気相成長（金属層を除く） (114,827)

成長法 (11,750)
成長層の組成 (12,584)
導入ガス (14,721)
成膜条件−成膜温度 (8,040)
成膜条件−成膜時の圧力 (3,707)
被成膜面の組成、基板の特徴、ダミー基板、マスク (7,328)
課題
目的 (9,309)
半導体素子等への用途 (4,120)
機能的用途 (171)
半導体成長層の構造 (3,415)
半導体層の選択成長 (353)
絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長 (341)
装置の形式（基板支持の形態、成膜中の基板の運動） (6,825)
装置の形式（成膜室の形態） (3,439)
成膜装置
成膜一般 (2,888)
成膜室、配管構造、配管方法 (1,365)
ガス供給・圧力制御 (3,846)
ノズル・整流・遮蔽・排気口 (3,640)
排気・排気制御・廃ガス処理 (776)
プラズマ処理・プラズマ制御 (4,233)
冷却 (927)
加熱（照射）・温度制御 (3,568)
基板支持 (2,457)
搬出入口・蓋・搬送・搬出入 (739)
ガスの導入・排気
制御・測定
測定・測定結果に基づく制御・制御一般 (1,937)
機械加工プロセスとの組み合わせ (190)
他プロセスとの組合せ (2,158)