え、隣接する電子部品を横転させる可能性を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板と電子部品とに挟まれた空間に絶縁接着剤を抽入し、基板と電子部品との固定を強化する電子部品固定構造および電子部品製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１とＢＧＡ２とに挟まれた空間３に接着剤４が充填され、基板１とＢＧＡ２とを電気的に接続するバンプ電極３Ｂ、ハンダボール３Ａの固定状態を強化する電子部品固定構造において、空間３に面する基板１または空間３に面するＢＧＡ２０に接着剤４を抽入する貫通孔１Ａ，２Ａを設ける。 （もっと読む）

本発明は電子モジュールを製造する方法に関し、電子モジュールは導体パターン層（１４）に電気的に接続される構成要素（６）を含む。この方法では、導体層（４）内に接点開口（１７）を作製し、接触開口どうしの位置関係は、構成要素（６）の接触領域（７）どうしの位置関係に対応する。この後、構成要素（６）の接触領域（７）が接点開口（１７）の位置に来るように、構成要素（６）と導体層（４）とを互いに位置合わせして、構成要素（６）を固定する。この後、構成要素（６）を導体層（４）に接続する導体材料を、少なくとも接点開口（１７）内および構成要素（６）の接触領域（７）に作製する。接点の作製後に、導体層（４）をパターン化して導体パターン層（１４）を形成する。
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光感知素子用電子パッケージが提供される。パッケージは、所定の波長周囲内の光に対して実質的に透明な物質の基板を含むように形成される。また、パッケージは、その前面側上に定義された光感知領域を有する1つ以上の光感知台を含むように形成される。該光感知台は、光感知領域の周囲に配置された複数の配線接合によって前記基板に実装され、それによって前記光感知台の前記前面側は、前記基板の前記前面の表面から間隙を置いて離隔される。密封構造が光感知台と基板との間で実質的に密封された方式で内部の空洞を連続的に捕獲するように、密封構造が形成されてその周囲の間隙の一部を満たすように配線接合の周囲から延長される。この内部の空洞は、光感知台の光感知領域と通じる。 （もっと読む）

実装済基板（４０）は、基板電極（２２）が形成された配線基板（２０）と、バンプ（１３）が形成された電子部品（１０）と、配線基板（２０）と電子部品（１０）とを接着する非導電性樹脂（３０）とを備える。バンプ（１３）の先端部（１３１）と基板電極（２２）との間の領域は、先端部（１３１）と基板電極（２２）とが接触している複数の接触領域（５１）と、複数の接触領域（５１）の周囲において非導電性樹脂（３０）が介在する樹脂介在領域（５２）とを有する。複数の接触領域（５１）はバンプ（１３）の先端部（１３１）に形成された複数の突起が押圧により基板電極（２２）に接して潰れた領域であり、これにより、バンプ（１３）と基板電極（２２）との電気的接続の信頼性が高められる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 アンテナアレイ(100)は、フリップチップ送信／受信（Ｔ／Ｒ）モジュール(1)をアンテナ回路基板(2)に直接取り付けることによって組み立てられる。フィレットボンド(6)は、フリップチップＴ／Ｒモジュール(1)の周辺の少なくとも一部の周囲において回路基板(2)およびフリップチップＴ／Ｒモジュール(1)に付けられる。 （もっと読む）

【課題】基体に対する電力増幅回路素子の接合強度を向上させることができるとともに、常に安定して動作させることが可能な電子装置を提供する。
【解決手段】基体１ａの上面に枠体１ｂを取着させて枠体１ｂの内側にキャビティ４を形成するとともに、該キャビティ４内に、基体上面に設けられた接続パッド７に導電性接着剤９を介して電気的に接続される接続電極５を下面に有する電力増幅回路素子２を収容し、更に前記電力増幅回路素子２の直下に位置する基体１ａ上面に凹部８を設けた電子装置１０であって、前記枠体１ｂの上面に、電力増幅回路素子２の上面に当接される金属製の放熱板３を接合する。 （もっと読む）

【課題】 サイズの大きな半導体チップを実装する際に確実に超音波熱圧着を行う。
【解決手段】 半導体チップ１と、半導体チップ１と対向配置され、接続用導体４を介して半導体チップ１と電気的に接続された回路基板５と、半導体チップ１及び回路基板５の向かい合う対向面にそれぞれ形成され、接続用導体４が接合されたパッド電極２及び端子電極６と、対向面の間の隙間を埋め込むように形成された非導電性樹脂７と、半導体チップ１又は回路基板５の対向面に形成された所定形状の導電性ダミーパターン１０とを備える。対向面の間の温度分布を均一にすることができ、非導電性樹脂７の粘度を温度を均一化して超音波が減衰することを抑止できる。 （もっと読む）

【課題】 低コストで信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体装置の実装構造を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体素子１の電極形成面を封止した封止樹脂層を貫通して電極と導通して形成された導電部を有する半導体装置１’を製造する半導体装置の製造方法において、半導体素子１の電極２上に金属バンプ３を形成し、非接着性表面を有し封止用の樹脂５が塗布されたフラットニングステージ４に対して半導体素子１の金属バンプ形成面側を押圧することにより金属バンプ３の端部を平坦にするとともに樹脂５を固化させて封止樹脂層５’を形成して半導体装置１’を得る。これにより封止樹脂層５’を貫通する導電部３’を金属バンプによって充分な厚さで形成することができ、信頼性に優れた半導体装置１’を低コストで製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 この発明に係る半導体装置及びその製造方法は、半導体チップの基板側に熱可塑性樹脂を塗布して仮硬化状態として生産性の向上を図るとともに、半導体チップと基板との接着強度を確保することを目的とする。
【解決手段】 この発明に係る半導体装置及びその製造方法は、半導体チップの基板側に熱可塑性樹脂を塗布して仮硬化状態とし、その半導体チップを基板に接合するリフロー時又はフェイスダウンボンデイング時の加熱により、熱可塑性樹脂の仮硬化状態を溶融して半導体チップと基板との間に充填するようにしたものである。 （もっと読む）