【課題】発光特性を向上し、かつ長波長の発光素子を実現する発光素子の製造方法および発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、ＩｎとＮとを含む量子井戸構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の発光素子を製造する方法であって、ＩｎとＮとを含む井戸層１３ａを形成する工程と、Ｎを含み、井戸層よりもバンドギャップが大きいバリア層１３ｂを形成する工程と、井戸層１３ａを形成する工程後、バリア層１３ｂを形成する工程前に、Ｎを含むガスを供給して、エピタキシャル成長を中断する工程とを備えている。中断する工程では、９００℃においてＮ₂およびＮＨ₃から活性窒素へ分解する分解効率よりも高い分解効率を有するガスを供給する。また中断する工程では、井戸層１３ａおよびバリア層１３ｂのＮの供給源と異なるガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の高い微結晶半導体層を形成することを課題とする。また、電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に、窒素を含む絶縁層を形成する。次に、窒素を含む絶縁層上に、シリコンを含む堆積性気体と、窒素を含む酸化気体と、水素とを用い、プラズマを発生させて、酸化珪素層を形成する。次に、酸化珪素層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素とを用い、プラズマを発生させて、微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 液体材料の流量調整用バルブの開閉頻度を低減し、気化器で気化させた原料ガスを高精度に流量制御可能で、該バルブの寿命を延命することができる、液体材料の気化供給システムを提供する。
【解決手段】 加圧供給される液体材料を受け入れて気化させるための気化器４と、気化器４からの流出ガスの流量を調整する流量制御装置５と、気化器４から流量制御装置５に供給されるガスの圧力を検出する圧力検出器６と、気化器４への液体材料の供給を制御する制御弁７と、気化器４内のガス圧が低下して圧力検出器６の検出値が予め設定された閾値以下となったときに制御弁７を開き、制御弁７の開操作によって気化器４内のガス圧が上昇し圧力検出器６の検出値が前記閾値を超えた後の所定の遅延時間経過後に制御弁７を閉じるように制御する制御装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 放電方向に均一な放電を発生させ、放電効率を高める構造を提供すること。
【解決手段】 放電用電極体９，１０は電極２，３と電極２，３を覆う固体誘電体とを備えたものであって、固体誘電体の放電側表面がアルミナと、希土類元素（ＲＥ）を含む酸化物とからなり、かつＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で６８質量％以上、９４質量％以下、希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で６質量％以上、３２質量％以下含有するものからなる。また、放電用電極アセンブリ１００は、放電用電極体を２つ備えてなり、これら放電用電極体を対向させてなる。放電処理装置は、放電用電極アセンブリを用いてプラズマを発生させるようになしたものである。これらにより、放電効率が向上するとともに、放電用電極体の放電側表面のプラズマに対する耐食性が向上する。 （もっと読む）

【課題】成膜工程とクリーニング工程の繰り返しの間に、真空槽の温度上昇を抑え、かつ槽内を効率良く均一にクリーニング可能なプラズマ成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本願の成膜方法は、真空槽内にプラズマを発生させながら成膜対象物に膜を形成する成膜工程と、一回又は複数回の成膜工程毎に、真空槽内にクリーニングガスを導入してクリーニングを行うクリーニング工程を有する。クリーニング工程において、クリーニングガスは、真空槽に導入される前に活性化されて真空槽に導入される際にイオンまたはラジカルを含み、かつ、真空槽内のカソード電極に高周波電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】反応管の内部及びガス供給ノズルの内壁における膜質及び膜厚に差がある場合であっても、効率良く半導体装置のクリーニングが行なえる方法を提供する。
【解決手段】基板２００上に膜を形成する膜形成工程と、ガス導入部の内壁に付着した第１の堆積物を除去する第１のクリーニング工程と、処理室２０１の内部に付着し第１の堆積物と化学組成が異なる第２の堆積物を除去する第２のクリーニング工程とを有し、第１のクリーニング工程では、ガス導入部から処理室２０１内に供給される第１の処理ガスの累積供給時間に応じてクリーニング条件を設定し、第２のクリーニング工程では、基板２００に形成された膜の累積膜厚に応じてクリーニング条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】高速で再現性のある、均一性が高く、かつ高速な半導体又は液晶ディスプレイの製造を可能とする装置を提供する。
【解決手段】設定流量より任意の過剰のガスを任意の時間供給することが可能である装置内の圧力及び複数のガス分圧の制御システムを装置の上流に備え、制御システムと装置の下流に備えられた開度可変型流体制御バルブもしくは排気速度可変型真空排気装置とを連動させる事により装置内の圧力及び複数のガス分圧を一定に保つ事が可能なフィードフォワード方式の製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスノズルの交換の時期を延長させ、成膜ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を反応炉３１内に搬入するステップと、少なくとも一つの成膜ガスノズル４０より反応炉３１内に成膜ガスを供給して基板２００上に薄膜を成膜するステップと、成膜後の基板２００を反応炉３１内から搬出するステップと、成膜ガスノズル４０内にクリーニングガスを供給して成膜ガスノズル４０内に堆積した生成膜を除去する第１のクリーニングステップと、反応炉３１内に成膜ガスノズル４０とは異なるクリーニングガス供給口４６よりクリーニングガスを供給して反応炉３１内に堆積した生成膜を除去する第２のクリーニングステップとを有し、第１のクリーニングステップを第２のクリーニングステップよりも先行して行う。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の最表面の露出状態にあるＳｉ層を凝集が生じる温度以上に加熱昇温する場合に、当該Ｓｉ層が凝集するのを防止でき、さらにＳＯＩ基板上に保護膜を形成することなく凝集を抑制することができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、Ｓｉ基板３１上に絶縁層３２とＳｉ層３３が順次積層されて成るＳＯＩ基板２７で、露出状態にあるＳｉ層を加熱昇温するとき、加熱昇温過程で水素化物ガスを供給する。これにより、Ｓｉ層が凝集する前に、凝集前の温度で水素化物ガスが解離してＳｉ層のダングリングボンド４１をＨ等の所定原子で終端させる。 （もっと読む）

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を安価に促進させると共に、処理ガスの希釈を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】積層された基板１０を収容して処理する処理室２と、処理室２の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ（２２ｂ）と、処理室２の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って前記処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内２に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ（２２ｄ）と、前記不活性ガス供給ノズルに設けられた不活性ガス噴出口２４ｃ（２４ｄ）と、処理室２内を排気する排気ライン７ａとを有し、前記不活性ガス噴出口は、処理室２の内壁と基板１０の外周部との間の空間に不活性ガスを噴射するように開口されている。 （もっと読む）

【課題】 混色により白色となる２色以上の発光部を、単一の発光層内に、任意の面積比率で緻密に形成することができる白色ＬＥＤの製造装置と方法を提供する。
【解決手段】 基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。加熱用レーザ光２１は、成長基板のバンドギャップより大きいエネルギー範囲の波長を有する。加熱レーザ照射装置２０は、加熱用レーザ光２１を基板２上で１次元もしくは２次元的に照射するレーザ照射光学装置２３を備え、基板上の一部に加熱用レーザ光を局所的に照射し、発光層成膜時に、同一発光層１に混色により白色となる複数の発光部１ａ，１ｂ，１ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するために、真空容器内にて複数の基板が載置される回転テーブルの周方向に第１の反応ガスが供給される第１の処理領域及び第２の反応ガスが供給される第２の処理領域と、前記周方向における処理領域間で複数の反応ガスが混合されることを防止するための分離ガスが供給される分離領域と、が設けられた成膜装置の前記分離ガスの使用量を抑えることが出来る成膜装置を提供する。
【解決手段】分離領域Ｄを形成するための分離ガス供給手段に供給される分離ガスを加熱する加熱部４１ｃ，４２ｃ，７２ｃ，７３ｃ，８１ｃを設ける。加熱された分離ガスは膨張し、その流速が高くなった状態で分離ガス供給手段から供給されるので分離ガスの使用量を抑えることができる。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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【課題】高圧アニール装置の構造を簡単なものとし、一層アニール作業効率の高い装置を提供する。また、アニール作業を行なう容器内の温度分布をより均一にすることにより、一層高精度なアニール作業を行なうことが出来るような装置を提供する。
【解決手段】圧力容器１６と、該容器内に配置されており内部にワーク２５をアニール処理するためのアニール処理室２４を画定しておりかつ互に封止手段２３により封止連結されている筒体２１とエンドキャップ２２とにより構成されている反応容器２０と、加熱手段２８，３４と、石英ガラス板２７と、温度制御センサー２６と、反応容器内へ純水を供給するための純水供給手段３３と、反応容器内に有り純水供給手段からの純水を保持する部所２９と、反応容器内の圧力を制御する圧力制御手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】５００ｎｍよりも長波長の光を発生可能であると共に、貫通転位により発光強度の低下を避けることが可能な、III族窒化物発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＧａＮの成長に先立って障壁層２５の主面２５ａの表面２５ｂにＡｌＮ領域２７を形成するので、ＩｎＧａＮ２９ａは、ＡｌＮ領域２７に覆われていない表面２５ｃに成長される。このＩｎＧａＮはＡｌＮ領域の表面を覆うように成長されて、井戸層の成長途中ではＩｎＧａＮ２９ｃを形成する。これと同様に、ＡｌＮ領域におけるいくつかの開口２７ａから複数のＩｎＧａＮ２９ａ、２９ｂが成長し、これらのＩｎＧａＮ同士が転位を生成することなく繋がってＩｎＧａＮ２９ｃが形成される。ＩｎＧａＮ成長を進めると、障壁層２５の主面２５ａの全体上に平坦に成長されたＩｎＧａＮ２９ｄが形成される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の処理室のドライクリーニングを行った場合の、サセプタの変形に伴う成膜膜厚の均一性の変動を抑制し、成膜膜厚の均一性、再現性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】処理室４６と、サセプタ５６と、成膜ガス供給ライン５８と、フッ素系ガスを供給するフッ素系ガス供給ライン１０２，１０３と、フッ素系ガスをプラズマにより活性化する活性化機構１０１と、該活性化機構でプラズマにより活性化したフッ素系ガスを前記処理室内に供給する活性化ガス供給ライン５８と、前記基板に成膜ガスを供給して成膜する処理を少なくとも１回以上行った後、前記処理室内にダミー基板を搬入し、前記サセプタ上に載置して前記処理室内にプラズマで活性化したフッ素系ガスを供給する処理を複数回繰返し、再び前記処理室内に前記基板を搬入し成膜する処理を少なくとも１回以上行う様制御する制御部４１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ基板上へＺｎＯ系半導体結晶を１０００℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル成長方法、ホモエピタキシャル結晶構造、ホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板４０上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ＺｎＯ基板４０上にＺｎＯ系半導体層４６を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、１×１０^-4 気圧以下、結晶成長温度は１０００℃以上、ＶＩ族元素とＩＩ族元素の供給比ＶＩ／ＩＩは１以上〜１００以下であるホモエピタキシャル成長方法、ホモエピタキシャル結晶構造、ホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、転位欠陥の少ない良質の大口径｛０００１｝面ウェハを、再現性良く製造し得るための炭化珪素単結晶育成用種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】成長面に、幅が０．７ｍｍ以上２ｍｍ未満である溝を有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いた昇華再結晶法により、該種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する、炭化珪素単結晶の製造方法で炭化珪素単結晶を成長させて得られた種結晶付き炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの口径が５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから得られる炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハである。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたII−VI族化合物半導体を製造するための半導体製造装置、および、製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを基板１０に向かって所定の角度で供給する供給口１２と、基板１０で反射された原料ガスが入射する位置に配置された排気口１４とを有するＭＯＣＶＤ装置を提供する。これにより、２以上の原料ガスをそれぞれ基板１０に所定角度で入射させて、基板１０上で反応させる。基板１０上で反射された原料ガスを、直接的に排気口１４に取り込んで排気するか、もしくは、基板１０上で反射された原料ガスの進行方向を制御し、排気口１４まで導いて排気する。 （もっと読む）

【課題】下地（Ｎ＋）へのエッチングを防ぎ、且つ比較的速い成膜レートで成膜することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第三のステップと、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）