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Fターム[5F044RR18]の内容

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Fターム[5F044RR18]に分類される特許

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【課題】アンダーフィル剤の漏れ出しによる電気回路モジュールの電気的な接続不良を防止することができ、電気回路モジュールの製造工程の歩留まりを向上することができる電気回路モジュール集合体を提供する。
【解決手段】少なくとも1面にアンダーフィル剤7が塗布され、複数の電気回路モジュール1が形成された電気回路モジュール集合体2において、隣り合う電気回路モジュール1の間に凹部8を有し、凹部8のアンダーフィル剤が塗布された側の切込み面と前記アンダーフィル剤が塗布された面との角度が90度以下であることを特徴とする電気回路モジュール集合体。 (もっと読む)


【課題】硬化性樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を用いて支持体と被着体との接続を行う電子部品の製造方法において、樹脂層の硬化物中に空隙が発生し難い電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体10の第一の端子と、被着体20の第二の端子とを、半田又は錫を用いて接合して該支持体と該被着体とを電気的に接続する電子部品の製造方法であって、接合される該第一の端子と該第二の端子との間に、硬化性樹脂組成物と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ前記硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、加圧流体7により加圧しながら前記硬化性樹脂組成物を硬化させる加圧硬化工程とを順に行う。 (もっと読む)


電子パッケージシステムにおける改良された接着のための表面処理を提供する。本方法は、結合面上にパッシベーション層を堆積するステップと、パッシベーション層の少なくとも一部を粗面化するステップとを含む。パッシベーション層上に被覆材料を堆積する。結合面は、半導体またはパッケージ基板の一部であり得る。粗面化工程は、化学的または機械的工程によって実施することができる。別の実施形態では、電子パッケージシステムは、半導体またはパッケージ基板の結合面を備える。結合面上にはパッシベーション層が堆積され、接着力の向上のために粗面化されている。パッシベーション層の粗面化された部分の上に被覆材料が堆積されている。
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【課題】回路基板上の複数の回路によって生じる凹凸を良好に埋め込むことができる接着フィルムを提供すること、および、このような接着フィルムを用いた半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明の接着フィルムは、半導体チップまた半導体パッケージを、回路が形成された回路基板に実装する際に用いられ、フラックス機能を有する接着フィルムであって、接着フィルムを前記回路基板の前記回路が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をT[℃]、接着フィルムに掛ける圧力をP[Pa]、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度をη[Pa・s]としたとき、1.2×10≦(T×P)/η≦1.5×10の関係を満足し、前記貼り付け温度Tは、60〜150℃、前記圧力Pは、0.2〜1.0MPa、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度ηは、0.1〜10000Pa・sであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アンテナアレイにおいて、送信/受信モジュールをアンテナ回路基板に容易に接続でき、製造時間とコストを削減できる手段を提供する。
【解決手段】アンテナアレイは、フリップチップ送信/受信(T/R)モジュール1をアンテナ回路基板2に直接取り付けることによって組み立てられる。フィレットボンド6は、フリップチップT/Rモジュール1の周辺の少なくとも一部の周囲において回路基板2およびフリップチップT/Rモジュール1に付けられる。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハのダイシング工程から半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用することができるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供すること。
【解決手段】 基材上に粘着剤層を有するダイシングテープと、該粘着剤層上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、フリップチップ型半導体裏面用フィルムが、黒色顔料を含有しているダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、接続端子間において良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることが可能で、且つ生産性に優れるダイシングシート機能付き導電接続材料を提供すること。また、本発明の別の目的は、上記導電接続材料を用いて電気的に接続されてなる、半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシングシート機能付き導電接続材料は、ダイシングシートと、導電接続材料とが積層されてなるダイシングシート機能付き導電接続材料であって、前記導電接続材料が、樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有することを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載のダイシングシート機能付き導電接続材料の導電接続材料を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能なアンダーフィル形成用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】少なくとも、(A)熱可塑性樹脂と、(B)熱硬化性樹脂と、(C)潜在性硬化剤と、(D)無機フィラーと、を含有し、上記(A)熱可塑性樹脂がビスフェノールA、F共重合型フェノキシ樹脂を含む、アンダーフィル形成用接着剤組成物。 (もっと読む)


【課題】強度を維持し且つバンプ同士の間の狭ピッチ化に耐え得るバンプ及びアンダーバリアメタル構造を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ1と、半導体チップ1の上に形成された電極パッド2と、電極パッド2の上に形成されたアンダーバリアメタル10と、アンダーバリアメタル10の上に形成されたはんだバンプ6と、アンダーバリアメタル10及びはんだバンプ6の周囲を覆うように形成されたアンダーフィル材18とを有している。はんだバンプ6は、アンダーバリアメタル10との接合界面が該アンダーバリアメタル10の上面であり、アンダーフィル材18は、バンプ6の側面とアンダーバリアメタル10の端面との接合部分における角度が直角又は鈍角である。 (もっと読む)


【課題】半導体チップとその他の電子部品との間隔が小さくなりこれらが近接する場合であっても半導体チップを封止するアンダーフィルのフィレットの外縁部が電子部品に接触することを防止し、高密度なフリップチップ実装が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ2とインターポーザ7との間をアンダーフィル9で封止した半導体装置であって、半導体チップ2の端面部3の少なくとも一部に、水平方向よりもインターポーザ7側に向く面を有する水平方向の幅W1が10〜100μmの切込部4を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ及び該半導体チップを備えた半導体装置において、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップと、実装基板8とを備えている。実装基板8と半導体チップとの間には、封止樹脂7が充填されている。半導体チップは、基板1と、電極パッド2と、第1の開口部3oを有する第1の保護膜3と、アンダーバリアメタル膜5と、バンプ6とを備えている。第1の保護膜3は、基板1の上面に形成された基板部3Aと、電極パッド2の側面及び電極パッド2の上面における周縁部に形成されたパッド部3Bとを有している。アンダーバリアメタル膜5における第1の保護膜3と接触する側部5p、及びバンプ6におけるアンダーバリアメタル膜5と接触する側部6pが、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置している。 (もっと読む)


【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット1は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー2と、このセンサーに接合された能動素子モジュール5とを備えたものであり、センサー2は、可動機能領域2A内に位置するピエゾ抵抗素子と、これに電気的に接続され可動機能領域2Aの外側に位置する複数のバンプ6を有するセンサー本体と、センサー本体に接合された保護用蓋部材と、を有し、能動素子モジュール5は、複数のコンタクト電極54を有し、このコンタクト電極54がバンプ6に接続するようにセンサー2と対向し、センサーとの間隙9には、可動機能領域2Aを囲む堰部材7が位置し、この堰部材7の外側の間隙9には弾性率が1〜10GPaの範囲にある封止樹脂8が存在する。 (もっと読む)


【課題】電子素子の実装領域と接続パッドの間のアンダーフィル漏れを防止するダム部材を含むフリップチップパッケージとを提供する。
【解決手段】電子素子16と、上記電子素子が実装される実装領域の内側には導電性パッド22が形成され、上記実装領域の外側には接続パッド14が形成される基板12と、上記基板上に形成され、一部領域が除去されて形成されたトレンチTを具備する樹脂層Rと、上記トレンチ上に提供され、上記電子素子の実装領域と上記接続パッドの間のアンダーフィル漏れを防止するダム部材18aとを含むフリップチップパッケージ1及びその製造方法。実施例によると、加工された樹脂層上にダム部材を形成してアンダーフィルの流出を防止することによって、パッケージの不良率を低め接続信頼度を高めることができるフリップチップパッケージ及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】
半導体装置の製造時又は製造後において、半導体装置に含まれるはんだの溶融時における移動の防止を図った半導体装置の製造方法及びその方法により製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体チップが実装される基板の電極にはんだ部を形成する工程と、はんだ部の頭頂部分が露出するような厚さで基板上に樹脂層を塗布する工程と、樹脂層を硬化させる工程と、半導体チップの実装領域にわたって熱硬化性のアンダーフィル材を供給する工程と、半導体チップをはんだ部に向かい合わせて搭載する工程と、アンダーフィル材及びはんだ部を加熱する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
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【課題】半導体チップを基板にフリップチップ接続する際に、接着強度を良好にしつつ、アンダーフィル樹脂のフィレット形状が安定的に均等になるようにする。
【解決手段】半導体装置100は、基板102上にフリップチップ接続された半導体チップ130と、基板102と半導体チップ130との間に形成され、フィレット120aを含むアンダーフィル樹脂120とを含む。アンダーフィル樹脂120は、半導体チップ130と平面視で重なる領域の少なくとも一部において第1の樹脂層122と第2の樹脂層124とが積層された構成を有し、第1の樹脂層122と第2の樹脂層124の少なくとも一方は、半導体チップ130と平面視で重なる領域とフィレット120aとにわたって形成されている。 (もっと読む)


【課題】はんだボールと半導体パッケージおよび回路配線基板側との接合部に応力集中が生じないようにする。
【解決手段】同一平面上にはんだボール15を配列した半導体パッケージを回路配線基板17に載置してリフロー加熱により両者をはんだ接合し、半導体パッケージと回路配線基板17との間に熱膨張性を有するアンダーフィル材19を充填する。アンダーフィル材19を硬化するときの加熱温度をはんだボール15の溶融温度よりも高くすることで、はんだボール15を溶融しながらアンダーフィル材19を膨張させる。これにより、半導体パッケージが持ち上げられ、はんだボール15は、引き延ばされて円柱状の形状に変形される。この変形により、はんだボール15との接合部に応力が集中することのない形状になり、耐クラック性が向上し、接合部の信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 製造コストの低減等を図る。
【解決手段】 スルーホール9、9、・・・の開口縁に形成されたパッド部10b、10b、・・・を有する多層基板3と、ベース基板6と該ベース基板上に設けられ半田8、8、・・・が接合された金属パッド7、7、・・・とを有する回路基板5とを設け、スルーホールと金属パッドを位置合わせした状態で加熱光線100をスルーホールを通して半田に照射し該半田を溶融してスルーホールの開口縁に形成されたパッド部と回路基板の金属パッドとを接合するようにした。 (もっと読む)


【課題】実装後の回路基板と固体撮像素子との熱収縮差に起因する固体撮像素子の反りを容易に低減することができること。
【解決手段】本発明の一実施の形態において、撮像ユニット1は、固体撮像素子2を実装するプリント基板3と、このプリント基板3と同じ熱膨張係数を有するダミー基板4とを備える。ダミー基板4は、プリント基板3に実装した状態の固体撮像素子2をこのプリント基板3と協同して挟むように固体撮像素子2に固定される。 (もっと読む)


【課題】樹脂パッケージを用いることなく、集積回路素子とリードの接着強度を保つことができ、生産性のよい圧電デバイスと、この圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】脚部とこの脚部の両端に搭載部と外部接続部とが設けられたリードであって、この前記リードに設けられた前記搭載部の一方の主面に集積回路素子が搭載される集積回路素子搭載工程と、前記リードに設けられた前記搭載部の他方の主面に部品素子が搭載される部品素子搭載工程と、前記リードの一方の主面に搭載された前記集積回路素子と、前記リードに搭載された前記部品素子との間に樹脂を流し込み、硬化させる樹脂充填工程と、からなることを特徴とする圧電デバイスの製造方法、及びこの圧電デバイスの製造方法で製造される圧電デバイス。 (もっと読む)


【課題】製造コストの高騰を招くことがなく、ICチップの破損を防止することができるICチップの接続構造、ICインレット及びICタグを提供する。
【解決手段】
回路基材11上に形成された回路電極125にフリップチップ方式により接合材40を用いて実装されたICチップ13の接続構造であって、接合材40の硬化体からなり、ICチップ13の周縁に形成されるフィレット41を備え、フィレット41は、ICチップ13の側面133を被覆し、側面133に沿った高さ寸法がICチップ13の高さ寸法に略等しくされた状態が、ICチップ13の実装面132に沿った方向に所定寸法延長され、ICチップ13を補強する補強部42を備えている。 (もっと読む)


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