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Fターム[5F044RR19]の内容

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Fターム[5F044RR19]に分類される特許

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【課題】超小型電子チップ・アセンブリ、特に集積回路にアンダフィルを塗布する方法及び材料の提供。
【解決手段】大きなウェーハ又は集積回路チップの活性面の塗布される100%非揮発性、一液型液体アンダフィル封入剤が開示される。塗布時に、その封入剤は放射線、特にUV、可視及び赤外線に暴露することによって液化可能、不粘着性固体に転化される。アンダフィルを被覆したウェ−ハは硬化の進行なしに顕著な保存寿命を示す。大きなウェーハは小さいウェーハ切片に単数化されて数ヶ月貯蔵され、その後、半田リフロー中にウェーハ連結アセンブリは固定され、アンダフィルは液化し、すみ肉に流出し、そして熱活性化架橋時に熱硬化へ転化する。 (もっと読む)


【課題】基体に対する電力増幅回路素子の接合強度を向上させることができるとともに、常に安定して動作させることが可能な電子装置を提供する。
【解決手段】基体1aの上面に枠体1bを取着させて枠体1bの内側にキャビティ4を形成するとともに、該キャビティ4内に、基体上面に設けられた接続パッド7に導電性接着剤9を介して電気的に接続される接続電極5を下面に有する電力増幅回路素子2を収容し、更に前記電力増幅回路素子2の直下に位置する基体1a上面に凹部8を設けた電子装置10であって、前記枠体1bの上面に、電力増幅回路素子2の上面に当接される金属製の放熱板3を接合する。 (もっと読む)


【課題】 サイズの大きな半導体チップを実装する際に確実に超音波熱圧着を行う。
【解決手段】 半導体チップ1と、半導体チップ1と対向配置され、接続用導体4を介して半導体チップ1と電気的に接続された回路基板5と、半導体チップ1及び回路基板5の向かい合う対向面にそれぞれ形成され、接続用導体4が接合されたパッド電極2及び端子電極6と、対向面の間の隙間を埋め込むように形成された非導電性樹脂7と、半導体チップ1又は回路基板5の対向面に形成された所定形状の導電性ダミーパターン10とを備える。対向面の間の温度分布を均一にすることができ、非導電性樹脂7の粘度を温度を均一化して超音波が減衰することを抑止できる。 (もっと読む)


【課題】 半導体デバイスや半導体モジュールの誤実装を低減する。
【解決手段】 半導体デバイス10の半導体パッケージ11の裏面に配設された各接続電極12に融点の異なる第1の半田ボール13及び第2の半田ボール14を接合し、融点の低い第1の半田ボール13を半導体デバイス10の外周側に配設し、融点の高い第2の半田ボール14を内周側に配設する。そして、ベース基板21上に接点22を配設し、この接点22上に半田ペースト23が印刷された実装基板20上に半導体デバイス10を配置し、第1の半田ボール13が溶融する第1の温度まで加熱し、次に第2の半田ボール14及び半田ペースト23が溶融する第2の温度まで加熱するリフロー半田付けを行う。 (もっと読む)


【課題】 この発明に係る半導体装置及びその製造方法は、半導体チップの基板側に熱可塑性樹脂を塗布して仮硬化状態として生産性の向上を図るとともに、半導体チップと基板との接着強度を確保することを目的とする。
【解決手段】 この発明に係る半導体装置及びその製造方法は、半導体チップの基板側に熱可塑性樹脂を塗布して仮硬化状態とし、その半導体チップを基板に接合するリフロー時又はフェイスダウンボンデイング時の加熱により、熱可塑性樹脂の仮硬化状態を溶融して半導体チップと基板との間に充填するようにしたものである。 (もっと読む)


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