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Fターム[5F044RR19]の内容

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【課題】封止樹脂のかみこみを抑制しながら良好な電極接合を行い、信頼性の高い半導体チップ実装体を製造することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法に用いられる封止樹脂を提供する。
【解決手段】封止樹脂を介して、半導体チップの突起状電極と、基板又は他の半導体チップの電極部とを位置合わせする工程と、前記突起状電極の溶融温度よりも低い温度で加熱しながら、前記半導体チップを押圧し、前記突起状電極と前記電極部とを接触させる工程と、前記突起状電極が溶融する温度で加熱しながら、前記突起状電極と前記電極部とが接触した位置よりも、前記基板又は他の半導体チップ側に0μmを超えて10μm以下まで近い位置に前記半導体チップを保持し、前記突起状電極と前記電極部とを接合する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程とを有し、前記封止樹脂は、溶融粘度計により測定した120℃における粘度が10〜10000Pa・sであり、前記突起状電極が溶融する温度で1〜30秒間加熱したときのゲル分率が30%以上90%未満である半導体チップ実装体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィル液を用いたときと同等の効果が得られ基板と半導体チップ間の充填方法を実現する。
【解決手段】プリント基板33の複数の電極部にハンダバンプ39を形成し、この複数のハンダバンプを介して半導体チップ41をプリント基板に搭載する。その際、プリント基板のハンダバンプが形成された面側を覆うアンダーフィル用の熱可塑性のフィルム30を準備する。このフィルムは、ハンダバンプ部分が取り除かれているとともに半導体チップが搭載される部分の周縁部が突起状に形成されており、フィルムでプリント基板を覆った後にフィルムを基板に貼り合せ、次いで半導体チップをプリント基板に搭載してリフロー炉に搬送し、このリフロー炉において加熱および加圧HPして、ハンダバンプを溶融する。 (もっと読む)


【課題】突起電極間で導電経路を形成することのない異方性導電材料を用いた半導体デバイスチップの実装方法を提供する。
【解決手段】複数の突起電極17を有する半導体デバイスチップを、配線基板又はウエーハ11上に実装する半導体デバイスチップの実装方法であって、半導体デバイスウエーハを用意するステップと、半導体デバイスウエーハの突起電極側を絶縁体で被覆して隣接する突起電極間に絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、絶縁体が被覆された突起電極側を平坦化し、突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、半導体デバイスウエーハを個々の半導体デバイスチップに分割する分割ステップと、配線基板又はウエーハの電極と半導体デバイスチップの突起電極間に異方性導電体を介在させて半導体デバイスチップを配線基板又はウエーハ上に搭載し、電極と突起電極とを接続する実装ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体チップ実装体を製造することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極を有し、前記突起状電極を有する面に封止樹脂層が設けられた厚みが100μm以下の半導体チップ1を作製する工程(1)と、前記半導体チップの前記突起状電極と基板又はその他の電子部品の電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させて前記半導体チップの周りにフィレット2を形成する工程(2)とを有し、前記工程(1)では、前記突起状電極の高さに対して40〜80%の厚みとなるように前記封止樹脂層を設け、前記工程(2)では、前記半導体チップの対角線の延長線上にあるフィレットの長さIが、前記半導体チップの対角線の長さLに対して100%を超えて130%以下となるようにフィレットを形成する半導体チップ実装体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】塗工性に優れ、接合信頼性が高く、かつ、透明性が高く、カメラによる半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとするフリップチップ実装用接着剤を提供する。また、該フリップチップ実装用接着剤を用いて製造されるフリップチップ実装用接着フィルム、及び、該フリップチップ実装用接着フィルムを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含有するフリップチップ実装用接着剤であって、前記無機フィラーは、シランカップリング剤により表面処理されており、平均粒子径が0.05μm以上0.20μm未満であり、かつ、フリップチップ実装用接着剤中の含有量が20重量%以上60重量%以下であるフリップチップ実装用接着剤。 (もっと読む)


【課題】機械的強度および対候性に優れた電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、複数の電気素子11を準備する工程と、複数の電気素子11をそれぞれ実装する複数の基板20の集合体である基体20Aを準備する工程と、基体20A上に樹脂21を形成する工程(図1(e))と、複数の電気素子11を樹脂21に押圧することにより、複数の電気素子11の側面の一部を樹脂21に接合する工程と、複数の電気素子11に研磨処理を施して複数の電気素子11を薄化する工程と、基体20Aを分割することにより、複数の基板20を個片化する工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能性素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく、また工程数を増大させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の導電層における非接続領域を保護するための保護層を、前記配線基板の主面上において、前記配線基板上に搭載した機能性素子と相対向する位置であって、その機能部と相対向する位置を除く領域にまで延在させ、封止層を配線基板と機能性素子との接合部から前記機能性素子の前記機能部にまで延在させることなく、前記配線基板の前記主面と前記機能部との間に空隙を形成するようにして、電子部品を構成する。 (もっと読む)


【課題】電極間の位置ずれを抑制できる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】接続構造体1の製造方法は、電極2bを上面2aに有する第1の接続対象部材2上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去する工程と、異方性導電ペースト層上に、電極4bを下面4aに有する第2の接続対象部材4を積層する工程と、異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層3を形成する工程とを備える。除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層3Aにおいて、第1の領域を除去装置14により除去するか、又は塗布量が多い第2の領域を除去装置により除去する。 (もっと読む)


【課題】第1,第2の接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制できる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】接続構造体1の製造方法は、電極2bを上面2aに有する第1の接続対象部材2上に、ディスペンサー12を移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、異方性導電ペースト層上に、電極4bを下面4aに有する第2の接続対象部材4を積層する工程と、異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層3を形成する工程とを備える。塗布方向と直交する方向における異方性導電ペースト層の中央部に対して、塗布方向と直交する方向における異方性導電ペースト層の中央部の外側の縁部が盛り上がった形状になるように、異方性導電ペーストを塗布する。 (もっと読む)


【課題】半田付け工程を行う必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる半導体パッケージ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】能動面20aを有し、能動面に複数の導電バンプ200が設けられたチップ20と、表面にアンダーフィル210が設けられた基材21と、を提供する工程と、チップの能動面をアンダーフィルに結合させることにより各導電バンプをアンダーフィルに埋設させる工程と、基材を除去することによりアンダーフィルを露出させる工程と、チップをアンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることでチップを各導電バンプによりパッケージ基板に電気的に接続させる工程と、を備える半導体パッケージ構造の製造方法。アンダーフィルをチップの能動面に結合させた上で、アンダーフィルをパッケージ基板に設けるようにした。 (もっと読む)


【課題】キャビティの上面側に設けられた半導体構成体用凹部内に半導体構成体を配置した半導体装置において、薄型化する。
【解決手段】キャビティ1の上面側に設けられた半導体構成体用凹部4内には半導体構成体11がフェースダウン方式で配置されている。半導体構成体用凹部4内には絶縁層35が半導体構成体11を覆うように設けられている。絶縁層35の上面は、キャビティ1の上面に設けられた上層オーバーコート膜33の上面と面一となっている。絶縁層35および上層オーバーコート膜33の上面には上層配線37が設けられている。この場合、キャビティ1および半導体構成体11上には上層絶縁膜を設けておらず、したがってその分薄型化することができる。 (もっと読む)


【課題】第1,第2の接続対象部材の接続信頼性を高めることができる接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体1の製造方法は、第1の接続対象部材2上に、熱硬化性成分を含む硬化性組成物を直線状に塗布して、硬化性組成物層を形成する工程と、硬化性組成物層上に、第1の接続対象部材2よりも小さい第2の接続対象部材4を積層する工程と、硬化性組成物層を加熱して本硬化させて、硬化物層3を形成する工程とを備える。本発明に係る接続構造体1の製造方法では、塗布方向と直交する方向における硬化性組成物層の中央部3xの最小厚み(μm)をTとしたときに、塗布方向と直交する方向における硬化性組成物層の中央部3xの外側の縁部3yの最大厚み(μm)が1.1T以上、1.6T以下になるように、かつ縁部3yが盛り上がった形状になるように、硬化性組成物を直線状に塗布する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを回路基板に効率よく実装することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】回路面Sに突起電極2を有しかつ回路面Sに絶縁性樹脂層3が形成された半導体チップ10を、回路面Sを下にして支持具6上に載置するチップ準備工程と、支持具6上に載置された半導体チップ10に対して、空気の吸引孔を備えた吸着面を下面に有する吸着ツール7を上方から近づけ、前記吸着面が半導体チップ10と接触しない位置で、前記吸引孔による空気の吸引により半導体チップ10を支持具6上からピックアップして前記吸着面に非接触で吸着させるチップピックアップ工程と、半導体チップ10を加熱しながら吸着ツール7により半導体チップ10の回路面Sを回路基板4に押圧して、回路基板4と半導体チップ10とを電気的に接続するチップ実装工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体素子とテープ基材との間のすき間に対して、未充填や気泡等の不具合を生じさせることなく適切に充填剤を充填させることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置100は、テープ基材102と、配線パターン104と、配線パターン104と電気的に接続された半導体素子108と、テープ基材102の表面を覆い、且つ半導体素子108との対向領域に表面側開口部106aを有する表面側絶縁保護膜106と、テープ基材102の裏面を覆い、且つ表面側開口部106aの裏側となる部分に裏面側開口部112aを有する裏面側絶縁保護膜112とを備える。表面側絶縁保護膜106は、前記対向領域よりも外側に突出している突出開口部106bを有する。裏面側開口部112aは、テープ基材102の表面における半導体素子108との対向領域の1.00〜8.50倍の大きさを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子・配線回路基板間の熱膨張率差による接続不良を改善するとともに、半導体素子・配線回路基板の端子間での無機質充填剤の噛みこみを、より確実に抑え、接続信頼性を向上させた、封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法を提供する。
【解決手段】配線回路基板と半導体素子との間の空隙を樹脂封止するための封止用樹脂シート1であって、上記封止用樹脂シート1が、無機質充填剤含有層3と無機質充填剤不含層2との二層構造のエポキシ樹脂組成物シートであり、無機質充填剤含有層3の溶融粘度が1.0×102〜2.0×104Pa・s、無機質充填剤不含層2の溶融粘度が1.0×103〜2.0×105Pa・s、両層の粘度差が1.5×104Pa・s以上であり、無機質充填剤不含層2の厚みが、半導体素子に設けられた接続用電極部の高さの1/3〜4/5である。 (もっと読む)


【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しB−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂と、(B)硬化剤と、(C)無機充填剤と、(D)溶剤と、を含んでなり、粘度a/粘度bで表されるチキソ比が1.5以下である。
粘度a:ブルックフィールド型粘度計を用い、0.5rpm、25℃で測定。
粘度b:ブルックフィールド型粘度計を用い、2.5rpm、25℃で測定。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の製造の際の工程数の増加を抑制しつつ、半導体ウエハが有する低誘電材料層のクラックを防止することを可能とする保護層形成用フィルムを提供すること。
【解決手段】 低誘電材料層が形成されているバンプ付きウエハに保護層を形成するための保護層形成用フィルムであって、支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層されており、熱硬化性樹脂層の溶融粘度が、1×10Pa・S以上2×10Pa・S未満となり、且つ、粘着剤層のせん断弾性率が、1×10Pa以上2×10Pa以下となる温度が50〜120℃の温度範囲内に存在する保護層形成用フィルム。 (もっと読む)


【課題】製造が容易であり、高い透明性を維持するとともに半導体チップをボンディングする際にはボイドの発生を抑制しながら、貯蔵安定性及び熱安定性にも優れ、更に、耐熱性に優れた硬化物を得ることができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を含有するフリップチップ実装用接着剤、該フリップチップ実装用接着剤を用いる半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、ビシクロ骨格を有する酸無水物と、常温で液状のイミダゾール硬化促進剤とを含有する熱硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】半導体装置を簡便に製造することが可能で、且つ、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、回路面S1上に、複数の突出電極10aを覆う絶縁性樹脂層12を形成する工程と、半導体ウエハ10をダイシングフレーム14及びダイシングテープ16に取り付ける工程と、半導体ウエハ10の回路面S1側から半導体ウエハ10及び絶縁性樹脂層12をダイシングすることで、複数の半導体チップ20に個片化する工程と、ピックアップされた半導体チップ20を位置合わせヘッドによって保持した状態で、半導体チップ20の突出電極10aと基板上の回路電極との位置合わせを行い、仮固定する工程と、接続ヘッドを用いて半導体チップ20と基板とを加熱圧着することで、半導体チップ20の突出電極10aと基板の回路電極とを電気的に接続する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】低温、短時間の条件で硬化し、かつ、接続信頼性の高い接着剤を提供する。
【解決手段】接着剤は金属キレートと、シランカップリング剤と、熱硬化性樹脂とを有しており、シランカップリング剤のアルコキシ基が接着剤中で加水分解され、シラノール基となる。このシラノール基と金属キレートとが反応することによって接着剤中にカチオンが放出されると、そのカチオンによって熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂がカチオン重合する。このように、接着剤はカチオン重合によって硬化されるので、低い温度でも接着剤が硬化する。 (もっと読む)


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