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Fターム[5F045AC00]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 導入ガス (14,721)

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【課題】半導体層中のドーパントを所望の不純物濃度に拡散制御するプロセス及びそれにより形成された半導体層を提供する。
【解決手段】(a)拡散を抑制する量の電気的に不活性な不純物を結晶成長流内に導入するステップと、(b)該結晶成長流を使用して少なくとも1つの結晶成長技術により結晶性の半導体基板上に結晶性の第1の半導体層を堆積させるステップと、(c)該第1の半導体層上に第2の半導体層を形成するステップとからなり、該第2の半導体層は、電気的に活性なドーパントを含む。 (もっと読む)


【課題】原子層成長(ALD)法において、各ステップ毎にガスの流れを制御し高アスペクト構造での被覆性を向上させ、均質な成膜をウエハ全面及びシリンダー全体で得ることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、容量絶縁膜形成装置の反応室31に複数の排気管62〜65を接続し、反応室内の真空度をモニターする真空計60と、各排気管62〜65の真空度をモニターするための真空計61a〜61dと、各排気管毎に独立して排気量を調整するための圧力制御用回転式バルブ66〜69とを具備する。 (もっと読む)


【課題】パーティクル数を低減させて生産性を向上させた誘電体薄膜の製造方法及び誘電体薄膜の製造装置を提供するものである。
【解決手段】ターゲット表面を初期状態にするための目標ダミー間枚数Npを規定し、ダミー間枚数Naが目標ダミー間枚数Npに到達するまで、誘電体薄膜の成膜処理を継続させた。そして、ダミー間枚数Naが目標ダミー間枚数Npに到達するとき、後続する基板を成膜室に搬入する前に、成膜室にスパッタガスのみを導入してターゲットをスパッタさせるダミースパッタ処理を実行させた。 (もっと読む)


薄膜材料を基体上に堆積させる方法であって、薄膜堆積システムの供給ヘッドの出力面から基体表面に向けて一連のガス流を同時に案内することを含み、一連のガス流が、少なくとも、第1反応性ガス状材料と、不活性パージガスと、第2反応性ガス状材料とを含み、第1反応性ガス状材料が、第2反応性ガス状材料で処理された基体表面と反応することができ、ガス流のうちの1つまたは2つ以上が、供給ヘッドの面からの基体の表面の分離に少なくとも寄与する圧力を提供する方法を開示する。かかる方法を実施することのできるシステムも開示する。
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【課題】成膜レートを高く維持すると共に、膜厚の面内均一性も高く維持することが可能なプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器44と、被処理体Wを載置するための載置台46と、天井部に装着されてマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板88と、成膜用の原料ガスと支援ガスとを含む処理ガスを導入するガス導入手段54と、マイクロ波を導入するために天板側に設けられた平面アンテナ部材を有するマイクロ波導入手段92とを有するプラズマ成膜装置において、ガス導入手段は、被処理体の中央部の上方に位置された原料ガス用の中央部ガス噴射孔112Aと、被処理体の周辺部の上方にその周方向に沿って配列された原料ガス用の複数の周辺部ガス噴射孔114Aとを有し、被処理体の中周部の上方にその周方向に沿ってプラズマを遮蔽するためのプラズマ遮蔽部130を設ける。 (もっと読む)


【課題】 微結晶シリコン膜(結晶質を含むシリコン膜)の形成条件の最適化を容易に行うことにより、十分な結晶粒径を有し、構造欠陥を減少させ、半導体素子の特性向上及び光起電力素子の変換効率の向上と光劣化の抑制を高いレベルで両立させることを目的とする。
【解決手段】 結晶質を含むシリコン系薄膜からなる半導体層を含む半導体素子のプラズマCVD法による製造方法において、前記半導体層の形成時に高周波電極側が負となるように高周波電極と基板との間にバイアス電圧を印加する工程と、前記、高周波電極又は前記基板に発生するスパークを検知する工程と、前記検知結果に基づいて、継続時間が100msec以上のスパークの発生回数が1回/min以下となるように、高周波電力、バイアス電圧、バイアス電流、圧力、ガス流量、電極間距離の少なくとも1つを制御する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】発熱体の長寿命化を図った発熱体CVD装置を提供する。
【解決手段】発熱体3と電力供給機構との接続部と、前記支持体31による発熱体3の支持部とのいずれか一方又は両者を覆い、内部と発熱体3の延出部の周囲とに隙間が設けられたカバー301,302と、該カバー301,302内部の隙間にガスを導入するガス導入系とを備えている発熱体CVD装置とし、前記カバー301,302内部の隙間に導入したガスを前記発熱体の延出部の周囲の隙間から前記処理容器内に流動させ、前記処理容器内に供給された原料ガスの前記カバー内部の隙間への侵入を抑制できるようにする。 (もっと読む)


分散型電子サイクロトロン共鳴で形成されたプラズマから基板上に膜を蒸着するために使用するプラズマ励起装置について記載している。本装置は、マイクロ波を放出する一端を有するマイクロ波アンテナと、前記アンテナ端の領域内に配置されて、その中でプラズマを生成できる電子サイクロトロン共鳴領域を画定する磁石と、膜用前駆ガスまたはプラズマガス用の排気口を有するガス進入要素とを備えている。前記排気口が、前記マイクロ波アンテナから見て、前記磁石の先に位置する膜蒸着区域に向けてガスを方向付けるように配置されている。 (もっと読む)


例えばシリコン等の非晶質または微晶質材料の膜をプラズマから基板上に蒸着する方法を記載している。マイクロ波エネルギーを一連の不連続マイクロ波パルスとしてチャンバ内へ導入し、膜用前駆ガスを一連の不連続のガスパルスとしてチャンバ内へ導入し、水素原子を生成するガスを少なくとも各マイクロ波パルスの際にチャンバ内へ供給している。各マイクロ波パルスには前駆ガスパルスが重複しない形で続き、さらに各前駆ガスパルスには、マイクロ波パルスと前駆ガスパルスのいずれも無い期間が続く。 (もっと読む)


【課題】捕集した反応副生成物をクリーニング処理時に短時間で且つ効率的に確実に除去することが可能な捕集ユニットを提供する。
【解決手段】被処理体Wに対して所定の薄膜を堆積させる処理容器22に接続されていた排気通路62に介設されて、排気ガス中に含まれる反応副生成物を捕集する捕集ユニットにおいて、ガス入口74Aとガス出口74Bとを有する容器状のケーシング74と、ケーシング内に着脱可能に設けられると共に、反応副生成物を捕集するための複数のフィン86を連結してなるトラップ本体78と、排気通路内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行っている時に落下する反応副生成物を、落下途中で捕獲して支持すると共に排気ガスを通過させる捕獲部材96(96A〜96C)とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板に対する熱負荷を低減できる半導体装置の製造方法等を提供する。また、半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】ノズル22に設けられた開口部から放出される過熱水蒸気を基板100上に走査し、基板100上のシリコン層を熱処理する。この熱処理によって、シリコン層が再結晶化される。この際、シリコン層の表面に酸化膜が形成される。この酸化膜をゲート絶縁膜や容量絶縁膜として使用することができる。かかる処理によれば、過熱水蒸気によりシリコン層の再結晶化を行なうことができる。また、過熱水蒸気によりシリコン層の改質を行うことができる。また、ノズル22と基板100との距離や走査速度を調整することにより基板100に対する熱負荷を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】高誘電率材料を化学気相堆積するチャンバー表面の清浄工程の終点を決定する方法を提供する。
【解決手段】金属残渣40を揮発させかつ生成すると表面から離れる揮発した残渣生成物70を生成させるために十分な時間、残渣40を清浄剤60と接触させることにより残渣40を表面から除去し、下にある金属を腐食させ、かつそれを揮発させる傾向を有する清浄剤60と接触させることにより、金属を含む下にある表面から金属残渣40を除去し、清浄剤60が残渣40を除去した効果により表面と接触し、そして表面の金属と反応しかつ表面の金属を揮発させるまで残渣40と接触させて清浄剤を保持し、金属を含む下にある表面は、金属残渣40の金属よりも清浄剤60と反応性が高いことを利用し、揮発した金属及び清浄剤60のそれぞれの量をモニターして、揮発した金属の量の清浄剤60の量に対する比が、低い値から高い値に増えた時に清浄工程を停止させる。 (もっと読む)


【課題】フッ素を含有するクリーニングガスによりシャワーヘッド部のボディとシャワープレートとの接着面にフッ化アルミニウムが生成及び成長することにより生じる密着性不良によって引き起こされる温度伝達不良、RF伝達不良のない薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバ6と、反応チャンバ6内で被処理体を載置するためのサセプタ3と、反応チャンバ6内に前記サセプタ3と対向して略平行に設置されたシャワーヘッド9’とを備え、さらにシャワーヘッド9’は、平板状かつ中空構造のボディ13と、当該ボディ13の端部に固定され前記サセプタ方向に複数の細孔を有するガス噴出面を備えたシャワープレート11とから構成されるとともに、ボディ13とシャワープレート11との接着面が、前記ガス噴出面に対して平行である水平面と前記ガス噴出面に対して垂直である垂直面とより構成される。 (もっと読む)


【課題】 プラズマCVD法においてTMSを用いて低温条件下で成膜する場合であっても、炭素の混入を抑えて良好な膜質の絶縁膜を有する半導体装置の製法を提供すること。
【解決手段】 TMSを用いて低温条件下で成膜された絶縁膜を有する半導体装置の製法において、前記絶縁膜が、プラズマCVD法によって、絶縁膜の原料となるガスとしてTMSと、酸化ガスとしてNOとを用い、室温以上250℃以下の基板温度にて形成されることを特徴とする半導体装置の製法とする。 (もっと読む)


【課題】ツィーザをセラミック製とすることによるパーティクルの問題をセルフメンテナンスによって解決することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ1をツィーザ25によって保持してカセット2とボート28との間で移載するウエハ移載装置23を有する酸化・拡散装置において、移載室内のウエハ移載装置23の待機位置30にツィーザ25にガス33を吹き付けるガス吹き付け機構31を設置し、ガス吹き付け機構31から吹き出されたガス33を吸引する吸引機構36をツィーザ33を挟んでガス吹き付け機構31に対向するように設置する。吸引機構36を構成する吸引排気配管38にはパーティクルモニタ39を取り付け、吸引機構36にはイオナイザ40を設ける。これによりツィーザに付着または吸着したパーティクル等を吹き付けたガスによって洗浄することができる。 (もっと読む)


【課題】低温下で、良質な酸化膜を形成することができる酸化膜の形成方法、酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管2内にアンモニアラジカルを供給し、半導体ウエハWの表面を窒化する。次に、反応管2内にDCSを供給し、窒化された半導体ウエハWの表面にSiを吸着させる。続いて、反応管2内に酸素ラジカルを供給して、吸着したSiを酸化させ、半導体ウエハWにシリコン酸化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望厚のシリコン酸化膜が形成される。 (もっと読む)


本発明の第1態様は、基板上にエピタキシャル層を選択的に形成する方法を提供する。この方法は、約800℃未満の温度まで前記基板を加熱するステップと、エピタキシャル膜形成中にシランとジクロロシランの両方を使用するステップと、を含む。数多くの他の態様が提供されている。
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【課題】パーティクルの発生を防止することができるようにする。
【解決手段】半導体製造装置は、複数の基板を処理する処理容器と、前記処理容器内に収容されて前記複数の基板を多段に保持する基板保持具と、前記基板保持具の側面に設けられるプラズマ生成室17と、前記プラズマ生成室内に第一のガスを供給する第一のガス供給部と、前記基板保持具に保持される複数の基板の間に第二のガスを供給する第二のガス供給部と、前記処理容器の外に設けられ、前記プラズマ生成室17内に供給される前記第一のガスを誘導結合により励起してプラズマを生成する電極と、前記電極と前記プラズマ生成室17との間に接地して設けられたシールドと、前記プラズマ生成室17内に設けられ、該プラズマ生成室17内で生成されたプラズマのうちの電子を前記処理容器内の前記複数の基板の間に発射して、前記基板間に供給された前記第二のガスをプラズマ励起する電子供給装置とを備える。 (もっと読む)


【課題】 従来の気相成長装置において、安全性の観点から充分とは言えず、未だ改良すべき点がある。本発明は、上記した点に対処してなされたもので、安全性を大幅に改善した新規な気相成長装置を提供するものである。
【解決手段】 本発明の気相成長装置によれば、安全性を大幅に改善した新規な気相成長装置を提供可能であり、具体的にはClFガスの置換作業後にその場でチャンバー103(反応炉),排気配管内107の雰囲気中のClFガス濃度を測定し、安全濃度まで低下しているかを確認することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】簡単な工程で各種基板材料の表面にグラファイトやグラッシーカーボン等のカーボン系物質に代表される無機系物質を減圧下乃至加圧下において基板を格別に過熱することなくマイクロメートル・オーダーの領域にマスク等を用いずに直接に堆積させるマイクロプラズマCVD装置を提供する。
【解決手段】円筒状の絶縁材料性プラズマトーチ5、プラズマガス供給系1、プラズマ発生用高周波電源9、マッチングボックス10、プラズマ点灯用イグナイター8、雰囲気ガス吹き付けノズル2及び堆積基板の位置を制御する3軸マニピュレーター14からなり、カーボンナノチューブ系の材料を基板11上に堆積させるためには、アルゴン等の不活性ガスに代表されるプラズマガス中にメタン等の炭化水素ガスを混合しプラズマノズルに供給すればよく、この工程は、大気圧、減圧条件下乃至高圧条件下においても可能である。 (もっと読む)


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