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Fターム[5F045AB17]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 成長層の組成 (12,584) | 3−5族 (4,971) | 3元混晶 (1,276)

Fターム[5F045AB17]に分類される特許

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【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき(生産揺らぎ)を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】p型電極11とn型電極12の形成後に、静電容量測定手段が、p型電極11とn型電極12間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程(図示せず)と、第1不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、MOCVD手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第1不純物濃度分布制御工程(図示せず)とを有している。 (もっと読む)


【目的】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
結晶成長装置10は、基板15の成長面に対して材料ガスを水平な流れで供給する材料ガス供給管12と、押さえガスを成長面に垂直ないしは材料ガスの下流方向に傾斜した流れで供給する副噴射器20と、を含む。副噴射器20の内部に設けられた遮熱器25は、押さえガスが流入する流入側開口部26aと押さえガスを噴出する流出側開口部26bとを有する枠体26と、枠体26の内部に収容された複数の粒状の充填材27と、を含む。
充填材27は、流出側開口部26bから流入側開口部26aへの見通し経路を形成しないように枠体26の内部に収容されている。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置において、欠陥を減少させ、静電気放電に対する保護能力を高める。
【解決手段】 上面12Aおよび上面12Aに配置された複数のバンプ30を備えた基板1であって、バンプ30の各々が、上面12Aに対して実質的に平行な頂面32および頂面32と上面12Aとの間の複数の壁面34を有するものである基板12、および基板12上に配置されたエピタキシャル層であって、基板12の上面12Aおよびバンプ30の壁面34に実質的に同じ結晶方位を有するエピタキシャル層を備える。また、別の態様において、エピタキシャル層は、基板12上に配置され、実質的に単一の結晶方位を有し、実質的に空隙なく、基板12の上面12Aおよびバンプ30の壁面34を被覆するものであってよい。 (もっと読む)


【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置1は、c面を表面とする窒化物半導体の半導体層13と、厚みが減少する厚み減少部14aを有する窒化物半導体のp型の埋込み層14と、を備える。埋込み層14では、厚み減少部14aの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部14aの傾斜面の間のp型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 (もっと読む)


【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】N面III族窒化物膜を成長させるための方法であって、(a)ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、(b)前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される1つ以上の後続の層に対するN極性配向を設定すること、および、(c)前記層上でN面III族窒化物膜を成長させることであって、前記N面III族窒化物膜は、前記層によって設定されるN極性配向を有することを含む。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子(窒化物半導体素子)1は、主面10aを有する基板10と、n型層20a、n型コンタクト層20bおよびp型層20dを含む半導体層20と、を備える。主面10aはm面に対してa軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層20は、傾斜領域21と非傾斜領域22とを含む。傾斜領域21において、n型層20aおよびn型コンタクト層20bの所定領域上にn電極40が形成されている。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaN・HEMTを実現する。
【解決手段】SiC基板1上に化合物半導体積層構造2を備えたAlGaN/GaN・HEMTにおいて、3層のキャップ層2eを用いることに加え、キャップ層2eのドレイン電極5の近傍(ゲート電極6とドレイン電極5との間で、ドレイン電極5の隣接箇所)に高濃度n型部位2eAを形成し、高濃度n型部位2eAでは、そのキャリア濃度が電子供給層2dのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 (もっと読む)


【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子10では、半導体発光層15は第1導電型の第1半導体層12と第2導電型の第2半導体層14の間に設けられている。網目状の第1電極16は、半導体発光層15と反対側の第1半導体層12上に設けられている。ドット状の第2電極18aは、半導体発光層15と反対側の第2半導体層14上に、第2半導体層14の表面に対して平行な平面視で第1電極16の網目の中心と重なるように設けられている。 (もっと読む)


【課題】AlNからなる半導体表面上に設けられると共に向上されたトランジスタ特性を有するIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】5×10cm−2以下の転位密度を有しAlNからなる半導体表面21a上に、第1のエピタキシャル半導体層13はコヒーレントに設けられる。第2のエピタキシャル半導体層15は、第1のエピタキシャル半導体層13にヘテロ接合23aを成すように第1のエピタキシャル半導体層13上に設けられる。第1のエピタキシャル半導体層13がこの半導体表面21aへのコヒーレントな成長により、第1のエピタキシャル半導体層13は、半導体表面21aの格子定数に合わせて歪んであり、緩和していない。AlNに対してコヒーレントに設けられた第1のエピタキシャル半導体層13により、III族窒化物半導体電子デバイス11のトランジスタ特性が向上可能である。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板は、Si単結晶基板の(111)主面上に形成された窒化ケイ素層、この窒化ケイ素層上に堆積されたAlN結晶層、およびこのAlN層上に堆積された複数のAlGa1−xN(1>x>0)結晶層を含み、これら複数のAlGa1−xN結晶層においてはその下層に比べて上層ほど小さなAl組成比xを有しており、複数のAlGa1−xN層結晶中の一層は非晶質と結晶質が混在するAlN中間層を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板1上に設けられた発光層24を含む化合物半導体層10と、基板1と化合物半導体層10との間に設けられたオーミックコンタクト電極7と、化合物半導体層10の基板1の反対側に設けられたオーミック電極11と、オーミック電極11の表面を覆うように設けられた枝部12bと枝部12bに連結されたパッド部12aとを含む表面電極12と、発光層24のうちパッド部12aと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層24aと、パッド部12aと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層24との間に設けられ、パッド下発光層24aに供給される電流を妨げる電流遮断部13とを備える発光ダイオード100とする。 (もっと読む)


【課題】InGaNを含む半導体の形成で、高品質・高In組成のInGaNを含む半導体の形成を可能とする。
【解決手段】
気相成長装置を用いて、基板上に少なくともInGaNを含む半導体薄膜を形成する気相成長方法であって、前記気相成長装置内で第一のN源とIn源とを反応させ、InN源を生成する第1のステップと、前記気相成長装置内で、第一のN源とは異なる第二のN源とGa源とを反応させ、GaN源を生成する第2のステップと、前記第1のステップで生成された前記InN源と、前記第2のステップで生成された前記GaN源とを前記基板上で反応させ、前記基板上に薄膜を形成する第3のステップとを有する気相成長方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板に元々付着していた不純物及び成長炉内の不純物を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を成長炉内に搬入する搬入工程と、該基板の上と該成長炉の内壁に、該基板表面と該成長炉内の不純物を吸収する不純物吸収層を形成する吸収層形成工程と、該不純物吸収層と、該基板の一部とをエッチングすることで該基板を薄化基板にするエッチング工程と、該薄化基板の上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、該バッファ層の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】オフ角を有するSi基板を用いて、反りが小さく結晶性の高い窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】(111)結晶方位面に対して2.0°以上6.0°以下のオフ角を有するSi基板Wと、Si基板W上に形成されAlN単結晶層20a上にAlGa1−xN単結晶層(0<x<1)20bが積層された第一バッファ領域Aと、第一バッファ領域A上に形成され厚さが300nm以上450nm以下のAlGa1−yN単結晶(0≦y<0.1)からなる第1単層30aと厚さが5nm以上20nm以下のAlGa1−zN単結晶(0.9<z≦1)からなる第2単層30bとが交互に複数積層された第二バッファ領域Bと、第二バッファ領域B上に形成された窒化物半導体活性層50と、からなる窒化物半導体基板Z。 (もっと読む)


【課題】Ga基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ga基板2と、Ga基板2上のAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、酸素を不純物として含むAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含む結晶積層構造体1を提供する。窒化物半導体層4のGa基板2側の200nm以上の厚さの領域4aの酸素濃度は、1.0×1018/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】平坦な表面を有し、結晶性の高い窒化物半導体下地層を、反りを抑えて、大きな成長速度で成長させることができる窒化物半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第3の窒化物半導体下地層を形成する工程において、第3の窒化物半導体下地層の成長時に単位時間当たりに供給されるV族原料ガスのモル量と単位時間当たりに供給されるIII族原料ガスのモル量との比であるV/III比を700以下とし、第3の窒化物半導体下地層の成長時の圧力を26.6kPa以上とし、第3の窒化物半導体下地層の成長速度を2.5μm/時以上とする、窒化物半導体構造の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】GaNを用いた縦型の電界効果トランジスタにおいて、素子の作製にコストの上昇を招くことなく、ドレイン電流密度を大きくできるようにする。
【解決手段】GaNからなるチャネル層101と、GaNより大きなバンドギャップエネルギーを有してアルミニウムを含む窒化物半導体から構成されてチャネル層101の一方の面に形成された障壁層102を備える。ここで、チャネル層101の一方の面は、N極性面とされ、他方の面はIII族極性面とされていればよい。また、チャネル層101の他方の面に形成されたドレイン電極103と、ドレイン電極103に対向して障壁層102の上に形成されたゲート電極104と、ゲート電極104と離間して障壁層102の上に形成されたソース電極105とを備える。 (もっと読む)


【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO2パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。第1下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第1ドープ層は、第1下側層の上に設けられ第1下側層の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm−3以上1×1021cm−3未満の濃度であり第1下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第1上側層は、第1ドープ層の上に設けられ第1ドープ層の格子定数以上で第1下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 (もっと読む)


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