【課題】硬化性樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を用いて支持体と被着体との接続を行う電子部品の製造方法において、樹脂層の硬化物中に空隙が発生し難い電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１０の第一の端子と、被着体２０の第二の端子とを、半田又は錫を用いて接合して該支持体と該被着体とを電気的に接続する電子部品の製造方法であって、接合される該第一の端子と該第二の端子との間に、硬化性樹脂組成物と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ前記硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、加圧流体７により加圧しながら前記硬化性樹脂組成物を硬化させる加圧硬化工程とを順に行う。 （もっと読む）

【課題】ボンディング時にバンプ間にボイドを生じにくく、耐リフロー性及び信頼性に優れた半導体装置を製造するために用いることのできる接着剤組成物を提供する。また、該接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性化合物と、前記熱硬化性化合物と反応可能な官能基を有するポリマーと、熱硬化剤とを含有する接着剤組成物であって、ボンディング温度での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下であり、ボンディング温度でのゲルタイムが１０秒以上であり、かつ、２４０℃でのゲルタイムが１秒以上１０秒以下である接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の昇温を効率的に行なうことで半導体装置をフリップチップ接続する際の位置ずれや接続不良の発生を低減した半導体装置の接合装置を提供する。
【解決手段】上型ブロック１０は、基板保持プレート４に支持された基板１にクランプ面１０ａを近接させて輻射熱により基板１及び半導体装置３を予備加熱し、当該基板１が基板保持プレート４に支持されままクランプ面１０ａを半導体装置３に押し当てて絶縁性接着剤２を硬化させると共に半導体装置３のバンプ３ａを基板端子部１ａと接合させる。 （もっと読む）

【課題】回路基板上の複数の回路によって生じる凹凸を良好に埋め込むことができる接着フィルムを提供すること、および、このような接着フィルムを用いた半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明の接着フィルムは、半導体チップまた半導体パッケージを、回路が形成された回路基板に実装する際に用いられ、フラックス機能を有する接着フィルムであって、接着フィルムを前記回路基板の前記回路が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、接着フィルムに掛ける圧力をＰ［Ｐａ］、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０^３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０^９の関係を満足し、前記貼り付け温度Ｔは、６０〜１５０℃、前記圧力Ｐは、０．２〜１．０ＭＰａ、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度ηは、０．１〜１００００Ｐａ・ｓであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのダイシング工程から半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用することができるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供すること。
【解決手段】 基材上に粘着剤層を有するダイシングテープと、該粘着剤層上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、フリップチップ型半導体裏面用フィルムが、黒色顔料を含有しているダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、接続端子間において良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることが可能で、且つ生産性に優れるダイシングシート機能付き導電接続材料を提供すること。また、本発明の別の目的は、上記導電接続材料を用いて電気的に接続されてなる、半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシングシート機能付き導電接続材料は、ダイシングシートと、導電接続材料とが積層されてなるダイシングシート機能付き導電接続材料であって、前記導電接続材料が、樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有することを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載のダイシングシート機能付き導電接続材料の導電接続材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能なアンダーフィル形成用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、を含有し、上記（Ａ）熱可塑性樹脂がビスフェノールＡ、Ｆ共重合型フェノキシ樹脂を含む、アンダーフィル形成用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド２１と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド２１の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド２２を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極パッド間の距離の縮小や半導体素子のサイズを拡大することなく多ピン化への対応が可能となり、回路コア部の電源の出力電圧が降下するＩＲドロップ現象を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子３の回路形成領域４の外周部に外周部電極パッド５が形成され、各外周部電極パッド５に外周部バンプ１０が形成され、回路形成領域４の範囲内に内部電極パッド１４が形成され、内部電極パッド１４に内部バンプ１６が形成され、フリップチップ実装により、半導体素子３と半導体基板との間にエポキシ系樹脂材を介在させて、各外周部および内部バンプ１０，１６と半導体基板の各配線電極部とが接続される。 （もっと読む）

【課題】ベアチップがフリップ実装された回路基板であるフリップ実装体の製造方法において、その生産性を向上すること。
【解決手段】ベアチップがフリップ実装されるべき実装領域が複数用意された配線基板の実装領域のそれぞれにペースト状のアンダーフィル材を塗布する工程と、アンダーフィル材を介して配線基板上にベアチップを位置合わせして圧接するとともに加熱してアンダーフィル材を半硬化させるベアチップ仮固定を実装領域のそれぞれについて行う工程と、配線基板上の複数のベアチップを一括して該配線基板の側に押し付けるように、配線基板を上下からプレス手段で押圧するとともに、加熱してアンダーフィル材を半硬化の状態から硬化の状態に移行させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする接着剤組成物、それを用いた接着剤シート、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、（Ｅ）有機微粒子と、を含む、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置の製造時又は製造後において、半導体装置に含まれるはんだの溶融時における移動の防止を図った半導体装置の製造方法及びその方法により製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体チップが実装される基板の電極にはんだ部を形成する工程と、はんだ部の頭頂部分が露出するような厚さで基板上に樹脂層を塗布する工程と、樹脂層を硬化させる工程と、半導体チップの実装領域にわたって熱硬化性のアンダーフィル材を供給する工程と、半導体チップをはんだ部に向かい合わせて搭載する工程と、アンダーフィル材及びはんだ部を加熱する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
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【課題】電子部品の機械的な接続強度を向上し信頼性の向上した電子部品の実装方法および実装装置を提供する。
【解決手段】電子部品の実装方法であって、プリント回路基板１０の配線パターン上に電子部品１６を実装し、少なくともプリント回路基板と電子部品との間および電子部品の周囲に、熱硬化性樹脂および磁性体粉末２２を含む接合材２０を充填し、接合材を加熱し硬化させて、電子部品を接合材によりプリント回路基板に接合し、加熱による接合材の硬化の間に、電子部品が実装されたプリント回路基板を、対向配置された電磁石５２ａ、５２ｂの間に配置して接合材に磁力を印加し、磁力により接合材内における磁性体粉末の分散状態を制御する電子部品の実装方法。 （もっと読む）

【課題】接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、第１の接続対象部材２の上面２ａに、導電性粒子５を含む異方性導電材料を塗布し、異方性導電材料層３Ａを形成する工程と、異方性導電材料層３Ａに光を照射することにより、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層３Ｂの粘度が２０００〜３５００Ｐａ・ｓの範囲内であるように、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化する工程と、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの上面３ａに、第２の接続対象部材４をさらに積層する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】はんだボールと半導体パッケージおよび回路配線基板側との接合部に応力集中が生じないようにする。
【解決手段】同一平面上にはんだボール１５を配列した半導体パッケージを回路配線基板１７に載置してリフロー加熱により両者をはんだ接合し、半導体パッケージと回路配線基板１７との間に熱膨張性を有するアンダーフィル材１９を充填する。アンダーフィル材１９を硬化するときの加熱温度をはんだボール１５の溶融温度よりも高くすることで、はんだボール１５を溶融しながらアンダーフィル材１９を膨張させる。これにより、半導体パッケージが持ち上げられ、はんだボール１５は、引き延ばされて円柱状の形状に変形される。この変形により、はんだボール１５との接合部に応力が集中することのない形状になり、耐クラック性が向上し、接合部の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板にフリップチップ接続する際に、接着強度を良好にしつつ、アンダーフィル樹脂のフィレット形状が安定的に均等になるようにする。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２上にフリップチップ接続された半導体チップ１３０と、基板１０２と半導体チップ１３０との間に形成され、フィレット１２０ａを含むアンダーフィル樹脂１２０とを含む。アンダーフィル樹脂１２０は、半導体チップ１３０と平面視で重なる領域の少なくとも一部において第１の樹脂層１２２と第２の樹脂層１２４とが積層された構成を有し、第１の樹脂層１２２と第２の樹脂層１２４の少なくとも一方は、半導体チップ１３０と平面視で重なる領域とフィレット１２０ａとにわたって形成されている。 （もっと読む）

【課題】バイトを用いた切削加工時にはバイトの磨耗を抑制し、ダイシング時には半導体チップの端部で生じる接着剤層の浮き及び欠けを抑制して、半導体装置の高信頼性を実現することのできる接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装に用いるための接着剤層付き半導体チップの製造方法であって、ウエハ上のバンプが埋もれるように接着剤層を形成する工程と、前記バンプの表面と前記接着剤層の表面とが連続して平坦となるように、バイトを用いた切削加工により前記バンプ及び前記接着剤層を表面平坦化する工程と、表面平坦化された前記接着剤層を有する前記ウエハをダイシングする工程とを有し、前記表面平坦化する工程を、該表面平坦化する工程における加工環境温度よりも２５℃高い温度に置いたときの前記接着剤層の弾性率が５ＭＰａ以上となる条件下で行い、前記ダイシングする工程を、該ダイシングする工程における加工環境温度よりも２５℃高い温度に置いたときの前記接着剤層の弾性率が３００ＭＰａ以下となる条件下で行う接着剤層付き半導体チップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】実装後の回路基板と固体撮像素子との熱収縮差に起因する固体撮像素子の反りを容易に低減することができること。
【解決手段】本発明の一実施の形態において、撮像ユニット１は、固体撮像素子２を実装するプリント基板３と、このプリント基板３と同じ熱膨張係数を有するダミー基板４とを備える。ダミー基板４は、プリント基板３に実装した状態の固体撮像素子２をこのプリント基板３と協同して挟むように固体撮像素子２に固定される。 （もっと読む）

【課題】樹脂パッケージを用いることなく、集積回路素子とリードの接着強度を保つことができ、生産性のよい圧電デバイスと、この圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】脚部とこの脚部の両端に搭載部と外部接続部とが設けられたリードであって、この前記リードに設けられた前記搭載部の一方の主面に集積回路素子が搭載される集積回路素子搭載工程と、前記リードに設けられた前記搭載部の他方の主面に部品素子が搭載される部品素子搭載工程と、前記リードの一方の主面に搭載された前記集積回路素子と、前記リードに搭載された前記部品素子との間に樹脂を流し込み、硬化させる樹脂充填工程と、からなることを特徴とする圧電デバイスの製造方法、及びこの圧電デバイスの製造方法で製造される圧電デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アンダーフィルを注入した後に行う別途のリフロー工程を省略することができ、従来と比較して容易に製造することのできる回路基板及び半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明の回路基板は、半導体チップと電気的に連結されるパターン部１１２が一面に形成された基板部１１０と、パターン部１１２が外部に露出するように基板部１１０上に形成され、半導体チップを実装する際に発生する熱によってパターン部１１２を覆うように流動するアンダーフィル層１３０と、基板部１１０とアンダーフィル層１３０との間に形成され、基板部１１０に形成された回路パターンを保護するためのソルダーレジスト層１２０とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）