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Fターム[5F044RR19]の内容

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【課題】 半導体素子の実装時に半導体素子と被着体との電気的接続を良好に行い、接続信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、アンダーフィル材を備える封止シートを準備する工程と、半導体ウェハの接続部材形成面と上記封止シートとを貼り合わせる工程と、上記半導体ウェハをダイシングして上記半導体素子を形成する工程と、上記被着体と上記半導体素子の間の空間をアンダーフィル材で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する工程とを含み、上記接続工程は、上記接続部材と上記被着体とを下記条件(1)の温度α下で接触させる工程と、上記接触した接続部材を上記被着体に下記条件(2)の温度β下で固定する工程とを含む。
条件(1):接続部材の融点−100℃≦α<接続部材の融点
条件(2):接続部材の融点≦β≦接続部材の融点+100℃ (もっと読む)


【課題】経時的に安定な可撓性を有するとともに、カルボン酸によるフラックス機能を十分に発揮し得るシート状封止組成物及びこれを用いる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シート状封止組成物2は、重量平均分子量が10万以上の熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、pKaが3.5以上であるカルボキシル基含有化合物であり、半導体ウェハ3をダイシングした該シート状封止組成物付きの半導体素子からなる半導体装置20の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ボイドの発生を抑制し、かつ、半導体チップ上面への這い上がりを生じにくい電子部品用接着剤を提供する。また、該電子部品用接着剤を用いた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、無機充填剤とを含有する電子部品用接着剤であって、25℃でE型粘度計を用いて測定した5rpmでの粘度をA1(Pa・s)、0.5rpmでの粘度をA2(Pa・s)としたとき、A1とA2/A1とが図1の実線及び破線で囲まれた範囲内(ただし、実線上は含むが破線上は含まない)であり、前記硬化性化合物100重量部に対して、前記硬化剤の配合量が5〜150重量部、前記無機充填剤の配合量が60〜400重量部である電子部品用接着剤。 (もっと読む)


【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物4b及び導電粒子5を含有する導電性接着剤層3bと、接着剤組成物4aを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層3aと、を備え、絶縁性接着剤層3aの厚みTiと、導電性接着剤層3bの厚みTcとが、下記式(1)の関係を満たす回路接続用接着フィルム10に関する。
Ti/Tc≧1.5 ・・・(1) (もっと読む)


【課題】接着剤が付着した半導体チップ個片を効率的に得ると共に、半導体チップと配線基板とを良好に接続する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、半導体ウェハ6の回路面6aがダイシングテープ9側を向くように、ダイシングテープ9、接着剤層3及び半導体ウェハ6がこの順に積層された積層体60を準備する。半導体ウェハ6の裏面6bから回路面6aの回路パターンPを認識することによってカット位置を認識する。少なくとも半導体ウェハ6及び接着剤層3を、積層体60の厚み方向に切断する。切断後、ダイシングテープ9と接着剤層3とを剥離させることによって半導体チップ26を作製する。この半導体チップ26の突出電極4と、配線基板40の配線12とを位置合わせする。配線12と突出電極4とが電気的に接続されるように、配線基板40と半導体チップ26とを接着剤層23を介して接続する。 (もっと読む)


【課題】ボイドを抑制して高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップを、接合材を介して基板上に位置合わせする位置合わせ工程と、半田溶融点よりも低い温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを接触させ、かつ、前記接合材を完全には硬化させない接触工程と、完全には硬化していない前記接合材を、加圧雰囲気下で加熱してボイドを除去するボイド除去工程と、半田溶融点以上の温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを溶融接合させる電極接合工程とを有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ICチップのプロセスばらつきによって高周波特性がばらついた場合でも、回路特性を最適化できるICチップを基板にフリップチップ実装する無線装置を提供する。
【解決手段】無線装置は、マイクロ波、ミリ波帯の電力増幅器用高周波ICチップ100、バンプ102、入力端子103、出力端子104、基板105、アンダーフィル106、プロセスばらつき検出部110を有する。プロセスばらつき検出部は、プロセスばらつきによる回路特性の変動量をモニタし、モニタされた回路特性の変動量を用いて、算出されたパラーメータを有するアンダーフィル106が、基板105とミリ波帯の電力増幅器用高周波ICチップ100との間に充填されることで、プロセスばらつき及びアンダーフィルの影響があっても、所望の回路特性が得られる無線装置を提供できる。 (もっと読む)


【課題】高い機械的強度を得ることができると共に、塗布形状の保持性を高く得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子2を基板3に実装して形成された半導体装置4に関する。室温で液状のエポキシ樹脂組成物1を前記半導体素子2の周囲又はその一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子2と前記基板3とが接着されている。前記半導体素子2と前記基板3との隙間の全体にわたって充填させないようにしている。前記エポキシ樹脂組成物1が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する。前記無機充填材として、平均アスペクト比が2〜150の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物1全量に対して0.1〜30質量%含有されている。前記エポキシ樹脂組成物1のチクソ指数が3.0〜8.0である。 (もっと読む)


【課題】二段階の加熱を行う異方性導電接着剤を用いて基板に半導体チップを接続する場合に、基板や半導体チップを含んで構成される接続構造体の生産効率の向上を図るための接続構造体の製造装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】プレヒートエリアAでは、異方性導電接着剤3の内部に存在する気泡を脱泡させる等のために接続構造体Wを第1温度で加熱するための予備加熱作業が行われ、圧着加熱エリアでは、半導体チップを基板1及び異方性導電接着剤に向かって加圧するとともに、異方性導電接着剤を加熱硬化させるために接続構造体Wを第1温度よりも高い第2温度で加熱するための圧着加熱作業が行われ、圧着加熱エリアにて先行する接続構造体Wについての圧着加熱作業が行われているときに、プレヒートエリアAにて後続の接続構造体Wについての予備加熱作業が行われる。 (もっと読む)


【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第1の基板は、第1の面と第2の面とを有する第1の基材と、第1の基材の第1の面側に設けられた犠牲層と、第1の基材の第1の面と第2の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第1の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第2の基板は、第3の面を有する第2の基材と、第2の基材の第3の面側に設けられたバンプと、第2の基材の第3の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第2の面と第3の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第1の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第1の基材の第1の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】接着フィルムと半導体ウエハとを貼り合わせる際のボイドを抑制し、高い接合信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルムの接着剤層と半導体ウエハとを1cm以下のクリアランスで対向させる工程と、50〜100℃、10000Pa以下の加熱真空下、前記接着フィルムの接着剤層と前記半導体ウエハとを0.1〜1MPaの圧力で貼り合わせる工程と、接着剤層付きの半導体ウエハを得る工程と、前記接着剤層付きの半導体ウエハを接着剤層付きの半導体チップに個片化する工程と、前記接着剤層付きの半導体チップを実装する工程とを有し、前記接着フィルムの接着剤層は、半導体ウエハに貼り合わされる側の表面のプローブタック法で測定したタック値が、貼り合わせ温度において100gf/5mmφ以上である半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 無溶剤の熱可塑性残渣を生成し、その熱可塑性残渣がアンダーフィル成分と反応して熱硬化性樹脂を形成する無洗浄フラックス、を提供すること。
【解決手段】 フラックス活性剤としてジカルボン酸、樹脂成分として平均官能基数が約2.0を有するエポキシのプレポリマー、および粘度調整剤として沸点260度以下の溶剤を含む無洗浄フラックスが、リフロー時にはんだの酸化膜を除去するとともに、ガラス転移温度が100℃以下でアンダーフィル塗布時に液状となる熱可塑性エポキシ硬化物を形成する。粘度調整剤としての溶剤は、リフロー中にそのほとんど全量が揮発し、リフロー後、洗浄することなく、アンダーフィルを塗布する際、その硬化物はアンダーフィルと相溶してアンダーフィルに含まれる硬化剤と反応し、アンダーフィルとともに3次元架橋構造を形成できる。 (もっと読む)


【課題】電子部品に形成された電極端子間距離が狭い場合であっても、隣接する電極端子間を短絡させることなく、しかも容易且つ確実に、回路基板の接続用端子に電子部品の各電極端子を接続させることが可能なハンダ接続シートと、それを用いた電子部品の実装方法を提供すること。
【解決手段】織布または不織布で構成してあり、表裏面を貫通する複数の貫通孔6が所定パターンで形成してあるシート基材4と、貫通孔6の内部に保持され、予めボール状に成形されたハンダ部材8と、を有するハンダ接続シート2である。 (もっと読む)


【課題】 モールドアンダーフィル(Molded Underfill;MUF)工程のマスキングテープ用粘着剤組成物、およびこれを用いたマスキングテープの提供。
【解決手段】 本発明のモールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物およびそれを用いたマスキングテープは、改善されたアクリル離型粘着層を構成することにより、既存のアクリル離型粘着層のPCB表面粘着剤残渣(residue)および封止材(EMC)の種類による表面の跡の問題を改善することができる。これにより、PCB表面への粘着剤残渣を防いで、工程不良率を下げることができ、各種のEMCによる表面の跡の問題を改善してMUF工程に用いられる様々な封止材への適用が可能であるというメリットがある。 (もっと読む)


【課題】 200℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイド発生を抑制し、且つ、基板配線上にメッキされたスズの酸化による導電性物質の生成を抑制する効果を付与することで、高絶縁信頼性を発揮する半導体用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 (a)エポキシ樹脂と、(b)硬化剤と、(c)酸化防止剤と、を含有する、半導体用接着剤組成物であり、前記(c)酸化防止剤がヒンダードフェノール類を含む、半導体用接着剤組成物。 (もっと読む)


【課題】
耐湿信頼性が高く、高温接続条件においてボイド抑制が可能であり、かつフラックス成分を添加することなく、良好なはんだ接合部の形成が可能となる先供給方式に対応した半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を必須成分としており、酸無水物が下記一般式(1)で表されるコハク酸無水物誘導体である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びに該半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。



[式(1)中、Rは炭素数3以上のアルケニル基を表す。] (もっと読む)


【課題】表裏両面に電極を備えた半導体素子が実装される回路基板および半導体モジュールの製造効率の向上。
【解決手段】半導体モジュールは、放熱器と、配線パターンが形成され、表裏両面に電極を有する配線基板と、配線基板の所定面側に配置された半導体素子と、配線基板の所定面上に配置され、半導体素子と配線パターンとを接続するための配線部および配線部を除く他の部分において半導体素子と配線基板との間を絶縁する絶縁接合部を有する接合部と、前記半導体素子の所定面側に配置された電極配線と、前記放熱器に接着されることなく載置された絶縁層と、を備える。接合部は、第1の接合開始温度を有する第1接合層と、第1の接合開始温度とは異なる第2の接合開始温度を有する第2接合層とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの積層数が多くなっても、フィレットの水平方向の拡がりを大きくすることなく最上段の半導体チップの端面までアンダーフィル材を供給でき、半導体装置の大型化、配線基板の汚染、アンダーフィル材の上段の半導体チップ間への充填不良等を防止することができる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置10は、配線基板2と、配線基板2上にフリップチップ接続により多段に積層された複数の半導体素子1a〜1eと、配線基板2の外周部に立設され、半導体素子1a〜1eを囲繞する側壁5と、積層された複数の半導体素子1a〜1eと側壁5との間隙、及び配線基板2と半導体素子1a〜1eの各間隙に充填されたアンダーフィル材6とを具備する。 (もっと読む)


【課題】従来のMPS−C2半導体パッケージに起きる半田材ブリッジとパッケージ反りを抑制可能なフリップチップキャリア、及びこれを用いた半導体実装方法を提供する。
【解決手段】フリップチップキャリア100は、基板110と複数の独立パッドマスク120とを含む。基板110は、上表面111、および、上表面111に設置される複数のパッド112を有する。独立パッドマスク120は、パッド112を覆う。各独立パッドマスク120は、対応するパッド112と貼り付ける感光性粘着層121、及び感光性粘着層121上に形成される透光性の取放素子122を有する。 (もっと読む)


【課題】本明細書では、半導体素子の表面に形成されている電極パッドを従来の半導体装置よりも小型化し得る技術を提供する。
【解決手段】本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体素子20の表面に形成されている信号パッド40と、リードフレーム60の一端側に備えられる爪部62の先端と、を対向させ、次いで、信号パッド40と爪部62の先端とが対向する状態を維持したまま、コンプレッションモールド法によって、半導体素子20と、メインパッド30と、信号パッド40と、リードフレーム60の一端側と、ボンディングワイヤ70の一端側とをモールド樹脂で封止する。コンプレッションモールドでは、その成形圧力によって爪部62の先端を信号パッド40方向に付勢することで、リードフレーム60と信号パッド40とを電気的に接続させる。 (もっと読む)


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