【課題】半導体素子のサイズによらずに気泡の混入確率が低減されたモジュールの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明のモジュールの製造方法は、絶縁層の一の面に導体のパターンが形成された配線板と、導体上にバンプを介してフェイスダウンで実装された機能素子とを備え、配線板の機能素子が実装された位置の、機能素子の投影面よりも小さく、かつ、バンプが導体に接合された部位よりも内側の領域に、絶縁層の厚さ方向に沿って開口部が形成されており、機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とが封止樹脂によって封止されているモジュールの製造方法であって、配線板の導体上に、バンプを介して機能素子を実装する実装工程と；機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とを、封止樹脂によって封止する樹脂封止工程と；を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された半導体装置において、半導体素子を適切に保護しつつ、半導体装置の反り量を低減する。
【解決手段】半導体素子２と樹脂回路基板４とを、半導体素子２に形成された突起電極３を介してフリップチップ接続し、半導体素子２と樹脂回路基板４間の隙間を第１の樹脂５により封止する。樹脂回路基板４における半導体素子２が実装されている面を、半導体素子２と共に第１の樹脂５とは異なる第２の樹脂６で覆う。さらに、半導体素子２上の第２の樹脂６で覆われている部分に凹部７を設け、凹部７に第１の樹脂５と第２の樹脂６とは異なる第３の樹脂または金属８を設ける。 （もっと読む）

【課題】配線基板の電極と半導体チップなどの電気素子のバンプとを、重合開始剤として有機過酸化物を含有する速硬化性の熱硬化性接着剤を介して、ハンダによる金属結合を形成するために加圧ボンダーで加圧して接続して製造する場合に、ハンダが濡れ広がりすぎず、また、配線基板と半導体チップとの間の接着剤を十分に排除でき、良好な接続信頼性を得られる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の電極及び／又は電気素子のバンプの少なくとも一部が溶融温度Ｔｓ（℃）のハンダから構成されている当該配線基板の電極と電気素子のバンプとを、重合開始剤として１分間半減期温度Ｔ１（℃）の有機過酸化物とを含有するアクリル系熱硬化性接着剤を介して、圧着温度Ｔ２（℃）で加圧ボンダーで電気素子側から加圧することにより接続して接続構造体を製造する際に、以下の式（１）及び（２）を満足するようにする。
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【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が２体積％以上３０体積％以下であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の破損を抑制すること。
【解決手段】上面に凹部１８を備える基板１０の前記凹部１８内に第１半導体素子３０を実装する工程と、前記第１半導体素子３０の上面上に弾性体４０を配置する工程と、第２半導体素子５０の下面が前記弾性体４０の上面に接するように前記第２半導体素子５０の上面に荷重をかけて前記第２半導体素子５０を前記基板１０に接合する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化後の２３℃における引張貯蔵弾性率が１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制できる回路基板を提供すること。
【解決手段】導電体が貫通する第一絶縁層２１と、第一絶縁層２１の一方の側に設けられ、導電体に接続された第一回路層２２と、この第一回路層２２を被覆するとともに、第一回路層２２の一部を露出させるための開口が形成された第二絶縁層２３と、第二絶縁層２３の開口内に設けられ、開口から露出する第一回路層２２の一部と接触する金属層２７とを備え、金属層２７は、第一回路層２２側から、厚さが０μｍ以上、５５μｍ以下の銅を含む金属層（ａ）２７１、厚さが２μｍ以上、１５μｍ以下のニッケルを含む金属層（ｂ）２７２、厚さが３μｍ以上、３０μｍ以下の錫を含む金属層（ｃ）２７３がこの順に構成されている回路基板１である。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＦ方式又はＳＯＦ方式で組み立てられた半導体装置に対する液状封止樹脂組成物の流入挙動を観測する方法を提供すること。
【解決手段】耐熱性フィルム基板３上の回路と該回路上に搭載される半導体素子１又はその他の電子部品との接続部が２個以上存在し、前記接続部へ液状封止樹脂組成物５を流入及び硬化させて組み立てられる、ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）方式又はＳＯＦ（システム・オン・フィルム）方式の半導体装置において、前記接続部への液状封止樹脂組成物の流入挙動を観測する方法であって、半導体装置の耐熱性フィルム基板の下部に透明ヒーター４を配置し、前記透明ヒーターの下部より半導体装置下部越しに前記接続部を観測すると同時に前記接続部に液状封止樹脂組成物を供給することを特徴とする、液状封止樹脂組成物の流入挙動観測方法。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルに生成された気泡にバンプ電極のはんだが流れ込み、バンプ電極間の短絡事故が発生することを防止する回路基板を提供する。
【解決手段】基板表面に形成されたソルダーレジスト膜１４には、パッド１２の表面を露出させるための開口１４ａが開けられており、開口１４ａから、搭載される半導体デバイスの外周部に向かう方向に伸びる第１の溝１４ｂが形成される。第１の溝１４ｂは、ソルダーレジスト膜１４に凹部として形成されたものであり、他の部分よりも膜厚が薄くなされた箇所である。第１の溝１４ｂのパッド側と反対側の先端部には、対角線上に位置するパッドから伸びる第１の溝の場合を除いて、第１の溝１４ｂと直交する方向に伸びる第２の溝１４ｃが連結されている。第２の溝１４ｃも、ソルダーレジスト膜１４に凹部として形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】 細幅の接着フィルムを基板の端子部に効率的に貼り合わせる。
【解決手段】リール４に巻回されたリール体５から引き出された積層体３を長さ方向（Ｌ）に裁断し、積層体３は、剥離基材２上に異方性導電フィルム１が積層された構造であり、積層体３の幅（Ａ）と、積層体３を裁断した積層体６の幅（Ｂ）とが、０．１×Ａ≦Ｂ≦０．９×Ａなる関係を満たすように積層体６を形成し、積層体６を基板７に貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】フィレット検査において、隣接する部品の影響を受けずに、半導体素子側面に形成されたフィレットの高さを高精度に検査することを可能にする。
【解決手段】半導体素子２の上面を光らせる面光源７と、半導体素子２の側面のフィレット８部分を光らせるライン状光源６とにより、検査対象の半導体装置１を照射する。半導体装置１に対して斜めに設置されたカメラ５により、半導体素子２の側面に這い上がったフィレット８の高さを計測するための検査画像を撮像する。撮像された検査画像を用いて、半導体素子２の上面と側面との境界を基準にして、フィレット８の高さを計測する。 （もっと読む）

【課題】 接触熱抵抗を考慮してヒーター制御を行うことにより、半導体ウエハ同士の接合面の温度を制御するようにして、より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる加熱加圧システムを提供する。
【解決手段】 加熱加圧システム（７０）は２つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の一方を加熱する第一のヒーター部（ＨＴ）と、他方を加熱する第二のヒーター部（ＨＴ）と、物体の加熱加圧の条件を入力する入力部（９２）と、入力された条件に基づいて二つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の接合面の温度が目標温度になるように第一のヒーター部及び第二のヒーター部をそれぞれ制御する温度制御部（９６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
保存安定性に優れ、かつフリップチップ接続をした際にボイドの発生が充分に抑制され、良好な接続信頼性を得ることができる半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤、フラックス剤を必須成分とし、硬化促進剤が４級ホスホニウム塩である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】実装基板にうねりがあったり、実装基板のパッド電極に高低差があっても、半導体チップの電極を信頼性高く接続できるようにする。
【解決手段】ステージ１上にパッド電極３を有する回路基板２が固定され、加圧ツール７により吸着・把持された半導体チップ４が、回路基板２上に搭載される。加圧ツール７には、半導体チップを弾性的に押圧することのできる弾性体突起７ｂが形成されている。回路基板２−半導体チップ４間には熱硬化性樹脂６が充填されており、加圧ツール７上にはこの熱硬化性樹脂６を硬化させるための赤外線を放射する光源８が設置されている。光源８から放射された光は、ミラー９により反射された後、加圧ツール本体７ａの中央部に開けられた開口７ｃを通過して半導体チップ４の裏面に照射される。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーおよび半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに工程が簡便である半導体ウエハー接合体を製造し得る半導体装置の製造方法および半導体装置、また、接続信頼性の高い電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】半導体ウエハー２１０と、半導体ウエハー２２０との間に、樹脂組成物６１と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔６２とから構成される積層構造を有する導電接続材料を介在させ、さらに、加熱することにより、金属箔を溶融し、半導体ウエハーの接続電極２１２，２２２の間に金属箔を凝集、固化させ、さらに、樹脂組成物を硬化または凝固させて、半導体ウエハーと半導体ウエハーとを固着させることにより達成することができる。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー性及び接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする接着剤組成物及びそれを用いた回路部材接続用接着剤シートを提供すること。
【解決手段】本発明は、（ａ）芳香環を有し、エポキシ当量が１００〜２５０ｇ／ｅｑである第１のエポキシ樹脂と、（ｂ）芳香環を有し、エポキシ当量が３００〜１３００ｇ／ｅｑである第２のエポキシ樹脂と、（ｃ）マイクロカプセル型の硬化促進剤とを含む接着剤組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を回路基板に実装した後にアンダーフィル樹脂を充填する必要がなく、耐落下衝撃性を向上できる半導体部品の実装方法を提供する。
【解決手段】はんだ粒子及びフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物１を用いて半導体部品２と回路基板４とを接合する接合部６を設ける半導体部品２の実装方法に関する。熱硬化性樹脂組成物１を回路基板４の電極５ごとに塗布する。熱硬化性樹脂組成物１を被覆するように、フラックス成分を含有しない封止材９を塗布する。熱硬化性樹脂組成物１及び封止材９が共に未硬化状態のまま、半導体部品２の端子３と回路基板４の電極５とが対向するように半導体部品２と回路基板４とを重ねて加熱する。熱硬化性樹脂組成物１を硬化させて、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部７と、はんだ部７の周囲を被覆する樹脂硬化部８とで形成される接合部６を設ける。封止材９を硬化させて、接合部６の周囲を封止する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面に接着層を貼り付けた状態でウエハを分割するときに、切削屑などが接着層に付着することを防止する。
【解決手段】電子部品が形成されたウエハの表面に、基材と接着層とが積層されてなる接着フィルムを貼付する貼付段階と、ウエハの表面で反射して基材および接着層を透過した光を受光することにより、ウエハの表面の画像を撮像する撮像段階と、画像に基づいて、ウエハを分割する位置を決定する分割位置決定段階と、ウエハを分割して電子部品を個片化する分割段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】溶融状態の金属材料を選択的に端子上に凝集させることができないことに起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、この樹脂組成物層１１、１３に接合される金属層１２とを備える積層体により構成されるものであり、第１の樹脂組成物層１１は、その粘度が、第２の樹脂組成物層１３の粘度より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を用いることなく、高密度な端子であっても高いパターニング精度で端子の表面に半田層を形成することができる半田層の形成方法、かかる半田層の形成方法により形成された半田層を用いた端子間の接続方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半田層の形成方法は、樹脂組成物層１１、１３と金属層１２とを備える積層体により構成される導電接続シート１を用いて、インターポーザー（基材）３０に設けられた端子４１の表面に半田層８５を形成する方法であり、インターポーザー３０の端子４１が設けられている面側に、導電接続シート１を配置する第１の工程と、導電接続シート１を加熱して、溶融状態の金属層１２を、端子４１の表面に選択的に凝集させた後に冷却することにより、端子４１の表面に半田層８５を形成する第２の工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）