【課題】基材にベアＩＣチップを実装して、品質の高い電子回路基板を効率良く生産することができる電子回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】インレット用基材２１のうちベアＩＣチップ２３が実装される位置に、第１接着剤４１が、第１のディスペンサー３１により、ベアＩＣチップ２３のバンプ２５に達しない程度の量だけ塗布される。次に、超音波を印加することができるピックアップノズル１５により、半導体ウェハー１６を個別に切り出して形成された個々のベアＩＣチップ２３が、インレット用基材２１に塗布された第１接着剤４１上に各々載置される。その後、ピックアップノズル１５がＩＣチップ２３に対して超音波を印加し、このことにより、ベアＩＣチップ２３のバンプ２５とアンテナ２２とが電気的に接合される。更に、インレット用基材２１およびベアＩＣチップ２３に、第２接着剤４２が、第２のディスペンサー３２により、ベアＩＣチップ２３の上面全域および側面外周全域を覆うように塗布される。 （もっと読む）

【課題】高周波用半導体装置の半導体チップのバンプ間ピッチの微細化に伴い、簡易な方法でバンプ間のショートの発生を防止し、かつ、半導体チップと回路基板とのフリップチップ接続時に、低ストレスで接合信頼性の高い半導体装置の製造方法が要望される。
【解決手段】複数の突起金属電極を有する半導体素子を、回路基板にフェイスダウン実装する半導体装置の製造方法において、少なくとも該突起金属電極の表面部全面を固化した絶縁膜により被覆し、絶縁膜により被覆された該突起金属電極の頭頂部を硬質バイトを用いて研削加工して、該突起金属電極を露出させると共に、平坦かつ平滑にし、半導体素子の突起金属電極と、回路基板上に形成された電極端子を対向配置し、該半導体素子に荷重を印加して該突起金属電極と該回路基板上の電極端子とを接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、特に半導体チップの樹脂封止の際に、半導
体チップの周囲から樹脂が広がり過ぎることを抑制した半導体装置の製造方法を提供する
。
【解決手段】デバイスホール４と、デバイスホール４の両側に配置されたスリット穴２と
を有する基材１を用意し、デバイスホール４に半導体チップ５の能動面が対向するように
基材１に半導体チップ５を実装する。次いで、実装した半導体チップ５の能動面、半導体
チップ５の側面、デバイスホール４内及びデバイスホール４の周囲に位置する基材１を樹
脂３によって封止する。この際、樹脂３の流れが基材１に設けられたスリット穴４で止め
られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、はんだボールバンプ配列に疎密のあるＢＧＡタイプの半導体装置をプリント配線基板に表面実装したあと、補強用の樹脂材を安定して均一に充填でき、補強強度の増大と信頼性の向上を得られる電子機器および電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】電子機器として、複数のはんだボールバンプａが設けられる部位Ａおよび、はんだボールバンプが設けられない部位Ｎを備えた半導体装置Ｈと、半導体装置に設けられるはんだボールバンプに表面実装によりはんだ接合される複数の電極パッドｂを備えたプリント配線基板Ｐと、半導体装置とプリント配線基板との隙間にアンダーフィルされフリップチップボンディングされる半導体装置のはんだボールバンプとプリント配線基板の電極パッドとの周りに充填される樹脂材Ｇと、プリント配線基板に半導体装置のはんだボールバンプが設けられない部位と対向して設けられる複数のダミー電極パッド１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、先アンダーフィル接合方式において、半導体素子のコーナー部に十分な封止樹脂を設け、かつ信頼性の高い不透明な封止樹脂を使用したフリップチップ接合を可能にする。
【解決手段】半導体チップ１１と前記半導体チップを搭載する回路基板上との間に充填した第１の封止樹脂１４の前記半導体チップの少なくとも４隅におけるはみ出し部を第２の封止樹脂１５で覆い、前記第１の封止樹脂の耐湿性及び耐熱性を前記第２の封止樹脂の耐湿性及び耐熱性より優れたものとする。 （もっと読む）

【課題】基板を有さなくても製造工程中において容易にハンドリングすることが可能な半導体装置の構成と、このような構成を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子６０を封止した封止樹脂部７０と、封止樹脂部７０の一方面に形成した配線層と、配線層に積層し配線層の一部を露出する開口部３２を有する第１の絶縁層３０と、開口部３２から露出した部位に取り付けた外部接続端子８０を有し、配線層は第２の絶縁層４２内に形成された複数の配線パターン層１４，１６からなり、各配線パターン層が第２の絶縁層４２の異なる高さ位置に形成され、第２の絶縁層４２にビア穴４４が形成され、一部のビア穴４４に導電体４６が充填され、配線パターン層１４，１６どうしが電気的に接続され、半導体素子６０の電極６２が他のビア穴４４に挿入され、電極６２と配線層の最下位置の配線パターン１４と直接電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】基板を有さなくても製造工程中において容易にハンドリングすることが可能な半導体装置の構成と、このような構成を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子６０を封止して樹脂成形された封止樹脂部７０と、封止樹脂部７０の一方の面を被覆する絶縁層３０と、封止樹脂部７０に封止され、絶縁層３０に積層して形成された配線パターン１４と、絶縁層３０に形成された開口部３２に配設され、配線パターン１４に接続して設けられた外部接続端子８０と、配線パターン１４にフリップチップ接続された半導体素子６０の接続部を保護するアンダーフィル樹脂５０と、を有していることを特徴とする半導体装置１００である。 （もっと読む）

【課題】低コストで基板にＩＣチップなどの電子部品を実装することが可能であり、電子部品の実装時にポリマー型導電インクによって導電部の端子間が電気的に接続され、回路がショートすることを防止する部品実装基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の部品実装基板の製造方法は、基板１の一方の面１ａに、ポリマー型導電インクを塗布して未乾燥の塗膜２を形成する工程Ａと、この塗膜２における電極部２ａの間に熱可塑性樹脂３を付着する工程Ｂと、電極部２ａに電子部品１１の端子１２が対向するとともに、端子１２間に熱可塑性樹脂３が配されるように、基板１の一方の面１ａに電子部品１１を配置する工程Ｃと、未乾燥の塗膜２を加熱、乾燥させて導電部を形成するとともに、熱可塑性樹脂３を溶融させて導電部の一対の電極間および電子部品の端子１２間に、熱可塑性樹脂３を充填する工程Ｄとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに接合されたインナリードの曲げによる応力を低減する手段を提供する。
【解決手段】ベースフィルムの半導体装置形成領域に設定されたチップ搭載領域と、チップ搭載領域に形成された複数のインナリードと、インナリードと端子との間を接続するアウタリードと、アウタリードを覆うソルダレジスト層と、を備えたＣＯＦ用フィルムにおいて、ソルダレジスト層のチップ搭載領域側に、厚さを厚くした厚膜部を形成する。 （もっと読む）

本発明は、基板電極を有する布地基板とコンポーネント電極を有する電極コンポーネントとを含む電子布地に関する。前記コンポーネント電極は、基板電極とコンポーネント電極との間において電流が優先的に流れることを可能にするために、前記基板電極と、結合層を介して電気伝導接触にある。寄生電流の発生を防ぐために結合層がパターン化される必要がないので、基板電極及びコンポーネント電極の間の電気伝導性接触部は、改善された信頼性を有する。
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半導体構造を結合するための改善された装置が、第１の半導体構造の第１の表面及び第２の半導体構造の第１の表面を蟻酸で処理するための装置と、第１の半導体構造の第１の表面を第２の半導体構造の第１の表面と向かい合わせに、かつ接触させて配置するための装置と、第１の半導体構造及び第２の半導体構造を互いに押圧することによって、第１の半導体構造の処理された第１の表面と第２の半導体構造の処理された第１の表面との間に結合界面を形成するための装置とを備える。第１の半導体構造の表面及び第２の半導体構造の表面を蟻酸で処理するための装置は、一部を液体蟻酸で、及び一部を蟻酸蒸気で満たされた密閉タンクを備える。入口バルブを開くことによって、タンクが窒素ガス源に接続されて、窒素ガスがタンクに流れ込むことができるようになる。出口バルブを開くことによって、蟻酸蒸気と窒素ガスとの混合物が、タンクから流れ出ることができるようになる。混合物は、第１の半導体構造の表面及び第２の半導体構造の表面を処理するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】接着材に含有される導電粒子数を増加することなく、チップ電極と電極端子との安定した導通を確保するとともに、各チップ電極の間の絶縁性を向上する。
【解決手段】駆動用ＩＣチップ１０のチップ基板１１の一面のうち、平面形状における各チップ電極１２の間隙部１７よりも、導電粒子１３ｂの流動方向における上流側に、導電粒子１３ｂを各チップ電極１２における各電極端子６、７と対向する面に案内するガイド１９を設け、ガイド１９を、ガイド１９における前記流動方向の下流側の下流縁１９ａが各チップ電極１２における流動方向の上流側の上流縁１２ａから離間して配置する。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い封止が可能で、かつ小型化が可能な電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０上にフリップチップ実装されたデバイスチップ２０と、パターン３２の上面とデバイスチップ２０の下面との間に隙間を有するようにデバイスチップ２０の側面に沿って絶縁性基板１０上に設けられたパターン３２と、パターン３２の上面とデバイスチップ２０の下面との間の隙間に埋め込まれ、かつ絶縁性基板１０の上面とデバイスチップ２０の下面との間に空隙２６が形成されるように、デバイスチップ２０およびパターン３２の側面を覆うＳＯＧ酸化膜３０と、を具備する電子部品である。 （もっと読む）

【課題】半導体と絶縁性基材の接着力を向上させ、半導体と絶縁性基材の剥離に対する機械的強度を向上させたＩＣモジュール製造法、ＩＣタグインレット製造法、及びそのＩＣタグインレット、非接触ＩＣ媒体を提供する。
【解決手段】絶縁性基材１６と複数の導体１５と該導体を保護する樹脂材１４とで構成された回路基板１７の前記複数の導体に、超音波を印加しつつ半導体１１の各バンプ１２を押し付け、該バンプが前記樹脂材を押し退けて前記導体と融着することでＩＣモジュールを製造するＩＣモジュール製造方法について、少なくとも前記各導体同士の隙間に前記半導体と前記絶縁性基材とを接着する接着剤１３を充填し、前記押し付けおよび融着の際に前記接着剤によって前記半導体を前記絶縁性基材に直接的に接着させるようにした。 （もっと読む）

【課題】封止材にボイドを発生させずに半導体チップと配線基板とをフリップチップ接続するボンディング装置およびボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウエハ４０を配置するステージ１８と、フレキシブル配線基板６７を吸着するボンディングツール２２と、押圧体６１、６２、６３と、押圧手段５１、５２、５３とが備えられ、半導体ウエハ４０に封止材を介してフレキシブル配線基板６７をボンディングする装置であって、押圧体が、半導体ウエハ４０のバンプ電極とフレキシブル配線基板６７の接続パッドとを接合する主押圧体６１と、主押圧体６１の押圧の後に半導体ウエハ４０のバンプ電極側の面のバンプ電極以外の部分とフレキシブル配線基板６７の接続パッド側の面の接続パッド以外の部分とを接合する補助押圧体６２、６３とからなるボンディング装置を用いることにより上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】回路面積の増加および接合工程の複雑化を抑制することが可能な接続構造を提供する。
【解決手段】この接続構造は、接続端子１ａを有する基板１と、基板１の接続端子１ａと電気的に接続される接続端子２ｂを有するとともに、基板１と樹脂層３を介して接合されるように構成された基板２とを備え、基板２の基板１に対する接合部分に設けられ、基板２の表面よりも窪むように形成されるとともに、樹脂層３を構成する樹脂が流入される穴部２ｃを含む。 （もっと読む）

【課題】スリット加工することができ、巻重体を重ねて保管しても巻重体同士が固着せず、使用時に均一な厚みの半導体接着組成物の層を有する半導体用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】半導体ウェハのバンプ電極面に形成される半導体用接着フィルムであって、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物および（ｃ）マイクロカプセル型硬化促進剤を含有し、（ｂ）エポキシ化合物を１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドが１０〜９０重量部、（ｃ）マイクロカプセル型硬化促進剤が２５〜５０重量部であり、（ｂ）エポキシ化合物が液状エポキシ化合物と固形エポキシ化合物を含有し、液状エポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し５０重量％以上９５重量％以下であり、さらに剥離性基材αを有する半導体用接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】回路面積の増加および接合工程の複雑化を抑制することが可能な接続構造を提供する。
【解決手段】この接続構造は、接続端子１ａを有する基板１と、基板１の接続端子１ａと電気的に接続される接続端子２ｂを有するとともに、基板１と樹脂層３を介して接合されるように構成されたフレキシブルプリント基板２と、基板１のフレキシブルプリント基板２に対する接合部分、および、フレキシブルプリント基板２の基板１との接合部分の少なくとも一方に設けられるとともに、樹脂層３を構成する樹脂の流動方向を制御する絶縁体（流動方向制御部材）２ｄとを備える。 （もっと読む）

【課題】回路基板への半導体チップの実装と、半導体チップの封止とを、所定の厚みの熱硬化型封止樹脂層を有する封止樹脂フィルムを用いて、一回の熱圧着処理により同時に行う手段を提供する。
【解決手段】回路基板１上の半導体チップ３が樹脂封止されている半導体装置の製造方法は、回路基板に熱硬化型接着フィルム２を介して半導体チップを仮固定し、仮固定された半導体チップに対し、離型フィルム４とその上に積層され、該半導体チップの厚みの０．５〜２倍の層厚の熱硬化型封止樹脂層５とを有する封止樹脂フィルムを、該熱硬化型封止樹脂層が半導体チップ側に面するように配置し、離型フィルム側からゴム硬度５〜１００のゴムヘッド７で加圧しながら回路基板側から加熱することにより、回路基板に半導体チップを接着固定すると同時に半導体チップを樹脂封止し、表面の離型フィルムを引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に生じる応力を低減することが可能な半導体素子の実装構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１の外周形状が矩形状であり、半導体素子１の外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で半導体素子１のパッド１９とセラミック基板からなる基板３の接続用電極３９とが半田バンプからなるバンプ２を介して接合されている。半導体素子１は、ＭＥＭＳデバイスの一種である半導体加速度センサチップであり、上記３箇所にパッド１９が３つずつ密集して配置されている。 （もっと読む）