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Fターム[5F045AB32]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 成長層の組成 (12,584) | 無機絶縁層 (3,522) | シリコン酸化膜 (1,376)

Fターム[5F045AB32]に分類される特許

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【課題】膜厚の面間均一性を維持しつつ、膜厚の面内分布が中央凹の分布となることを抑止する。
【解決手段】複数枚の基板を処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を配列させて保持する保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から反応管内に水素含有ガスを供給する第1ノズルと、基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する第2ノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する圧力制御器と、を有し、第1ノズルには複数枚の基板の一枚一枚に対応しないように複数の第1ガス噴出孔が設けられ、第2ノズルには少なくとも複数枚の基板の一枚一枚に対応するように少なくとも複数枚の基板の枚数と同数の第2ガス噴出孔が設けられる。 (もっと読む)


【課題】 安価かつ簡便な手段によって電磁波の漏洩が確実に防止された堆積膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 反応容器の中に導入された原料ガスに反応容器を通じて励起電力を印加して励起種を生成し基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記反応容器は反応容器本体と前記反応容器本体から電気的に絶縁された反応容器構成体とからなり、前記堆積膜形成装置は前記反応容器の外部を取り囲むように配置され且つ接地電位とされた電磁波遮蔽筐体を有し、電磁波遮蔽箔体が前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体との間の空隙を塞ぐように且つ前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体とを電気的に接続するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】 誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてアンテナの長手方向の両端部間に発生する電位差を小さく抑え、それによってプラズマ電位を低く抑えると共にアンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。
【解決手段】 プラズマ処理装置を構成する平面形状が実質的にまっすぐなアンテナ30は、二枚の矩形導体板31、32を同一平面上に位置するように互いに隙間34をあけて近接させて平行に配置し、かつ両導体板の長手方向Xの一方端同士を導体33で接続した往復導体構造をしている。両導体板31、32に高周波電流IR が互いに逆向きに流される。かつ両導体板31、32の隙間側の辺に開口部37を形成し、それを複数、アンテナ30の長手方向Xに分散させて配置している。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、ソレノイドコイル3が、第一石英板4、第二石英板5、及び、複数の石英管6によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。石英管6の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4、第二石英板5、及び、冷媒ケース16によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5と冷媒ケース16とは、ボルト19をタップ18にねじ込むことにより、固定される。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】導電性の筒状部材を真空容器内に配置すると共に、筒状部材での微小放電を抑制するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内周面にアルマイト層31aが形成されたアルミニウムからなる筒状部材31を、金属製の真空容器12の内壁面に沿って配置すると共に、真空容器12の内部の支持台21、22上に処理対象の基板Wを静電吸着して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空容器12の内壁面の全周に渡って形成され、当該内壁面から突設された段差部12aと、段差部12aの上面の全周に渡って配置された弾性変形可能な金属製のチューブリング32とを有し、チューブリング32を介して、筒状部材31を段差部12a上に載置した。 (もっと読む)


【課題】 多段に積層された基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させる。
【解決手段】 積層された複数の基板を収容して処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、を備え、処理ガス供給系は、基板の積層方向に沿って延在し、内部を処理ガスが流れるノズル軸と、上流端がノズル軸の長手方向に沿って配列するようにノズル軸の胴部にそれぞれ接続され、下流側にノズル軸内を流れた処理ガスを分散させて供給するガス供給口がそれぞれ設けられ、上流端と前記ガス供給口との間の距離が、ノズル軸と基板の外縁との間の距離よりもそれぞれ長く構成されている複数のノズルと、を備える。 (もっと読む)


【課題】消費エネルギーを抑制しつつ成膜性能を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハ2を処理室20へ搬入する搬入工程(S1)と、処理室20を排気する排気工程と、処理室20を所定の圧力まで降下する降圧工程(S2)と、複数の処理ガスを供給してウエハ2に膜を形成する成膜工程(S4)と、処理室20を所定の圧力まで上昇する昇圧工程(S7)と、ウエハ2を処理室20から搬出する搬出工程(S8)と、成膜工程(S4)における排気量が、降圧工程(S2)及び昇圧工程(S7)における排気量よりも大きくなるように調整する調整工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマを安定して維持することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】金属膜が形成された基板を収容する真空容器と、電磁波の入射窓を有する誘導結合型のプラズマ発生機構とを備えたプラズマ処理装置により、基板に絶縁膜を成膜するプラズマ処理方法において、Arプラズマ中のイオンにより基板の表面をArスパッタ処理し(S3)、Arスパッタした基板に絶縁膜を成膜し(S4)、基板を真空容器から搬出し(S5)、Arスパッタにより入射窓の内壁に付着した原子を、酸素プラズマ処理により酸化する(S6)。 (もっと読む)


【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第1のガスを第1の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第2のガスを第2の処理領域内に供給し、第1の処理領域及び第2の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第1のガス及び第2のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】結晶性の優れた炭化シリコン膜を形成することができる炭化シリコンからなる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、絶縁膜2を介してシリコン膜3が形成された半導体基板を用意し、炭化シリコン膜6形成予定領域を選択的に被覆するマスク膜5を形成する。このマスク膜5で被覆されない領域のシリコン膜3を酸化し、酸化シリコン膜4を形成する。マスク膜5を除去し、シリコン膜3を露出させ、露出したシリコン膜3を炭化し、炭化シリコン膜6を形成する。その後、炭化シリコン膜6上に炭化シリコンのエピタキシャル成長膜8を形成する。 (もっと読む)


【課題】クリーニングガスによる腐食反応を低減する。
【解決手段】CVD装置の処理炉10におけるマニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31とに第一加熱源61と第二加熱源62と第三加熱源63と第四加熱源64とを敷設し、加熱源61〜64は温度制御部60に接続する。温度制御部60はマニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31との温度をクリーニングガスが多層吸着しない程度の温度となるように制御する。クリーニングガスによる腐食反応を低減できるので、マニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31の定期的交換の頻度を減少でき、CVD装置のメンテナンス性能を向上できる。 (もっと読む)


【課題】複数の処理部を順番に通過させ、複数種類の処理ガスを順番に供給すると共にプラズマ処理を行うにあたり、基板に均一な成膜処理を行うこと。
【解決手段】回転テーブルにおける基板載置領域側の面にプラズマ生成用のガスを供給するガス供給部と、プラズマ生成用のガスを誘導結合によりプラズマ化するために、前記回転テーブルの中央部から外周部に亘って伸びるように当該回転テーブルにおける基板載置領域側の面に対向して設けられたアンテナと、を備えるように装置を構成する。そして、前記アンテナは、前記基板載置領域における回転テーブルの中央部側との離間距離が、前記基板載置領域における回転テーブルの外周部側との離間距離よりも3mm以上大きくなるように配置する。 (もっと読む)


【課題】 低温領域での成膜により基板上に形成された薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 所定の成膜温度で形成された薄膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、処理室内の基板を加熱する加熱部と、加熱部により基板を加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板の表面に供給して基板を処理する際、基板の温度が成膜温度以下の温度となるように、少なくともガス供給部、励起部及び加熱部を制御する。 (もっと読む)


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