【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】可視領域の発光スペクトルに関連付けした、紫外領域の各波長の発光強度の予測式を、多変量解析によって算出し、算出した予測式と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルと、を用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し（Ｓ５）、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合（Ｓ６）、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し（Ｓ７→Ｓ８）、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する（Ｓ７→Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】均一な堆積膜を安価に安定して製造可能な、堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】
反応容器と、該反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入する手段と、該クリーニング性ガスを排気する手段と、前記反応容器の内部に基体を設置するための基体ホルダと、該基体ホルダを回転運動又は往復運動させるための軸と、該軸を支持する軸受とを備え、前記軸および前記軸受の摺動面のうち少なくとも一方が固体潤滑材からなる堆積膜形成装置を用いて前記基体の外周面上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、前記基体の外周面上に堆積膜を形成させた後に、前記反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入し、前記軸を回転運動又は往復運動させながらクリーニング処理をおこない、前記クリーニング処理中に前記回転運動又は往復運動の駆動状態を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 安価かつ簡便な手段によって電磁波の漏洩が確実に防止された堆積膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 反応容器の中に導入された原料ガスに反応容器を通じて励起電力を印加して励起種を生成し基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記反応容器は反応容器本体と前記反応容器本体から電気的に絶縁された反応容器構成体とからなり、前記堆積膜形成装置は前記反応容器の外部を取り囲むように配置され且つ接地電位とされた電磁波遮蔽筐体を有し、電磁波遮蔽箔体が前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体との間の空隙を塞ぐように且つ前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体とを電気的に接続するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１００は、高周波電力を発生させる高周波電源６と、高周波電源６から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極２と、高周波電源６とプラズマ生成電極２との間に介在し、伝送路９のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器７と、整合器７とプラズマ生成電極２との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路８とを具備し、整合器７は、プラズマとインピーダンス調整回路８とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路８によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 （もっと読む）

【課題】反応管内の異物汚染を抑制可能な半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】処理室内で基板に対し膜を形成する工程と、該膜形成後の処理室内の少なくとも一部に堆積した堆積物を除去する工程とを有し、前記除去工程では、前記堆積物をエッチングする第一ガスを前記処理室内に供給する第１工程と、少なくとも前記第一ガスよりも前記処理室を構成する部材に対するエッチング力が弱いか、若しくは前記部材に対するエッチング力のない第二ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内の圧力を上昇させる第２工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 （もっと読む）

【課題】温度設定の制御を適正化することにより温度安定待ち時間を短縮する。
【解決手段】複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置１の温度制御方法であって、プラズマ処理装置１の処理容器１０内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】
従来に比べて製造が容易であり、かつ基板に向けて原料ガスを均一に供給することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る薄膜を形成する成膜装置は、基板４を配置している第一電極３と、基板４に対向しかつ高周波電圧が印加される第二電極２とを備えており、第二電極２は、基板４に対向する面にシャワー板９を有しているとともに、シャワー板９の基板４に対向する面に一枚のメッシュ板１０を有しており、シャワー板９は、原料ガスを通過させる複数の孔９ａを有しており、メッシュ板１０は、シャワー板９の孔９ａを通過した原料ガス５を通過させるためのメッシュ構造を有し、メッシュ板１０と基板４との間にプラズマが発生する空間を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置６０は、シャワーヘッド１６と、処理ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する処理ガス供給部６６と、処理ガス供給部６６からの処理ガスを流す処理ガス供給流路６４と、処理ガス供給流路６４から分岐してシャワーヘッド１６に処理ガスを供給する分岐流路６４ａ，６４ｂと、付加ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する付加ガス供給部７５と、付加ガス供給部７５からの付加ガスをシャワーヘッド１６に流す付加ガス供給流路７６とを具備し、シャワーヘッド１６は、ウエハＷの配置領域にガスを供給する第１、第２ガス導入部５１，５２と、ウエハＷの外縁よりも外側にガスを供給する第３ガス導入部５３とを有し、分岐流路６４ａ，６４ｂは第１、第２ガス導入部５１，５２に接続され、付加ガス供給流路７６は、第３ガス導入部５３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低温領域において適正な特性を有するＳｉＣ系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法，基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてアンテナの長手方向の両端部間に発生する電位差を小さく抑え、それによってプラズマ電位を低く抑えると共にアンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。
【解決手段】 プラズマ処理装置を構成する平面形状が実質的にまっすぐなアンテナ３０は、二枚の矩形導体板３１、３２を同一平面上に位置するように互いに隙間３４をあけて近接させて平行に配置し、かつ両導体板の長手方向Ｘの一方端同士を導体３３で接続した往復導体構造をしている。両導体板３１、３２に高周波電流Ｉ_R が互いに逆向きに流される。かつ両導体板３１、３２の隙間側の辺に開口部３７を形成し、それを複数、アンテナ３０の長手方向Ｘに分散させて配置している。 （もっと読む）