【課題】半導体素子の薄型化に対して半導体素子を損傷しない高品質な電子部品とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子１０４を枠３０６を介して加圧、加熱を行い、半導体素子１０４上のバンプ１０５と回路基板１０１上の基板電極１０２とを熱硬化性樹脂フィルム３０１により接合すると同時に、金属枠３０６を同一の熱硬化性樹脂フィルム３０１により接着、固化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置(半導体チップ)の突起電極上の導電性接着剤と回路基板の電極を安定して接合し、信頼性の高い実装体を提供する。
【解決手段】第１の基板１と、第２の基板６とを接続してなる実装体であって、前記第１または第２の基板の一方に設けられた突起電極３が、前記第１または第２の基板の他の一方に設けられた基板電極５と、導電性接着剤４を介して接続されるとともに、この接続部の周りを封止樹脂７で覆われた実装体であって、前記導電性接着剤中の熱可塑性樹脂は、その接着強度の低下する温度が、前記封止樹脂の反応ピーク温度を超えるように構成された樹脂である。 （もっと読む）

【課題】気密性に優れた弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波装置１００は、実装基板１０２と、実装基板１０２の上面に対向配置された弾性表面波素子１５０と、実装基板１０２の上面に設けられているパッド１１８と、パッド１１８を被覆する半田層１２２と、実装基板１０２の上面に設けられ、パッド１１８を囲むダム材１３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】端子高さが低い電子部品を、異方性導電フィルムを介して配線基板に異方性導電接続する場合に、異方性導電フィルムの硬化物の応力緩和力を十分なものになるようにし、しかも異方性導電フィルムの硬化物と電子部品や配線基板との間の界面で「浮き」や「剥離」が生じないようにする。
【解決手段】第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子とが異方性導電フィルムを介して異方性導電接続されてなる接続構造体は、第１の電子部品として、異方性導電フィルム側の表面に配置された少なくとも一対の端子を有し、該一対の端子の間に第１の絶縁層を有しているものを使用し、第２の電子部品として、第１の電子部品の第１の絶縁層に対向する表面には凹部が形成されており、該凹部の底面には第２の絶縁層が形成されているものを使用する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂のフィレット幅が非対称となった場合の半導体装置の反りを抑制する。
【解決手段】チップ１の中心位置１２は、配線基板２の中心位置１３に対して、チップ１の中心位置１２に対するアンダーフィル樹脂４の中心位置１１のずれ方向（矢印Ａ方向）とは逆方向（矢印Ｂ方向）にずれている。封止樹脂６の中心位置１４は、配線基板２の中心位置１３に対して、チップ１の中心位置１２に対するアンダーフィル樹脂４の中心位置１１のずれ方向（矢印Ａ方向）と同方向（矢印Ａ方向）にずれている。 （もっと読む）

【課題】電子部品を確実に基板に接合できるようにする。
【解決手段】基板２ａと、基板２ａの表面に設けられた電極端子２ｂ、２ｅと、基板２ａの表面に対向した電子部品本体３ａと、電子部品本体３ａの基板に対向した面に凸設され、電極端子２ｂ、２ｅに接触したバンプ３ｂ、３ｃと、電極端子２ｂ、２ｅ及びバンプ３ｂ、３ｃを囲繞し、且つ基板２ａの表面と電子部品本体３ａとの間に介在した封止材Ｒと、を備え、基板２ａ、前記電子部品本体３ａ及び前記封止材Ｒによって包囲された空間Ｓ１の圧力が周辺の圧力よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】電子部品を可撓性基板に実装した場合においても、バンプ電極と可撓性基板との接合部分への封止樹脂の充填性を改善することにより、電子部品と可撓性基板との密着性を向上させることができ、その結果、信頼性を向上させることができる電子部品と可撓性基板との実装構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品と可撓性基板との実装構造体１は、コアとなる内部樹脂２４の表面の複数箇所が導電膜１５で覆われたバンプ電極２３を絶縁膜２２上に備えた電子部品３と、金属端子１２を備えたフレキシブル基板２とを電気的に接続する実装構造体１であり、バンプ電極２３の内部樹脂２４の底面２４ａと絶縁膜２２との間に隙間２７を形成し、この隙間２７に封止樹脂４ａを充填した。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉを含有するはんだ接続部の放熱性を向上させ、Ｂｉが接続部の外部へ拡散し接続部にカーケンダルボイドが形成されることを防止して光素子等の機能素子の特性を向上させる。
【解決手段】機能素子１が搭載される基板２の主面側の、機能素子１が搭載される領域の少なくとも一部に第１の導体層５を形成し、第１の導体層５の少なくとも一部に第２の導体層６を形成する導体層形成工程と、第２の導体層６の少なくとも一部に凹凸形状状の第３の導体層８を形成し、第３の導体層８の少なくとも一部にはんだ９を形成し、第２の基板１７を挟持し、はんだ９を溶融させて機能素子１を接続して搭載し、はんだ９が第３の凹凸状の導体層８により堰き止められて第１の導体層５に接しない接続工程を備えた機能素子搭載方法とする。 （もっと読む）

【課題】電極や配線等への水分の浸入等を遮断し、電極や配線等が腐食することのない信頼性の高い接続構造体を提供する。
【解決手段】接着剤を介してチップ部品が圧接工法により基板に実装されてなる接続構造体である。この接続構造体の表面が絶縁性の無機コート層により被覆されている。無機コート層はスパッタ法で形成されたスパッタ膜である。接着フィルムは異方性導電膜である。 （もっと読む）

【課題】表面実装デバイスをプリント基板に強固に実装することができると共に、プリント基板を損傷させることなく表面実装デバイスのリペア作業を行うことができる、表面実装デバイスの実装構造体を提供する。
【解決手段】表面実装デバイスの実装構造体は、プリント基板１と、プリント基板１上の実装領域に実装用半田ボール２ａを介して実装された表面実装デバイスとしてのＢＧＡパッケージ２と、プリント基板１上の前記実装領域の周囲に配置された補強部材用ランド５と、補強部材用ランド５上に半田付けされた補強部材４とを備え、補強部材４とＢＧＡパッケージ２とが接着剤６を介して固着されている。 （もっと読む）

【課題】接着層付きの半導体チップを製造するために使用する接着層転写シートを、フォトリソグラフィ法を使用することがなく、しかもロールツーロールで作成できるようにした接着層付きの半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】ペリフェラル配置のバンプ３３に囲まれた領域に接着層１２ｂが形成された半導体チップ１００の製造方法は、ベースフィルム１０ｂとカバーフィルムとの間に接着層１２ｂが挟持された積層体に対しベースフィルム１０ｂ側からハーフカット処理を行い、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれていない領域に対応する接着層１２ｂとベースフィルム１０ｂとをカバーフィルム上から除去し、積層体のベースフィルム１０ｂ側表面にキャリアフィルムを貼り合わせて得た接着層転写シートを使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に半導体素子が搭載された電子部品及びその製造方法に関し、回路基板と半導体素子との間の接点接続を維持しつつ回路基板から半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和することができる電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面側に接続電極３２が形成された回路基板３０と、回路基板３０上に形成され、弾力性を有する突起状端子２２を介して接続電極３２に電気的に接続された半導体素子１０と、回路基板３０と半導体素子１０との間に充填され、常温で固体であり加熱により液状又はゲル状に相変化する絶縁性の充填材２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】反り矯正冶具を使用することなく実装時の反りを小さくすることで、実装面積の省スペース化を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板３のパッドにはんだバンプ２を介して半導体チップ１を接続した半導体装置であり、前記配線基板の半導体チップが搭載されている側の面に、半導体チップの搭載箇所以外の部分に、反り矯正用樹脂５を形成する。前記反り矯正用樹脂を、前記半導体チップを中心とし、前記半導体チップ端部から前記配線基板端部に向けて少なくとも一本以上の前記反り矯正用樹脂のパターンが放射状に形成する。 （もっと読む）

【課題】 耐折性や曲げ応力特性の悪化を招くことなく熱放散性を向上せしめることを可能とした半導体装置用テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基材１と、前記絶縁性フィルム基材１の片面に設けられた配線パターン２と、前記絶縁性フィルム基材１における前記片面とは反対側の面に設けられた、当該半導体装置用テープキャリアにおける熱放散性を高めるための放熱板４とを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記放熱板４が、当該半導体装置用テープキャリアにおける曲げ応力特性を調節するためのパターン間スペース３のようなスリットおよび／または開口を設けてなるものであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの搭載された薄型の配線基板を有する半導体装置において、信頼性の優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板がスティフナを具備しており、かつ、前記配線基板の上の半導体チップとスティフナの間の領域に弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の保護樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。前記保護樹脂として、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂から選択された材料を用いる。また、配線基板の厚さを０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下にする。 （もっと読む）

【課題】熱収縮量の違いにより、バンプがインナーリードによって引っ張られるのを抑制し、バンプが傾くのを防止することができる半導体パッケージの提供。
【解決手段】ベースフィルム１２と半導体チップ２６を構成するシリコン材料とは熱膨張係数が異なるため、冷却時に収縮する量が相違する。ベースフィルムが半導体チップ２６より多く収縮することで、ベースフィルム１２によってインナーリード１８が引っ張られ、インナーリード１８に接続していた金バンプ３２も引っ張られる。これにより、金バンプ３２が傾くことが考えられる。しかし、金バンプ３２とは別個に補強バンプ４０を設けることで、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部が確保されるため、金バンプ３２に作用する引張力が、補強バンプ４０へ分散され、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に半導体チップをフェイスダウン実装した構成において、半導体チップの裏面上に板状材を水平に搭載可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１-1は、支持基板３上に突起電極７を介して半導体チップ５がフェイスダウン実装され、これらの支持基板３−半導体チップ５間に樹脂９が充填された構成である。特に、半導体チップ５は、支持基板３側に対向して配置された実装面５ａと反対側の裏面５ｂに、段差部Ａを有している。この段差部Ａは、半導体チップ５の裏面５ｂにおける周端縁を切り欠いて設けられている。 （もっと読む）

【課題】被実装体上に半導体チップが積層された半導体装置において、上側の半導体チップ上へのアンダーフィル材の乗り上げやチップ間でのボイドの発生を防止する。
【解決手段】第１の主面上に配線パターン７が形成された第１の半導体チップと、第１の半導体チップ上でかつ配線パターン７が形成された面上に搭載された第２の半導体チップと、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に充填され、第２の半導体チップの外周部にフィレットを形成するアンダーフィル材とを備える半導体装置の構成として、第１の半導体チップ上でかつ第２の半導体チップが搭載されるチップ搭載領域１５を区画する４つの辺部のうち、フィレットが最も長く形成される辺部１５Ａの外側に、アンダーフィル材をチップ間に導く導入部１８を形成した。 （もっと読む）

【課題】感知部を有する多角形板状をなすセンサチップを、アンダーフィル樹脂を介して基板にフリップチップ実装してなるセンサ装置において、センサチップの感知部および突起電極に加わる応力を、極力低減する。
【解決手段】感知部１１を有する多角形の板状をなし一面に突起電極１２を有するセンサチップ１０を、アンダーフィル樹脂３０を介して基板２０に搭載し、突起電極１２と基板２０とを電気的に接合してなるセンサ装置であって、アンダーフィル樹脂３０を、センサチップ１０の一面における突起電極１２以外の部位であって角部以外の部位に設けた。 （もっと読む）

【課題】配線基板との接続信頼性の高い半導体装置、半導体基板と配線基板との接続信頼性の高い半導体モジュール、および半導体基板と配線基板との接続信頼性の高い半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、集積回路１２が形成された半導体基板１０に形成された複数の電極１４と、パッシベーション膜１６上に形成され、第１の方向に沿って配置された樹脂突起１８と、複数の電極上から樹脂突起上に至るように、第１の方向と直交する第２の方向に沿って形成された複数の配線２０を有する半導体装置と、半導体装置に対向して配置されたベース基板に対向する面上に形成され、配線の前記樹脂突起上にオーバーラップする部分に接触する複数のリードと、半導体装置とベース基板の間に配置された接着層を含み、リードは、幅が配線の幅よりも広く、配線との電気的接続部と、樹脂突起との接着部を有する。 （もっと読む）