【課題】高い機械的強度を得ることができると共に、塗布形状の保持性を高く得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子２を基板３に実装して形成された半導体装置４に関する。室温で液状のエポキシ樹脂組成物１を前記半導体素子２の周囲又はその一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子２と前記基板３とが接着されている。前記半導体素子２と前記基板３との隙間の全体にわたって充填させないようにしている。前記エポキシ樹脂組成物１が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する。前記無機充填材として、平均アスペクト比が２〜１５０の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物１全量に対して０．１〜３０質量％含有されている。前記エポキシ樹脂組成物１のチクソ指数が３．０〜８．０である。 （もっと読む）

【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第１の基板は、第１の面と第２の面とを有する第１の基材と、第１の基材の第１の面側に設けられた犠牲層と、第１の基材の第１の面と第２の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第１の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第２の基板は、第３の面を有する第２の基材と、第２の基材の第３の面側に設けられたバンプと、第２の基材の第３の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第２の面と第３の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第１の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第１の基材の第１の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】好適に空間を封止することが可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】実装構造体１は、支持部材５と、該支持部材５上にバンプ８を介して実装された複数の圧電素子７と、複数の圧電素子７を共に覆い、複数の圧電素子７と支持部材５との間の空間Ｓを密閉する封止樹脂（樹脂部９）とを有する。複数の圧電素子７は、隣り合う圧電素子７の下面１９ａ間の距離ｄ１が下面１９ａよりも上方側の所定位置間（例えば上面１９ｂ間）の距離ｄ２よりも大きい。そして、樹脂部９は、隣り合う圧電素子７間の間隙Ｗの少なくとも上方側の一部に充填された介在部９ｅを有する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２とベース材３との積層構造を有する。半導体チップ２の表面上に電極２１が形成されており、ベース材３の表面上に電極３１が形成されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とが対向すると共に電極２１と電極３１とが突起電極４を介して電気的に接続されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域Ｂ以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル５に分断領域６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表裏両面に電極を備えた半導体素子が実装される回路基板および半導体モジュールの製造効率の向上。
【解決手段】半導体モジュールは、放熱器と、配線パターンが形成され、表裏両面に電極を有する配線基板と、配線基板の所定面側に配置された半導体素子と、配線基板の所定面上に配置され、半導体素子と配線パターンとを接続するための配線部および配線部を除く他の部分において半導体素子と配線基板との間を絶縁する絶縁接合部を有する接合部と、前記半導体素子の所定面側に配置された電極配線と、前記放熱器に接着されることなく載置された絶縁層と、を備える。接合部は、第１の接合開始温度を有する第１接合層と、第１の接合開始温度とは異なる第２の接合開始温度を有する第２接合層とを有する。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、半導体素子の表面に形成されている電極パッドを従来の半導体装置よりも小型化し得る技術を提供する。
【解決手段】本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体素子２０の表面に形成されている信号パッド４０と、リードフレーム６０の一端側に備えられる爪部６２の先端と、を対向させ、次いで、信号パッド４０と爪部６２の先端とが対向する状態を維持したまま、コンプレッションモールド法によって、半導体素子２０と、メインパッド３０と、信号パッド４０と、リードフレーム６０の一端側と、ボンディングワイヤ７０の一端側とをモールド樹脂で封止する。コンプレッションモールドでは、その成形圧力によって爪部６２の先端を信号パッド４０方向に付勢することで、リードフレーム６０と信号パッド４０とを電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法を得る。
【解決手段】実施形態にかかる電子機器では、接合部は、第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続した。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止した。位置決め部は、第一面から突出し、その突出側の端部が第一面と第二面との間に位置され、第二面に封止部が塗布された電子部品が第一面に載せられる際に当該第一面に沿って移動しようとした場合にあっても封止部と接触することにより電子部品が第一導体部と第二導体部とが対向した位置から外れるのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール１０は、セラミックス多層基板１００と、接合層１１０と、拡散層１２０と、半導体素子１３０を備える。接合層１１０は、セラミックス多層基板１００の第１の面１０５上に配置され、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを電気的に接続する導電接合部１１１と、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを絶縁する絶縁接合部１１２とを備える平面状の薄膜層である。こうすれば、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００との間における空隙の発生を抑制しつつ接合することができ、半導体素子１３０からセラミックス多層基板１００への熱拡散性能、および、セラミックス多層基板１００と半導体素子１３０との接合強度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】配線基板に半導体チップを実装する際にボイドが生じ難く、半導体チップの側面にフィレットを形成しやすい半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、半導体チップ実装領域を備えた配線基板の前記半導体チップ実装領域の内側に第１の樹脂部を形成する第１工程と、前記配線基板上に、前記第１の樹脂部及びその周辺部を露出する開口部が形成されたマスク材を配置する第２工程と、前記開口部上を含む前記マスク材上に樹脂フィルムを配置し、前記樹脂フィルムを加熱しながら前記配線基板側に押圧して前記第１の樹脂部と一体化させる第３工程と、前記樹脂フィルムを加熱しながら前記マスク材を剥離して、前記配線基板上の前記開口部に対応する位置に前記樹脂フィルムの一部を残存させ、前記第１の樹脂部と前記樹脂フィルムの一部とを含む第２の樹脂部を形成する第４工程と、を有し、前記第４工程では、中央部に周縁部よりも高さの高い突起部を有する前記第２の樹脂部を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面実装部品の２つの電極間のショートを防止して、表面実装部品を金属パターンにはんだ付けできる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板と、該基板の上に形成された第１金属パターンと、該基板の上に形成された第２金属パターンと、一端に第１電極が形成され他端に第２電極が形成された表面実装部品と、該第１電極と該第１金属パターンを固定する第１はんだと、該第２電極と該第２金属パターンを固定する第２はんだと、該表面実装部品を覆い、該表面実装部品を該第１電極の外側と該第２電極の外側から挟むように形成された溝を有するモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップ積層体の外部接続用電極として機能する第１のバンプ電極間がショートしないように、第１のバンプ電極に精度よくはんだを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングツール３４によりはんだ搭載用基板５０の他面を保持すると共に、第２のバンプ電極５５に形成されたはんだ５７を加熱により溶融させ、はんだ搭載用基板の第２のバンプ電極をチップ積層体４０の第１のバンプ電極１７と対向配置させる工程と、第２のバンプ電極に形成され、かつ溶融したはんだを、チップ積層体の第１のバンプ電極に接触させた後、チップ積層体からはんだ搭載用基板を離間させることで、第１のバンプ電極にはんだを転写させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】モールド工程において、モールド流れの導きと流速バランス取りが可能な非アレイバンプのフリップチップモールドの構造体を提供する。
【解決手段】基板１１０は、はんだマスク層１１２に覆われる上表面１１１を有し、複数のパッド１１３と少なくとも１つのモールド流れガイドバー１１４を設置する。モールド流れガイドバー１１４は、パッド無し空白区域Ａに設置され、かつパッド１１３とはんだマスク層１１２を越える高さＨを有して突起状に形成される。チップ１２０は複数個のバンプ１２１を有し、かつ基板１１０上にフリップチップ接合されることで、バンプ群１２１をパッド群１１３に接合させ、チップ１２０と基板１１０との間にモールド流れ間隙Ｓを形成する。モールド封止材１３０は上表面１１１に形成されてチップ１２０を密封し、モールド流れ間隙Ｓに十分充填されてバンプ群１２１とモールド流れガイドバー１１４を密封している。 （もっと読む）

【課題】ボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ１２が形成された回路面を有する半導体ウェハ１０の回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤６，７の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハ４０を得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハ４０と、他の半導体ウエハ５０とを、接着剤層付き半導体ウェハ４０の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを介して電子部品を基板上に搭載し、リードフレームの全体および電子部品をモールド樹脂で封止してなる電子装置において、リードフレームとモールド樹脂との剥離を抑制しつつ、リードフレームと基板との接続を確保できるようにする。
【解決手段】リードフレーム３０における電子部品２０から突出する他端３２側の全体は、当該リードフレーム３０を構成する母材が表面に露出したものであって、モールド樹脂４０で封止されており、このリードフレーム３０の他端３２側と基板１０との間に、金属よりなる導電性フィラー５２を含有する導電性接着剤５０が介在しており、導電性フィラー５２が母材に融着することにより、リードフレーム３０の他端３２側と基板１０とが電気的および機械的に固定されている。 （もっと読む）

【課題】
Ｐｂを含んだはんだに替わり高温環境下で高信頼接合を維持できる接合材料として、接
合部が高温環境に耐え、高信頼な接合を維持できる接合構造を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、第１の部材５と第２の部材１の接合構造において、はんだ３とガラス４とに
よって、第１の部材５と第２の部材１を接合し、ガラス４がはんだ３を封止していること
によって、導電性を確保するとともに、高温時にはんだ溶融による流出を抑制して、耐久
性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法を得る。
【解決手段】実施形態にかかる電子機器は、筐体と、回路基板と、電子部品と、接合部と、封止部と、位置決め部と、を備える。回路基板は、筐体に設けられ、第一面と、この第一面に設けられた第一導体部と、を有する。電子部品は、回路基板の第一面上に位置され、第一面と対向した第二面と、この第二面に設けられた第二導体部と、を有する。接合部は、 第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続する。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止する。位置決め部は、回路基板と電子部品とを位置決めする。 （もっと読む）

【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第１のヤング率を有する第１の樹脂層と、前記第１のヤング率よりも大きな値の第２のヤング率を有する第２の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】 半導体回路層間の隙間に電気的絶縁性接着剤を確実に配置でき、前記隙間よりはみ出た余分の接着剤を除去しなくてすむ、三次元積層構造集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体回路層１ａの内部に複数の埋込配線（導電性プラグ）１５を形成し、それらの端を第１半導体回路層１ａの裏面に露出させる。第２半導体回路層２の表面に、各プラグ１５に対応して複数のバンプ電極４３ａを形成する。第２半導体回路層２の表面に、バンプ電極４３ａとは重ならない形状にパターン化された電気的絶縁性接着剤膜４４ａを形成する。その後、第１半導体回路層１ａの裏面と第２半導体回路層２の表面を対向させて近づけ、その間で接着剤膜４４ａを変形させながら各バンプ電極４３ａの少なくとも一部を押し潰すことにより、埋込配線１５とバンプ電極４３ａとを相互に機械的接続すると共に、接着剤膜４４ａにより両回路層１ａと２を接着する。 （もっと読む）

【課題】突起電極間で導電経路を形成することのない異方性導電材料を用いた半導体デバイスチップの実装方法を提供する。
【解決手段】複数の突起電極１７を有する半導体デバイスチップを、配線基板又はウエーハ１１上に実装する半導体デバイスチップの実装方法であって、半導体デバイスウエーハを用意するステップと、半導体デバイスウエーハの突起電極側を絶縁体で被覆して隣接する突起電極間に絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、絶縁体が被覆された突起電極側を平坦化し、突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、半導体デバイスウエーハを個々の半導体デバイスチップに分割する分割ステップと、配線基板又はウエーハの電極と半導体デバイスチップの突起電極間に異方性導電体を介在させて半導体デバイスチップを配線基板又はウエーハ上に搭載し、電極と突起電極とを接続する実装ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）