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Fターム[5F044RR18]の内容

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Fターム[5F044RR18]に分類される特許

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【課題】高い機械的強度を得ることができると共に、塗布形状の保持性を高く得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子2を基板3に実装して形成された半導体装置4に関する。室温で液状のエポキシ樹脂組成物1を前記半導体素子2の周囲又はその一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子2と前記基板3とが接着されている。前記半導体素子2と前記基板3との隙間の全体にわたって充填させないようにしている。前記エポキシ樹脂組成物1が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する。前記無機充填材として、平均アスペクト比が2〜150の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物1全量に対して0.1〜30質量%含有されている。前記エポキシ樹脂組成物1のチクソ指数が3.0〜8.0である。 (もっと読む)


【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第1の基板は、第1の面と第2の面とを有する第1の基材と、第1の基材の第1の面側に設けられた犠牲層と、第1の基材の第1の面と第2の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第1の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第2の基板は、第3の面を有する第2の基材と、第2の基材の第3の面側に設けられたバンプと、第2の基材の第3の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第2の面と第3の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第1の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第1の基材の第1の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】好適に空間を封止することが可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】実装構造体1は、支持部材5と、該支持部材5上にバンプ8を介して実装された複数の圧電素子7と、複数の圧電素子7を共に覆い、複数の圧電素子7と支持部材5との間の空間Sを密閉する封止樹脂(樹脂部9)とを有する。複数の圧電素子7は、隣り合う圧電素子7の下面19a間の距離d1が下面19aよりも上方側の所定位置間(例えば上面19b間)の距離d2よりも大きい。そして、樹脂部9は、隣り合う圧電素子7間の間隙Wの少なくとも上方側の一部に充填された介在部9eを有する。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体チップ2とベース材3との積層構造を有する。半導体チップ2の表面上に電極21が形成されており、ベース材3の表面上に電極31が形成されている。半導体チップ2の前記表面とベース材3の前記表面とが対向すると共に電極21と電極31とが突起電極4を介して電気的に接続されている。半導体チップ2の前記表面とベース材3の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域B以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル5に分断領域6が設けられている。 (もっと読む)


【課題】表裏両面に電極を備えた半導体素子が実装される回路基板および半導体モジュールの製造効率の向上。
【解決手段】半導体モジュールは、放熱器と、配線パターンが形成され、表裏両面に電極を有する配線基板と、配線基板の所定面側に配置された半導体素子と、配線基板の所定面上に配置され、半導体素子と配線パターンとを接続するための配線部および配線部を除く他の部分において半導体素子と配線基板との間を絶縁する絶縁接合部を有する接合部と、前記半導体素子の所定面側に配置された電極配線と、前記放熱器に接着されることなく載置された絶縁層と、を備える。接合部は、第1の接合開始温度を有する第1接合層と、第1の接合開始温度とは異なる第2の接合開始温度を有する第2接合層とを有する。 (もっと読む)


【課題】本明細書では、半導体素子の表面に形成されている電極パッドを従来の半導体装置よりも小型化し得る技術を提供する。
【解決手段】本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体素子20の表面に形成されている信号パッド40と、リードフレーム60の一端側に備えられる爪部62の先端と、を対向させ、次いで、信号パッド40と爪部62の先端とが対向する状態を維持したまま、コンプレッションモールド法によって、半導体素子20と、メインパッド30と、信号パッド40と、リードフレーム60の一端側と、ボンディングワイヤ70の一端側とをモールド樹脂で封止する。コンプレッションモールドでは、その成形圧力によって爪部62の先端を信号パッド40方向に付勢することで、リードフレーム60と信号パッド40とを電気的に接続させる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール10は、セラミックス多層基板100と、接合層110と、拡散層120と、半導体素子130を備える。接合層110は、セラミックス多層基板100の第1の面105上に配置され、半導体素子130とセラミックス多層基板100とを電気的に接続する導電接合部111と、半導体素子130とセラミックス多層基板100とを絶縁する絶縁接合部112とを備える平面状の薄膜層である。こうすれば、半導体素子130とセラミックス多層基板100との間における空隙の発生を抑制しつつ接合することができ、半導体素子130からセラミックス多層基板100への熱拡散性能、および、セラミックス多層基板100と半導体素子130との接合強度を向上できる。 (もっと読む)


【課題】電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法を得る。
【解決手段】実施形態にかかる電子機器では、接合部は、第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続した。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止した。位置決め部は、第一面から突出し、その突出側の端部が第一面と第二面との間に位置され、第二面に封止部が塗布された電子部品が第一面に載せられる際に当該第一面に沿って移動しようとした場合にあっても封止部と接触することにより電子部品が第一導体部と第二導体部とが対向した位置から外れるのを抑制する。 (もっと読む)


【課題】配線基板に半導体チップを実装する際にボイドが生じ難く、半導体チップの側面にフィレットを形成しやすい半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、半導体チップ実装領域を備えた配線基板の前記半導体チップ実装領域の内側に第1の樹脂部を形成する第1工程と、前記配線基板上に、前記第1の樹脂部及びその周辺部を露出する開口部が形成されたマスク材を配置する第2工程と、前記開口部上を含む前記マスク材上に樹脂フィルムを配置し、前記樹脂フィルムを加熱しながら前記配線基板側に押圧して前記第1の樹脂部と一体化させる第3工程と、前記樹脂フィルムを加熱しながら前記マスク材を剥離して、前記配線基板上の前記開口部に対応する位置に前記樹脂フィルムの一部を残存させ、前記第1の樹脂部と前記樹脂フィルムの一部とを含む第2の樹脂部を形成する第4工程と、を有し、前記第4工程では、中央部に周縁部よりも高さの高い突起部を有する前記第2の樹脂部を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面実装部品の2つの電極間のショートを防止して、表面実装部品を金属パターンにはんだ付けできる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板と、該基板の上に形成された第1金属パターンと、該基板の上に形成された第2金属パターンと、一端に第1電極が形成され他端に第2電極が形成された表面実装部品と、該第1電極と該第1金属パターンを固定する第1はんだと、該第2電極と該第2金属パターンを固定する第2はんだと、該表面実装部品を覆い、該表面実装部品を該第1電極の外側と該第2電極の外側から挟むように形成された溝を有するモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】チップ積層体の外部接続用電極として機能する第1のバンプ電極間がショートしないように、第1のバンプ電極に精度よくはんだを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングツール34によりはんだ搭載用基板50の他面を保持すると共に、第2のバンプ電極55に形成されたはんだ57を加熱により溶融させ、はんだ搭載用基板の第2のバンプ電極をチップ積層体40の第1のバンプ電極17と対向配置させる工程と、第2のバンプ電極に形成され、かつ溶融したはんだを、チップ積層体の第1のバンプ電極に接触させた後、チップ積層体からはんだ搭載用基板を離間させることで、第1のバンプ電極にはんだを転写させる工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】モールド工程において、モールド流れの導きと流速バランス取りが可能な非アレイバンプのフリップチップモールドの構造体を提供する。
【解決手段】基板110は、はんだマスク層112に覆われる上表面111を有し、複数のパッド113と少なくとも1つのモールド流れガイドバー114を設置する。モールド流れガイドバー114は、パッド無し空白区域Aに設置され、かつパッド113とはんだマスク層112を越える高さHを有して突起状に形成される。チップ120は複数個のバンプ121を有し、かつ基板110上にフリップチップ接合されることで、バンプ群121をパッド群113に接合させ、チップ120と基板110との間にモールド流れ間隙Sを形成する。モールド封止材130は上表面111に形成されてチップ120を密封し、モールド流れ間隙Sに十分充填されてバンプ群121とモールド流れガイドバー114を密封している。 (もっと読む)


【課題】ボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ12が形成された回路面を有する半導体ウェハ10の回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤6,7の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハ40を得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハ40と、他の半導体ウエハ50とを、接着剤層付き半導体ウェハ40の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】リードフレームを介して電子部品を基板上に搭載し、リードフレームの全体および電子部品をモールド樹脂で封止してなる電子装置において、リードフレームとモールド樹脂との剥離を抑制しつつ、リードフレームと基板との接続を確保できるようにする。
【解決手段】リードフレーム30における電子部品20から突出する他端32側の全体は、当該リードフレーム30を構成する母材が表面に露出したものであって、モールド樹脂40で封止されており、このリードフレーム30の他端32側と基板10との間に、金属よりなる導電性フィラー52を含有する導電性接着剤50が介在しており、導電性フィラー52が母材に融着することにより、リードフレーム30の他端32側と基板10とが電気的および機械的に固定されている。 (もっと読む)


【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第1のヤング率を有する第1の樹脂層と、前記第1のヤング率よりも大きな値の第2のヤング率を有する第2の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 (もっと読む)


【課題】
Pbを含んだはんだに替わり高温環境下で高信頼接合を維持できる接合材料として、接
合部が高温環境に耐え、高信頼な接合を維持できる接合構造を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、第1の部材5と第2の部材1の接合構造において、はんだ3とガラス4とに
よって、第1の部材5と第2の部材1を接合し、ガラス4がはんだ3を封止していること
によって、導電性を確保するとともに、高温時にはんだ溶融による流出を抑制して、耐久
性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法を得る。
【解決手段】実施形態にかかる電子機器は、筐体と、回路基板と、電子部品と、接合部と、封止部と、位置決め部と、を備える。回路基板は、筐体に設けられ、第一面と、この第一面に設けられた第一導体部と、を有する。電子部品は、回路基板の第一面上に位置され、第一面と対向した第二面と、この第二面に設けられた第二導体部と、を有する。接合部は、 第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続する。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止する。位置決め部は、回路基板と電子部品とを位置決めする。 (もっと読む)


【課題】 半導体回路層間の隙間に電気的絶縁性接着剤を確実に配置でき、前記隙間よりはみ出た余分の接着剤を除去しなくてすむ、三次元積層構造集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第1半導体回路層1aの内部に複数の埋込配線(導電性プラグ)15を形成し、それらの端を第1半導体回路層1aの裏面に露出させる。第2半導体回路層2の表面に、各プラグ15に対応して複数のバンプ電極43aを形成する。第2半導体回路層2の表面に、バンプ電極43aとは重ならない形状にパターン化された電気的絶縁性接着剤膜44aを形成する。その後、第1半導体回路層1aの裏面と第2半導体回路層2の表面を対向させて近づけ、その間で接着剤膜44aを変形させながら各バンプ電極43aの少なくとも一部を押し潰すことにより、埋込配線15とバンプ電極43aとを相互に機械的接続すると共に、接着剤膜44aにより両回路層1aと2を接着する。 (もっと読む)


【課題】突起電極間で導電経路を形成することのない異方性導電材料を用いた半導体デバイスチップの実装方法を提供する。
【解決手段】複数の突起電極17を有する半導体デバイスチップを、配線基板又はウエーハ11上に実装する半導体デバイスチップの実装方法であって、半導体デバイスウエーハを用意するステップと、半導体デバイスウエーハの突起電極側を絶縁体で被覆して隣接する突起電極間に絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、絶縁体が被覆された突起電極側を平坦化し、突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、半導体デバイスウエーハを個々の半導体デバイスチップに分割する分割ステップと、配線基板又はウエーハの電極と半導体デバイスチップの突起電極間に異方性導電体を介在させて半導体デバイスチップを配線基板又はウエーハ上に搭載し、電極と突起電極とを接続する実装ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


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