【課題】熱的に安定であって、周期性に優れた階段形状の形成を可能とする。
【解決手段】ＸＰＳによる面積強度比Ｒ（＝Ｉ_284.8／Ｉ_282.8）がＲ＞０．２を満たす炭素過剰面にＳｉＣ結晶をエピタキシャル成長させて、（０００１）面と〔１１−２ｎ〕面〔ｎ≧０〕とからなるステップ−テラス構造が形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を製造する際、半導体製造装置を構成する各種部品が窒化物からなる汚染物で汚染された時、この汚染部品を部品の損傷、腐食を来すことなく、作業者が安全に作業することができる洗浄方法および清浄装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の汚染部品を取り外して反応室１内に収める。ヒーター５を作動させて反応室１内の汚染部品を５００〜１０００℃の温度に加熱した後、第１洗浄ガス導入管２から塩素系ガスと希釈ガスからなる第１の洗浄ガスを反応室１内に導入する。汚染物が第１の洗浄ガスに含まれる塩素系ガスと反応し、反応物が揮発性のガスとなり、洗浄ガスに同伴されて排ガス排出管４から排出される。ついで、第２洗浄ガス導入管３から反応室１内に水素系ガスを含む第２の洗浄ガスを導入し、部品に残量している塩素系物質を水素系ガスと反応させ、塩化水素ガス等として除去する。 （もっと読む）

【課題】カーボン膜を成膜するプラズマ処理装置において、スループットを犠牲にすることなく、排気系への付着物の堆積を最小とし、ほとんどウェットクリーニングの必要のない、稼働率の高い装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、反応室１０１と排気ポンプ１２４とが排気配管１３２により相互に接続されると共に、前記排気配管には上流側から順に主排気弁１２２と圧力制御弁１２３とが設けられ、前記反応室１０１内でハイドロカーボンを含むガスをプラズマ化し、被成膜体に対してカーボンを含む膜を形成する。反応室１０１と主排気弁１２２との間には、反応室１１９が設けられ、反応室内において、反応室１０１からの排気ガスにプラズマ処理が行われると共に、酸化性のラジカルが発生するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ_２Ｏ_３膜等を生成する際、副生成物であるノズル内のＡｌ膜等の成膜を抑えることができるようにする。
【解決手段】反応管２０３と、シリコンウエハ２００を加熱するヒータ２０７とを有し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とオゾン（Ｏ_３）とを、反応管２０３内に交互に供給してウエハ２００の表面にＡｌ_２Ｏ_３膜を生成する基板処理装置であって、オゾンとＴＭＡとをそれぞれ流す供給管２３２ａ、２３２ｂと、反応管２０３内にガスを供給するノズル２３３と、を備え、２つの供給管２３２ａ、２３２ｂを、反応管２０３内のウエハ２００付近の温度よりも低い温度の領域で、ヒータ２０７の内側に配置されたノズル２３３に連結させて、オゾンとＴＭＡをノズル２３３を介して反応管２０３内にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制しつつトレンチをエピタキシャル膜で埋め込んだ後の基板平坦化を容易に行うことができる半導体基板の製造方法およびエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板（１，２）の主表面２ａにトレンチ４を形成し、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスの混合ガスの供給に伴うエピタキシャル成長によりトレンチ４内を含めたシリコン基板（１，２）の主表面２ａ上にエピタキシャル膜２０を成膜してトレンチ４の内部をエピタキシャル膜２０で埋め込み、さらに、平坦化のために、埋込用のエピタキシャル膜２０の上に、エピタキシャル膜２１を、シリコン基板（１，２）の主表面２ａでのエピタキシャル膜２０の成長速度よりも速い条件下で成膜する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上のエピタキシャル膜に形成したトレンチ内に当該エピタキシャル膜とは逆導電型のエピタキシャル膜を埋め込んでなる半導体基板において所望のキャリア分布を得ることができるようにする。
【解決手段】ｎ^＋シリコン基板１の上にｎ型エピタキシャル膜２を形成し、この膜２にトレンチ４を形成する。トレンチ４内を含めたｎ型エピタキシャル膜２上にｐ型エピタキシャル膜２３を成膜してトレンチ４の内部を膜２３で埋め込む。この際、少なくとも埋め込みの最終工程において、ｐ型のエピタキシャル膜２３の成膜のために供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いる。シリコン基板１の不純物としての砒素の濃度を「α」、ｐ型エピタキシャル膜２３の不純物濃度を「β」としたとき、α≦３×１０^１９・Ｉｎ（β）−１×１０^２１を満足させる。 （もっと読む）

【課題】大口径の基板を多数同時に処理することが可能であるとともに、構造が簡単で、反応室内の断熱性も十分で処理時間の短縮化が図れ、しかも結晶膜の純度も良好で、得られた結晶のばらつきも可及的に少なくすることができる半導体結晶の成長装置を提供する。
【解決手段】縦型に配置され、限定された空間Ｓ内に反応ガスが導入されるガス供給管５２と、ガス供給管５２の外周面に配置される誘導加熱手段５４と、誘導加熱手段５４と対向するように前記ガス供給管５２の内周側に配置され、ガス導入口７４とガス排出口７６がそれぞれ対向する側壁面に形成された有底筒構造の輻射部材５６と、輻射部材５６の内方に挿入された軸５９に一体的に支持され、略水平方向に複数の基板を載置できるように棚状に構成されたサセプタ構成部材５８と、サセプタ構成部材５８を支持する軸５９に回転力および直線方向への移動力を付与する動力手段６０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大流量のガス導入時にも被処理基体の表面近傍に不均一なガスの流れが発生することを防止し、ラジカル拡散濃度の空間分布を均一化し、被処理基体の表面の均一な処理を行うことができるラジカル処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室１０１、排気手段１０６、ガス導入手段１０５、処理室１０１内の上部のラジカル発生領域１１１に中性ラジカルを生成する中性ラジカル生成手段１０８、ラジカル発生領域１１１よりもガス流の上流に設置され、被処理基体１０２を支持する被処理基体支持手段１０３とを有し、ガス導入手段１０５をラジカル発生領域１１１と被処理基体支持手段１０３との間に設ける。 （もっと読む）

【課題】炉体を用いたバッチ式成膜装置で、多孔ノズルを用いて原料ガスを供給するＡＬＤ成膜ではノズル内のガス置換が不十分となり原料が残留する結果、パーティクルの発生や膜厚の面内均一性が悪化する問題を回避する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ノズル１０６の先端を閉塞させずに、配管１３２およびバルブ１３３を介して真空ポンプに接続するようにした。反応室１０２とは独立してノズル１０６内の真空排気、パージを容易にできるので原料の置換効率が向上し、原料の残留を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 両面が鏡面の半導体基板を高圧で水蒸気アニール処理する場合であっても、水蒸気アニール処理の効果を維持したまま、処理中に基板表面に付着するパーティクルやコンタミネーションを大幅に低減することによりアニール処理の品質及びデバイスの歩留まりを向上させることができると共に、半導体基板の装填領域をコンパクトにすることにより装置の小型化に寄与できる水蒸気アニール用治具及び水蒸気アニール方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水蒸気アニール用治具は、半導体基板１の周縁部を覆うように形成されて内側に貫通開口１０ａを有するシート状部材１０からなる。シート状部材１０の半導体基板１との接触面は、半導体基板１を処理する温度及び圧力の範囲において、水蒸気分子を導入できかつ所定の粒径以上のパーティクル及びコンタミネーションの侵入を阻止する面粗さを有する。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造するのに用いられる蒸着チャンバーの内部などの表面から表面沈着物を除去するためのプラズマクリーニング方法に関する。本発明はまた、表面から沈着物を除去するのに優れた性能を提供するガス混合物および活性化ガス混合物を提供する。本方法は、炭素または硫黄源、ＮＦ_３、および任意選択的に酸素源を含むガス混合物を活性化させて活性化ガスを形成する工程と、活性化ガス混合物を表面沈着物と接触させて表面沈着物を除去する工程であって、活性化ガス混合物が装置の内部表面を不動態化して気相化学種の表面再結合の速度を下げる役割を果たす工程とを含む。
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半導体ウェーハ・プロセス・チャンバにおけるアーク発生問題を診断する方法及びシステムが説明される。方法は、プロセス・チャンバで電圧プローブをプロセス・ガス分配面板へ結合し、ＲＦ電源を活性化して、面板と基板ウェーハとの間にプラズマを生成することを含む。方法は、更に、ＲＦ電源の活性化中に、時間の関数としての面板ＤＣバイアス電圧を測定することを含む。この場合、面板における測定電圧のスパイクは、アーク発生事象がプロセス・チャンバ内で出現したことを表示する。半導体ウェーハ・プロセス・チャンバ内のアーク発生を低減する方法及びシステムも説明される。 （もっと読む）

【課題】 微細なパターンの形成の精度を向上させることが可能な製膜装置を得る。
【解決手段】 基体１６０上に第１の化学種を吐出する第１のノズル１０２ａと、基体１６０上に第２の化学種を吐出する第２のノズル１０２ｂと、第１の化学種を貯留する材料貯留室１０１ａと反応活性種を発生させる反応活性種発生部１０３ａ、第２の化学種を貯留する材料貯留室１０１ｂと反応活性種を発生させる反応活性種発生部１０３ｂを備え、第１のノズル１０２ａと第２のノズル１０２ｂは、吐出された第１の化学種の流れと第２の化学種の流れが交差するように設置される。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積装置による反応空間内に残存する前躯体のパージが確実に行われ、各前躯体のガスが安定的に且つ均等に基板に対して供給されるようにする。
【解決手段】ガス供給管８を、同心状の内側管８１および外側管８２からなる二重管構造に形成する。内側流路８Ａの最大径での断面積とこの位置での外側流路８Ｂの断面積を同じにする。外側管８２の先端を内側管８１の先端より基板側とする。外側管８２の先端面をなす円の直径を内側管８１の先端面をなす円の直径以下とする。このガス供給管８を、ガスの流れが基板面に対して垂直になるように設置する。天板７を設けて、互いに平行な基板６と天板７の間に反応空間が形成されるようにする。基板６に対するガス供給時に、内側流路８Ａを通過するガスの流量と外側流路８Ｂを通過するガスの流量が常に同じになるように、内側流路８Ａおよび外側流路８Ｂへのガス導入量を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に、電気的特性のばらつきの小さい酸化膜を形成することができる酸化膜形成方法および酸化膜形成装置を提供する。
【解決手段】ボロンをドーピングした半導体基板５４が配置されたプロセスチューブ４８内に、純水供給管３３および導入管３２によって形成される管路を通して純水を供給する。純水が気化した水蒸気の雰囲気中において半導体基板５４を加熱し、半導体基板５４の表面部に酸化膜を形成する。次に、純水供給管３３に接続された排出ガス導入部３５に窒素ガスを供給することによって、純水供給管３３および導入管３２によって形成される管路に窒素ガスを供給し、管路内に残留する純水をプロセスチューブ４８内に排出する。次に、窒素ガス供給管３４によって形成される管路を通して窒素ガスをプロセスチューブ４８内に供給し、水蒸気を含まない窒素ガスのみの雰囲気中で半導体基板５４を加熱し、ボロンを拡散する。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造するのに用いられるプロセスチャンバーの内部などの、表面から表面沈着物を除去するための改良された遠隔プラズマクリーニング方法に関する。本改良は、少なくとも約３０００Ｋの高い中性温度の活性化ガスの使用、およびエッチング速度を向上させるためのＮＦ₃クリーニングガス混合物への酸素源の添加を含む。
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本発明は実質的に大気圧でガス流出物をプラズマ処理する方法に関し、処理される流出物をプラズマトーチに注入し、プラズマの上流または下流で水蒸気を注入することを含む。 （もっと読む）

【課題】排気手段内部への生成物の付着を防止しながら、スループットを向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウェハを処理する処理室内に、トリメチルアルミニウムを含む第１の処理ガスと、酸素（Ｏ）を含む第２の処理ガスとを交互に供給するガス供給系と、排気系２５０とを有し、ウェハ上に酸化アルミニウムの薄膜を形成する。排気系２５０は、処理室側の雰囲気を吸気する吸気口２２および吸気した雰囲気を排気する排気口２３を有する筐体２１と、筐体２１内であって吸気口２２と排気口２３との間に設けられ吸気口２２側の雰囲気を排気口２３側へ移送する移送手段とを有する真空ポンプと、真空ポンプの排気口２３付近の筐体２１内に室温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも傾斜角度の小さい傾斜基板上に、３Ｃ構造を生じさせずにエピタキシャル層を成長することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 珪素の水素化ガスと炭化水素ガスをキャリアガスと共に加熱したＳｉＣ基板５上に供給し、熱分解反応により単結晶を成長させるＣＶＤ法による炭化珪素単結晶の製造方法において、上記ＳｉＣ基板５として、（０００１）面から小さい傾斜角度で傾斜したＳｉＣ単結晶基板を用い、このＳｉＣ単結晶基板上に、珪素の水素化ガス、炭化水素ガス及びキャリアガスと共に、ＨＣｌガスを同時に供給する。傾斜角度は、４ＨのＳｉＣ単結晶基板の場合、０．５〜７．０°の範囲、６ＨのＳｉＣ単結晶基板場合、０．５〜２．５°の範囲とする。 （もっと読む）

ワークピース上にカーボン層を堆積させる方法であって、この方法は、上記ワークピースをリアクタチャンバ内に配置するステップと、カーボン含有プロセスガスを上記チャンバ内に導入するステップと、プラズマＲＦソース電力を再入経路の外部に結合することによって、ワークピースの上にプロセスゾーンを含む上記再入経路内で再入トロイダルＲＦプラズマ電流を生成するステップと、ＲＦプラズマバイアス電力またはバイアス電圧を上記ワークピースに結合させるステップとを備える。 （もっと読む）