【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、導電性粒子５を含む異方性導電材料を用いた異方性導電材料層を配置する工程と、該異方性導電材料層の上面に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、第２の接続対象部材４の上面４ｃに、加熱圧着ヘッドを降下させて、上記加熱圧着ヘッドが第２の接続対象部材４の上面４ｃに接した状態で、上記異方性導電材料層を硬化させる工程と、第２の接続対象部材４の上面４ｃから、上記加熱圧着ヘッドを引き上げる工程とを備える。本発明に係る接続構造体１の製造方法では、上記異方性導電材料層が硬化開始温度に達するまでに、電極に導電性粒子５が押し込まれた凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ周囲のアンダーフィルのフィレット形状をより均一な形状に近づけることで、半導体チップと基板との接続信頼性が高い半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体チップ２が、アンダーフィル４を介在させて基板１にフリップチップ実装された半導体装置１００であって、前記基板１の前記半導体チップ２が搭載されている領域の周囲に、前記アンダーフィル４のフィレット５形状を規制するフィレット形状規制部６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、電極２ａを上面２に有する第１の接続対象部材２上に、導電性粒子５を含む異方性導電材料を用いた異方性導電材料層を配置する工程と、上記異方性導電材料層の上面から光を照射又は熱を付与し、上記異方性導電材料層の硬化を進行させて、上記異方性導電材料層をＢステージ化する工程と、Ｂステージ化された異方性導電材料層の上面に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、上記Ｂステージ化された異方性導電材料層を硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。第１の接続対象部材２側における上記硬化物層部分３ａと、第２の接続対象部材４側における硬化物層部分３ｂとで、硬化物層３の硬化度を異ならせる。 （もっと読む）

【課題】 チップ部品および配線基板の接続不良を抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子素子22および電子素子22が第１主面21Ａに搭載された基板21を有するチップ部品２と、チップ部品２が第１主面21Ａを対向させた状態で搭載される配線基板３と、チップ部品２の表面から配線基板３の表面にかけて設けられ、電子素子22を封止する封止空間Ｓを取り囲む樹脂層４とを備え、樹脂層４は、封止空間Ｓの側方に位置する部位に、外表面に開口する窪み部５を有している電子装置１である。封止空間Ｓの側方の樹脂層４は体積が減少するので、チップ部品および配線基板の接合部にかかる繰り返し応力が抑制され、この接合部の接続不良を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板１１と、弾性波を励振する振動部２２を有し、振動部２２が絶縁性基板１１と対向し、かつ振動部２２が空隙５１に露出するように、絶縁性基板１１の上面に実装された弾性波デバイスチップ２０と、振動部２２を囲むように設けられ、絶縁性基板１１と弾性波デバイスチップ２０とを接合する接合部と、を具備し、接合部は、半田３２と、半田３２より高い融点を有しかつ絶縁性基板１１の上面のコプラナリティより大きな厚さを有する金属層４２と、を積層して形成されている弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】電子部品と基板との間の接続を樹脂によって強固に補強できる電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】一つの実施の形態に係る電子機器の製造方法によれば、前記電子機器は、基板と、前記基板に設けられた複数のパッドと、前記基板と対向する底面を有した部品本体と、前記部品本体の底面に配置された複数の端子と、前記部品本体の底面に配置されるとともに加熱されることで酸化膜を除去する熱硬化性の樹脂と、を備えた電子部品と、を具備する。まず、前記電子部品を前記基板に載置し、前記基板に載置された前記電子部品を加熱して前記樹脂を軟化させ、軟化した前記樹脂を流動させて前記電子部品と前記基板との間に存在するガスを外に押し出すとともに、前記樹脂を前記電子部品と前記基板との間に充填し、前記電子部品をさらに加熱することで、前記電子部品と前記基板との間に充填された前記樹脂を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品と基板との電気的接続を簡易かつ歩留まりよく行うことが可能な新規な方法を提供する。
【解決方法】接続用の第１の電極を有する基板と、接続用の第２の電極を有する電子部品とを、前記第１の電極及び前記第２の電極を介して電気的に接続する方法であって、前記基板の前記第１の電極上に導電性ペーストを配置する工程と、前記基板の前記第１の電極の非形成領域において、熱硬化性樹脂シートを配置する工程と、前記電子部品を、前記第２の電極と前記基板の前記第１の電極とが接触するようにして前記基板上に搭載し、０．１Ｐａ以下の圧力下において、８０〜１５０℃の温度で加熱し、前記導電性ペースト及び前記熱硬化性樹脂シートを同時に加熱硬化させて、前記電子部品を前記基板に電気的に接続する工程と、を具える。 （もっと読む）

【課題】バンプの潰れすぎによる導通不良〔ショート（短絡）〕を防ぎつつ、接着性が良好な半導体素子の実装方法、及び該半導体素子の実装方法により得られる実装体の提供。
【解決手段】バンプが形成された半導体素子の前記バンプを有する面上に、硬化した第一の絶縁性樹脂層と、未硬化の第二の絶縁性樹脂層とをこの順に積層した積層物を作製する積層物作製工程と、電極を有する基板上に、前記基板の前記電極を有する面が前記第二の絶縁性樹脂層に対向するように前記積層物を配置する配置工程と、前記半導体素子を加熱及び押圧し、前記第二の絶縁性樹脂層を硬化させるとともに、前記バンプと前記基板の前記電極とを電気的に接続する接続工程と、を含む半導体素子の実装方法である。 （もっと読む）

【課題】リフロー装置を用いて電極接合と樹脂封止とを行う際に、信頼性の高い電極接合を行うことができ、かつ、基板又は半導体素子の反りを抑制することのできるフリップチップ用樹脂封止材を提供する。また、該フリップチップ用樹脂封止材を用いた半導体実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】リフロー装置を用いて電極接合と樹脂封止とを行う際に用いられるフリップチップ用樹脂封止材であって、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤又はフェノール系硬化剤とを含有し、２６０℃でのゲルタイムが２０秒以上であり、回転式レオメーターにより測定した１Ｈｚでの５０〜２５０℃の間における最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓより小さいフリップチップ用樹脂封止材。 （もっと読む）

【課題】熱収縮による応力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】多層基板２と、多層基板２に配置された半導体チップ１と、多層基板２と半導体チップ１を接続する複数の金属バンプ４と、半導体チップ１及び多層基板２の間に設けられ、封止樹脂３によって形成された封止樹脂層１０とを備え、封止樹脂層１０には、複数の柱状の空洞５が形成され、複数の空洞５の体積は、封止樹脂層１０の体積の半分以上である、半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの能動表面上に形成された複数のバンプを有する、半導体ダイを提供するステップと、基板を提供するステップと、前記基板上に相互接続部位を伴う複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記接続部位から離れた前記基板の領域上にマスキング層を形成するステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップと、を含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂内でのボイドの発生を抑制する。
【解決手段】
はんだ２０と、はんだ２０の融点より熱硬化温度が低い熱硬化性樹脂２２と、溶融はんだ２０の濡れ性を向上させる活性剤とを少なくとも含有するはんだ入り熱硬化性接着剤１４を介して基板１０の電極１２上に電子部品１６の電極１８を配置し、まず、大気圧雰囲気であって前記融点より高い温度の条件下ではんだ２０を溶融して電子部品１６の電極１８と基板１０の電極１２とを接合する。次に、減圧雰囲気であって前記熱硬化温度より低い温度の条件下で熱硬化性樹脂２２内の水分や揮発成分を揮発させる。そして、前記減圧雰囲気より高い圧力の雰囲気であって前記熱硬化温度より高く且つ前記融点より低い温度の条件下で熱硬化性樹脂２２を熱硬化させつつ、内部の気泡を小さくするまたは消滅させる。 （もっと読む）

【課題】フィラーを含む接着剤を用いた場合であっても、フィラーや樹脂が半田バンプとパッド電極との間に挟まることなく、良好な接続が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ４を有する第１の回路部材１と、パッド電極５を有する第２の回路部材６の間に絶縁性樹脂組成物３を介在させた状態で、加熱および加圧により前記第１の回路部材のバンプと前記第２の回路部材のパッド電極とを電気的に接続する半導体装置の製造方法であって、前記バンプが下式（１）を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。ｔ１−ｔ２＞０．１ｒ（１）ｔ１：最頂部のバンプ高さｔ２：最頂部からバンプ半径ｒの１／２離れた位置のバンプ高さｒ：バンプ半径 （もっと読む）

【課題】チップ間に保護材を有する信頼性の高いチップオンチップ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態によるチップオンチップ構造体は、対向する第１のチップおよび第２のチップと、前記第１のチップの前記第２のチップ側の面上の第１の電極端子と、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面上の第２の電極端子と、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを電気的に接続するバンプと、前記第１のチップと前記第２のチップの間の前記バンプの周囲に形成され、感熱接着性を有する材料からなる層を含む保護材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低溶融粘度化によって、チップ搭載温度の低温化への対応および超音波振動を利用したフリップチップ接続方式への対応が可能となるフィルム状接着剤およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）重量平均分子量が１００００より大きく、常温(２５℃)において固形である樹脂、（ｂ）絶縁性球状無機フィラー、（ｃ）エポキシ樹脂、（ｄ）硬化剤を必須成分とするフィルム状接着剤であって、５０〜２５０℃のいずれかの温度で最低溶融粘度が２００Ｐａ・ｓ以下であり、硬化物の２５〜２６０℃における平均線膨張係数が２００×１０^−６/℃以下であるフィルム状接着剤。該フィルム状接着剤を使用する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接合する第一基板と第二基板とのボイドが発生しにくい電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１１０と第二基板１２０との間に樹脂層１３０を導入して、所定の低温で低温半田バンプ１２１を溶融させて溶融していない高温半田バンプ１１１と個々に仮接合してから、樹脂層１３０を硬化し、さらにこの仮接合された低温半田バンプ１２１と高温半田バンプ１１１とを所定の高温で溶融させて個々に本接合する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により、はんだボールを有するパッケージ部品と実装基板との接合強度を確保することが可能なパッケージ部品の接合方法を提供する。
【解決手段】パッケージ部品の接合方法は、はんだボールを有するパッケージ部品を実装基板に接合させるパッケージ部品の接合方法であって、熱硬化性樹脂組成物からなり、厚みが前記はんだボールの高さ寸法に対して２０％以上９０％以下である樹脂組成物膜を形成する膜形成工程と、前記パッケージ部品１のはんだボール１１を前記樹脂組成物膜中に浸漬させて、前記熱硬化性樹脂組成物３１を前記はんだボールに付着させる樹脂組成物付着工程と、前記熱硬化性樹脂組成物が付着したパッケージ部品を前記実装基板２の接合用ランド２１上に搭載する搭載工程と、リフロー工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大面積の薄膜を安定して形成でき、アンダーフィル剤として良好で耐久性のある半田接続性を与える、アンダーフィル剤組成物、及び該組成物を用いる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フラックス性を有する硬化剤、
（Ｃ）イミダゾール触媒、
（Ｄ）揮発性有機溶剤、及び
（Ｅ）細孔容積が０．３〜０．７ｃｍ^３／ｇである多孔質無機充填剤にして、表面が酸化ケイ素で被覆されている球状無機充填剤
を含んでなる、B-ステージ対応可能な液状ウエハレベルアンダーフィル組成物。 （もっと読む）

【課題】対向する複数の端子同士間において、優れた選択性をもって溶融状態の金属材料を各端子同士間に凝集させて、これら端子同士を金属材料を介して優れた精度で電気的に接続することができる端子間の接続方法、および、接続端子の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の端子間の接続方法は、樹脂組成物層１１、１３と、金属層１２とを備える積層体により構成される導電接続シート１を用いて、端子２１と端子４１とを電気的に接続する方法であり、導電接続シート１を、端子２１と端子４１との間に配置する工程と、端子２１と端子４１との間の離間距離が接近するように半導体チップ２１とインターポーザー３０とを加圧しつつ、金属材料の融点未満の温度で導電接続シート１を加熱する工程と、金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続方式への対応が可能となるフィルム状接着剤およびそれを用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】（ａ）重量平均分子量１００００以下で常温(２５℃)において固形である樹脂と、（ｂ）絶縁性球状無機フィラーと、（ｃ）エポキシ樹脂（但し、（ａ）成分がエポキシ樹脂の場合、（ｃ）成分は（ａ）成分とは異なるエポキシ樹脂である）と、（ｄ）硬化剤を含有し、５０〜２５０℃での最低溶融粘度が２００Ｐａ・ｓより高く、５０〜１５０℃で加熱・加圧した場合の平行板間にはさんだフィルム状接着剤１０の初期面積と加熱・加圧後の面積との比である流れ量が１．５以上であり、かつ、硬化物の２５〜２６０℃での平均線膨張係数が２００×１０^−６／℃以下であり、（ｄ）硬化剤は、１５０℃以上の融点または分解点を有するイミダゾール類と、マイクロカプセル化された硬化剤とを含有することを特徴とするフィルム状接着剤１０。 （もっと読む）