【課題】ＩｎＧａＮを含む半導体の形成で、高品質・高Ｉｎ組成のＩｎＧａＮを含む半導体の形成を可能とする。
【解決手段】
気相成長装置を用いて、基板上に少なくともＩｎＧａＮを含む半導体薄膜を形成する気相成長方法であって、前記気相成長装置内で第一のＮ源とＩｎ源とを反応させ、ＩｎＮ源を生成する第１のステップと、前記気相成長装置内で、第一のＮ源とは異なる第二のＮ源とＧａ源とを反応させ、ＧａＮ源を生成する第２のステップと、前記第１のステップで生成された前記ＩｎＮ源と、前記第２のステップで生成された前記ＧａＮ源とを前記基板上で反応させ、前記基板上に薄膜を形成する第３のステップとを有する気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマからラジカルのみを確実に選択的に通過させることができるラジカル選択装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０のチャンバ１１内において、載置台１２に載置されたウエハＷ及びプラズマジェネレータ１３の間に配置されるラジカルフィルタ１４は、上部シールドプレート１７と、プラズマジェネレータ１３との間に上部シールドプレート１７を介在させるように配置される下部シールドプレート１８とを備え、上部シールドプレート１７は当該上部シールドプレート１７を厚み方向に貫通する複数の上部貫通孔１７ａを有し、下部シールドプレート１８は当該下部シールドプレート１８を厚み方向に貫通する複数の下部貫通孔１８ａを有し、上部シールドプレート１７には負の直流電圧が印加され、下部シールドプレート１８には正の直流電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】基板上に効率よく三族窒化物半導体の膜を生成し、かつ生成膜の均一性を向上させる。
【解決手段】窒化物半導体結晶成長装置１００は、窒素含有ガス供給口８と三族金属含有ガス供給口９と、窒素含有ガス６を分解して活性種を生成する触媒材料１と、を備えており、触媒材料１は、窒素含有ガス供給口８の内部等に設けられており、窒素含有ガス供給口８および三族金属含有ガス供給口９は、何れも基板面に正対している。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを大量に活性化させ、かつ失活させずに供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持する基板支持体３と、触媒板５と、触媒板５に接触させて活性化させる第１処理ガスを供給する第１処理ガス供給部７０aと、触媒板５を誘導加熱する誘導加熱コイル６とを備え、基板支持体３は、触媒板５の一面側に配され、誘導加熱コイル６は、触媒板５の他面側に配され、触媒板５は、処理室１を、誘導加熱コイル６側の第１空間及び基板支持体３側の第２空間に隔てる。 （もっと読む）

【課題】材料品質が高く、電子装置、光電子装置、光電池装置への使用に好適なIn(x)Al(y)Ga(1-x-y)N層を成長させる方法を提供する
【解決手段】In_(x)Al_(y)Ga_(1-x-y)N層（なお、ｘは０より大きく１以下であり、ｙは０以上１以下であり、ｘとｙとの和は１以下である）を成長させる成長方法である。上記成長方法は、上記In_(x)Al_(y)Ga_(1-x-y)N層の窒素源として、プラズマ活性窒素原子を成長表面に供給し、インジウム原子と窒素含有分子とを同時に上記成長表面に供給し、上記成長表面に供給される上記プラズマ活性窒素原子のフラックスは、上記成長表面に供給されるアルミニウム原子のフラックスとガリウム原子のフラックスとの合計値の少なくとも４倍以上であり、上記アルミニウム原子のフラックスまたは上記ガリウム原子のフラックスとの何れかが０であってもなくてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームと平行に原料ガスをウェハに導入でき、ウェハ上に形成される膜の面内均一性を向上することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】コイル１８によって希ガスを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生部１２から中性粒子を取り出して反応室１０内のウェハ１４に向けて導入できる複数の開口２２ａを有するカソード電極２２と、ウェハ１４の直上から前記中性粒子と平行に原料ガスをウェハに供給するガス供給部３１と、を具備するＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）

【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。
【解決手段】ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。プラズマ生成管１１の外側には、円筒形のＣＣＰ電極１３が配置されていて、ＣＣＰ電極１３よりも下流側には、プラズマ生成管１１の外周に沿って巻かれたコイル１２を有している。供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じてプラズマの電子エネルギー分布を容易に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。このプラズマ処理装置１０では、移動機構１７２により操作棒１７１を長手方向に動かし、高周波アンテナ１６とプラズマ制御板１７の間の距離を調整するだけで、プラズマ生成室１２内で生成されたプラズマの電子エネルギー分布を制御することができるため、解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じたプラズマ処理を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスが早期にプラズマ化することで、被処理体に対する成膜などの処理が良好になされないのを改善する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ、チャンバ内に設けられたプラズマ発生源、チャンバ内で被処理体を支持する支持台、プラズマ発生源と前記支持台との間に配置されてプラズマ発生源側空間と被処理体が配置される前記支持台側空間を隔てる仕切材、支持台側空間にプロセスガスを供給するプロセスガス導入部、を備えることで、プロセスガスをプラズマ源近傍を通すことなく、基板近傍にのみ流すことができ、そのガスは基板近傍でプラズマにより分解され、より多くのラジカルを基板表面に到達させることができ、例えばＣＶＤプロセスの場合、ＳｉＨ_３ラジカルがより多く基板表面まで到達することになり、それにより欠陥密度の少ない良い特性の膜が得られる（光劣化に対して強くなるなど）。 （もっと読む）

【課題】原料ガスと反応ガスとの反応が低下するのを抑制しつつ、成膜速度を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板の上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜室と、薄膜の原料である原料ガスを成膜室に供給する原料ガス供給部と、加熱触媒体を備える容器と、容器の圧力を計測する圧力計と、原料ガスと反応して薄膜を形成するための反応ガスを容器に供給する反応ガス供給部と、圧力計が計測した圧力に基づいて、反応ガス供給部が反応ガスを供給するタイミングを制御する制御部と、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】キャリアのライフタイムを長寿命化した結晶系シリコン基板を提供できる表面処理方法及び当該結晶系シリコン基板を用いて特性が向上した太陽電池セルを製造できる太陽電池セルの製造方法を提供する。
【解決手段】ホスフィンガスと水素ガスとを含む反応性ガスを、加熱された触媒体に接触させることによりラジカルを発生させ、このラジカルを、結晶系シリコンからなる被処理基板５１に供給することにより被処理基板５１の表面処理を行う。当該処理がなされた被処理基板５１には、リンがドープされたｎ^＋型ドープ層５２が形成される。次に、当該ｎ^＋型ドープ層５２にシリコン窒化膜５３を形成する。これにより、被処理基板５１とシリコン窒化膜５３との界面におけるキャリアの寿命が長寿命化する。また、当該処理基板５１を用いて特性が向上した太陽電池セル５０が得られる。 （もっと読む）

【課題】加熱した触媒により処理ガスを活性化し、この処理ガスから生成する活性種を用いて基板に対して処理を行うにあたり、触媒を加熱するための給電部位の断線や短絡を防止すること。
【解決手段】ウエハＷに対向するように島状に複数の棒状体のセラミックヒータ３１処理容器１の天板に固定して配置すると共に、このセラミックヒータ３１の下方側の先端部にガス拡散板１１のガス吐出孔１３に対向するように金属触媒層４４を設けて、セラミックヒータ３１（抵抗発熱線４２）により金属触媒層４４を間接的に加熱して処理ガスを活性化する。 （もっと読む）

【課題】 積層された基板へ供給されるガスの流量と流速とを均一化することで、前記積載された基板に対してガスを均一に供給する。
【解決手段】 複数の基板を収容する反応室を形成する反応管と、反応管の内部に設けられたバッファ室と、反応室内に第１の処理ガスを導入する第１のガス導入部と、バッファ室内に第２の処理ガスを導入する第２のガス導入部と、を備え、第１のガス導入部は第１のガス供給口を有し、第２のガス導入部はガス導入口を有し、バッファ室は、第２の処理ガスを反応室内に供給する複数の第２のガス供給口を有し、第２のガス導入部にリモートプラズマユニットが設けられ、第２の処理ガスが活性化され、活性化された第２の処理ガスが複数の第２のガス供給口から反応室内に供給され、第１の処理ガスと活性化された第２の処理ガスとが交互に複数回供給されて基板の表面に薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】反応炉内に分解付着物が生成しないような構造とすることにより基板上への異物の付着を抑制し、分解付着物の再蒸発によるエピタキシャル薄膜の劣化を抑制でき、かつ反応炉内の分解付着物を取り除くためのメンテナンス回数を削減可能な構造の化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】基板１３を収容した反応炉１１内に、Ｖ族元素を含む原料を供給して、基板１３上に気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャル成長装置１０において、Ｖ族元素を含む原料が分解し、反応炉１１内でその分解付着物が付着する付着部分１７の上流側に水素ラジカルを過剰に含むガスを流すための水素ラジカル供給手段３６を接続した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置、膜の形成方法及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置１００において、制御部は、成膜時の前後の所定の時間において、触媒線１３の温度を待機温度に制御する。待機温度は、成膜時における触媒線１３の温度より低く、かつ、室温より高い所定の温度である。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置の運用方法、該装置を用いる触媒ＣＶＤ法による膜の形成方法、および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置を用いて膜を形成する際の触媒線の通電方法に着目し、触媒線への通電制御を、昇温開始時には定電流制御で行い、成膜時には定電力制御で行うことで触媒線の過加熱による劣化を防止して長寿命化を図る。更に、触媒線の過加熱による成膜時の基板の異常昇温も回避して膜質の異常を防止する。 （もっと読む）

【課題】大電流が触媒線に流された場合でも、触媒線又は触媒線と接続された接続端子からの放電を抑制することができる触媒化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒線６、接続端子１２、及び電源回路８を有する触媒線発熱回路２０を、接地された真空チャンバ３に対して電気的にフローティング状態となるように設ける。仮に触媒線発熱回路２０の電位がグランド電位であると、触媒線６に電力が印加される際に、触媒線６又は接続端子１２から、真空チャンバ３の外壁内面等に向けて放電が発生してしまうことが懸念される。しかしながら、触媒線発熱回路２０はフローティング状態であるので、その電位がグランド電位となることはなく、電源回路８により大電流が触媒線６に流された場合でも、触媒線６又は接続端子１２からの放電を抑制することができる。 （もっと読む）